SIC
close

メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
IS43R86400E-5BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5BI -
RFQ
 ECAD 1475 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-tfbga （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43R86400E-5BI 廃止 190 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
CY7C1357C-100AXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1357C-100AXC 9.8300
RFQ
 ECAD 636 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp NOBL™ トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1357 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード ROHS3準拠 3A991B2A 8542.32.0041 31 100 MHz 揮発性 9mbit 7.5 ns sram 512K x 18 平行 - 確認されていません
MEM-DR480L-HL01-ER24-C ProLabs MEM-DR480L-HL01-ER24-C 110.0000
RFQ
 ECAD 2568 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-MEM-DR480L-HL01-ER24-C ear99 8473.30.5100 1
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABAFD12-AATE：F -
RFQ
 ECAD 8709 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 24-tbga MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
CY7C1366A-200AJC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1366A-200AJC 7.3600
RFQ
 ECAD 487 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1366 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 揮発性 9mbit 3 ns sram 256k x 36 平行 -
IS25LQ020B-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JNLE -
RFQ
 ECAD 6475 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） IS25LQ020 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1319 ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 800µs
IS63LV1024L-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-10KLI -
RFQ
 ECAD 8567 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-BSOJ （0.400 "、10.16mm 幅） IS63LV1024 sram-非同期 3.15V〜3.45V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 21 揮発性 1mbit 10 ns sram 128k x 8 平行 10ns
CY62148GN-45SXI Cypress Semiconductor Corp Cy62148GN-45SXI -
RFQ
 ECAD 9279 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp mobl® バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-SOIC （0.445 "、幅11.30mm） Cy62148 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOIC ダウンロード 68 揮発性 4mbit 45 ns sram 512k x 8 平行 45ns 確認されていません
HN58V66ATI10E Renesas hn58v66ati10e 10.2000
RFQ
 ECAD 869 0.00000000 ルネサス * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-HN58V66ATI10E-1833 1
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NK-062 XT ES：C -
RFQ
 ECAD 1515 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
C-2666D4DR8EN/16G ProLabs C-2666D4DR8EN/16G 171.2500
RFQ
 ECAD 4302 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-C-2666D4DR8EN/16G ear99 8473.30.5100 1
MT44K64M18RB-093F:A Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-093F：a -
RFQ
 ECAD 3738 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K64M18 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） - 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 1.066 GHz 揮発性 1.125Gbit 7.5 ns ドラム 64m x 18 平行 -
CY62147DV30LL-70BVI Cypress Semiconductor Corp Cy62147DV30LL-70BVI 2.0100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp mobl® バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy62147 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 70 ns sram 256k x 16 平行 70ns
CY15B256J-SXA Infineon Technologies Cy15b256j-sxa 8.0500
RFQ
 ECAD 485 0.00000000 Infineon Technologies f-ram™ チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） Cy15B256 フラム（強誘電性ラム） 2V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 485 3.4 MHz 不揮発性 256kbit 130 ns フラム 32k x 8 i²c -
CY62147G18-55BVXI Infineon Technologies Cy62147G18-55BVXI 6.5450
RFQ
 ECAD 8659 0.00000000 Infineon Technologies mobl® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy62147 sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 4,800 揮発性 4mbit 55 ns sram 256k x 16 平行 55ns
CY62147DV30L-70BVI Cypress Semiconductor Corp Cy62147DV30L-70BVI 1.8200
RFQ
 ECAD 291 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp mobl® バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy62147 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 70 ns sram 256k x 16 平行 70ns
CY62157G30-45BVXIT Infineon Technologies Cy62157G30-45BVXIT 11.7040
RFQ
 ECAD 3183 0.00000000 Infineon Technologies mobl® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy62157 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 8mbit 45 ns sram 512K x 16 平行 45ns
S80KS5123GABHA023 Infineon Technologies S80KS5123GABHA023 20.8075
RFQ
 ECAD 5190 0.00000000 Infineon Technologies Hyperram™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-VBGA psram（pseudo sram 1.7V〜2V 24-fbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 200 MHz 揮発性 512mbit 35 ns psram 64m x 8 SPI -OCTAL I/O 35ns
MTFC16GJGEF-AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc16gjgef-ait z tr -
RFQ
 ECAD 5925 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-TFBGA mtfc16g フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 169-TFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
M28W320HSU70ZA6E Micron Technology Inc. M28W320HSU70ZA6E -
RFQ
 ECAD 2773 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TFBGA M28W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TFBGA（10.5x6.39） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -M28W320HSU70ZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 816 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
MB85R8M2TPBS-M-JAE1 Kaga FEI America, Inc. MB85R8M2TPBS-M-JAE1 27.2800
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 Kaga Fei America - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA MB85R8 フラム（強誘電性ラム） 1.8V〜3.6V 48-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 865-1295 ear99 8542.32.0071 480 不揮発性 8mbit 150 ns フラム 512K x 16 平行 150ns
IS46DR81280C-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280C-3DBLA2 -
RFQ
 ECAD 5021 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA IS46DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 242 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT25QL01GBBB1EW9-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB1EW9-0SIT 17.9500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MT25QL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wpdfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -791-MT25QL01GBBB1EW9-0SIT 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
7133SA25PFI8 Renesas Electronics America Inc 7133SA25PFI8 -
RFQ
 ECAD 5855 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp 7133SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0041 750 揮発性 32kbit 25 ns sram 2k x 16 平行 25ns
MT53D384M32D2DS-053 WT:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 WT：c -
RFQ
 ECAD 3524 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
CY7C1370BV25-133AC Infineon Technologies Cy7C1370BV25-133AC 14.2200
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 Infineon Technologies - バッグ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1370 sram- sdr 2.375V〜2.625V 100-TQFP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 MHz 揮発性 18mbit 4.2 ns sram 512K x 36 平行 -
NAND512R3A2SN6F Micron Technology Inc. NAND512R3A2SN6F -
RFQ
 ECAD 1864年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND512 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 512mbit 50 ns フラッシュ 64m x 8 平行 50ns
D5116AN9CXGRK-U Kingston d5116an9cxgrk-u 4.3300
RFQ
 ECAD 183 0.00000000 キングストン - トレイ アクティブ 0°C〜95°C 表面マウント 96-FBGA D5116 SDRAM -DDR4 1.2V 96-FBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください 3217-D5116AN9CXGRK-U ear99 8542.32.0036 1 8gbit ドラム 512m x 16
M24256-BRMN6TP STMicroelectronics M24256-BRMN6TP 0.4200
RFQ
 ECAD 335 0.00000000 stmicroelectronics - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M24256 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 不揮発性 256kbit 450 ns Eeprom 32k x 8 i²c 5ms
S29JL032H90TFI210 Spansion S29JL032H90TFI210 -
RFQ
 ECAD 8586 0.00000000 スパンション * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B1A 8542.32.0071 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます