画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Cy7C09179V-12axc | - | ![]() | 8839 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C09179 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 90 | 50 MHz | 揮発性 | 288kbit | 12 ns | sram | 32K x 9 | 平行 | - | |||
![]() | IS43TR16128BL-15HBL-TR | - | ![]() | 7957 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
w631gg6kb-12 tr | - | ![]() | 4393 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-WBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | ||||
BR24T02NUX-WGTR | 0.4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | BR24T02 | Eeprom | 1.6V〜5.5V | VSON008X2030 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||||
23a512-e/st | 2.0550 | ![]() | 9898 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 23A512 | sram | 1.7V〜2.2V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 100 | 16 MHz | 揮発性 | 512kbit | sram | 64k x 8 | spi -quad i/o | - | |||||
![]() | N25Q032A13ESC40F TR | - | ![]() | 9737 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | N25Q032A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
![]() | w25q128jvcjq tr | - | ![]() | 8267 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | w25q128jvcjqtr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
![]() | IS46TR16128A-125KBLA2 | - | ![]() | 5775 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | gd25ve16ctigr | - | ![]() | 8137 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | GD25ve16 | フラッシュ - | 2.1V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
![]() | CAT28C64BG15 | - | ![]() | 9172 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 2156-CAT28C64BG15-736 | 1 | 確認されていません | |||||||||||||||||||
MT41K256M16TW-093 IT:P Tr | - | ![]() | 3170 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | IDT6116SA35SOI8 | - | ![]() | 9260 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | IDT6116 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 24-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 6116SA35SOI8 | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 16kbit | 35 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 35ns | |||
![]() | MX25R8035FZUIL0 | 0.6700 | ![]() | 49 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | MX25R8035 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 12,000 | 33 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 100μs10ms | ||||
![]() | MX25U3235FBAI-10G | 0.9828 | ![]() | 5067 | 0.00000000 | マクロニックス | MX25XXX35/36 -MXSMIO™ | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | MX25U3235 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 6,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 30µs、3ms | ||||||
![]() | BR24A04F-WME2 | 0.7700 | ![]() | 7101 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.173 "、幅4.40mm) | BR24A04 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | 24LC512-E/SN16KVAO | - | ![]() | 6735 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC512 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1B2 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 512kbit | 900 ns | Eeprom | 64k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | AT45DB321D-CU-SL383 | - | ![]() | 8431 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 24-TBGA 、CSPBGA | AT45DB321 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 24-cbga | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 66 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 528バイトx 8192ページ | spi | 6ms | |||||
w25q80jvzpiq tr | - | ![]() | 5991 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||||
AT24C256-10TU-1.8 | - | ![]() | 2818 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT24C256 | Eeprom | 1.8V〜3.6V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 256kbit | 900 ns | Eeprom | 32k x 8 | i²c | 10ms | ||||
![]() | AS4C4M32SA-6TCN | 3.9882 | ![]() | 3312 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS4C4M32 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1292 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 2ns | ||
![]() | AS4C2M32D1A-5bin | 3.7162 | ![]() | 5020 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-LFBGA | AS4C2M32 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 144-LFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1406 | ear99 | 8542.32.0002 | 189 | 200 MHz | 揮発性 | 64mbit | 700 ps | ドラム | 2m x 32 | 平行 | 15ns | ||
S25FL064LABBHI023 | 2.7100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-l | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | |||||
70T3399S133BFI | 181.3286 | ![]() | 1939年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 208-LFBGA | 70T3399 | sram- デュアルポート、同期 | 2.4V〜2.6V | 208-CABGA (15x15 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 133 MHz | 揮発性 | 2mbit | 4.2 ns | sram | 128k x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | IS25LP512M-RGLE | - | ![]() | 5105 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | IS25LP512 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 1.6ms | ||||
![]() | IS25CD010-JNLE-TR | - | ![]() | 3222 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IS25CD010 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | IS61WV102416DALL-10TLI-TR | - | ![]() | 9528 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS61WV102416 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | AS4C32M32MD1-5BINTR | - | ![]() | 2565 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C (TJ | 表面マウント | 90-VFBGA | AS4C2M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.9V | 90-FBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 32m x 32 | 平行 | 15ns | |||
![]() | CAT24C08ZGI-T3 | 0.1500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | CAT24C08 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-msop | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-CAT24C08ZGI-T3-488 | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 400 kHz | 不揮発性 | 8kbit | 900 ns | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | BR24G01FVJ-3AGTE2 | - | ![]() | 2560 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | BR24G01 | Eeprom | 1.6V〜5.5V | 8-TSSOP-BJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | S29GL256P10FFIS12 | - | ![]() | 6483 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 400 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | 100ns |
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