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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
AS4C32M32MD1-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M32MD1-5BINTR -
RFQ
 ECAD 2565 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C （TJ 表面マウント 90-VFBGA AS4C2M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.9V 90-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 200 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 32m x 32 平行 15ns
IS62WV51216BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216BLL-55BLI 7.7900
RFQ
 ECAD 6275 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV51216 sram-非同期 2.5V〜3.6V 48-minibga （7.2x8.7 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 312 揮発性 8mbit 55 ns sram 512K x 16 平行 55ns
S26KL128SDABHN030 Nexperia USA Inc. S26KL128SDABHN030 5.7500
RFQ
 ECAD 338 0.00000000 Nexperia USA Inc. - バルク アクティブ - 2156-S26KL128SDABHN030 53
GD5F4GM8UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GM8UEYIGY 5.5550
RFQ
 ECAD 3581 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD5F4GM8UEYIGY 4,800 133 MHz 不揮発性 4gbit 7 ns フラッシュ 1g x 4 spi -quad i/o、dtr 600µs
AS4C4M16S-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16S-7TCN -
RFQ
 ECAD 2344 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C4M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1009 ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 2ns
70V9359L9PF Renesas Electronics America Inc 70V9359L9PF -
RFQ
 ECAD 1778 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 70V9359 sram- デュアルポート、同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 45 揮発性 144kbit 9 ns sram 8k x 18 平行 -
S25FL128SDPMFIG00 Infineon Technologies S25FL128SDPMFIG00 3.3950
RFQ
 ECAD 2290 0.00000000 Infineon Technologies fl-s トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 2,400 66 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
BR93H86RFJ-WCE2 Rohm Semiconductor BR93H86RFJ-WCE2 2.3100
RFQ
 ECAD 3338 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） BR93H86 Eeprom 2.7V〜5.5V 8-SOP-J ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 1.25 MHz 不揮発性 16kbit Eeprom 1k x 16 マイクロワイヤ 5ms
M95010-WDW6TP STMicroelectronics M95010-WDW6TP 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 stmicroelectronics - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） M95010 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 4,000 20 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8 spi 5ms
6116LA45DB Renesas Electronics America Inc 6116la45db -
RFQ
 ECAD 1691 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -55°C〜125°C 穴を通して 24-CDIP （0.600 "、15.24mm） 6116la45 sram-非同期 4.5v〜5.5V 24-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A001A2C 8542.32.0041 15 揮発性 16kbit 45 ns sram 2k x 8 平行 45ns
CAT28C16AW-12T onsemi CAT28C16AW-12T -
RFQ
 ECAD 5135 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 24-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） CAT28C16 Eeprom 4.5v〜5.5V 24-SOIC ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 1,000 不揮発性 16kbit 120 ns Eeprom 2k x 8 平行 5ms
CY14V101QS-SF108XQ Infineon Technologies CY14V101QS-SF108XQ 18.3800
RFQ
 ECAD 460 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） Cy14V101 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 460 108 MHz 不揮発性 1mbit nvsram 128k x 8 spi -
7054L35PRF8 Renesas Electronics America Inc 7054L35PRF8 -
RFQ
 ECAD 8751 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 128-LQFP 7054L35 sram- クアッドポート、非同期 4.5v〜5.5V 128-TQFP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 32kbit 35 ns sram 4k x 8 平行 35ns
R1LP0108ESA-5SI#B1 Renesas Electronics America Inc R1LP0108ESA-5SI ＃B1 4.8900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅） R1LP0108 sram 4.5v〜5.5V 32-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -1161-R1LP0108ESA-5SI ＃B1 ear99 8542.32.0041 234 揮発性 1mbit 55 ns sram 128k x 8 平行 55ns
70V639S12BFI8 Renesas Electronics America Inc 70V639S12BFI8 197.0266
RFQ
 ECAD 6830 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 208-LFBGA 70V639 sram- デュアルポート、非同期 3.15V〜3.45V 208-CABGA （15x15 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 2.25mbit 12 ns sram 128k x 18 平行 12ns
W9864G6JH-6I Winbond Electronics W9864G6JH-6I -
RFQ
 ECAD 1198 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） W9864G6 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない W9864G6JH6I ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 64mbit 5 ns ドラム 4m x 16 平行 -
W25Q16JVUUJM TR Winbond Electronics w25q16jvuujm tr -
RFQ
 ECAD 6157 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON （4x3） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない w25q16jvuujmtr ear99 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
70V17S12PFI8 Renesas Electronics America Inc 70V17S12PFI8 -
RFQ
 ECAD 8956 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 前回購入します - 800-70V17S12PFI8TR 1
S29GL256S10TFV023 Infineon Technologies S29GL256S10TFV023 7.5950
RFQ
 ECAD 1926年年 0.00000000 Infineon Technologies gl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 16m x 16 平行 60ns
M34C02-WMN6T STMicroelectronics M34C02-WMN6T -
RFQ
 ECAD 2266 0.00000000 stmicroelectronics - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M34C02 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 10ms
7008S55PF Renesas Electronics America Inc 7008S55PF -
RFQ
 ECAD 8077 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 7008S55 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 6 揮発性 512kbit 55 ns sram 64k x 8 平行 55ns
IS42S16160D-75ETL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-75ETL -
RFQ
 ECAD 4639 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 133 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 16m x 16 平行 -
709269S15PF Renesas Electronics America Inc 709269S15PF -
RFQ
 ECAD 3992 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 709269S sram- デュアルポート、同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 6 揮発性 256kbit 15 ns sram 16k x 16 平行 -
GD5F1GQ5UEYIHR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f1gq5ueyihr 2.3508
RFQ
 ECAD 9700 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） - 1970-GD5F1GQ5UEYIHRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 1gbit 7 ns フラッシュ 256m x 4 spi -quad i/o、dtr 600µs
EDFM432A1PH-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFM432A1PH-GD-FD -
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C（TA） 表面マウント - EDFM432 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V 168-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,680 800 MHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 平行 -
S25FL256SAGBHI300 Infineon Technologies S25FL256SAGBHI300 6.0400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies fl-s トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 338 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
IDT71V3556S150PF Renesas Electronics America Inc IDT71V3556S150PF -
RFQ
 ECAD 5593 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp IDT71V3556 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V3556S150PF 3A991B2A 8542.32.0041 72 150 MHz 揮発性 4.5mbit 3.8 ns sram 128k x 36 平行 -
IDT71V632S8PFG8 Renesas Electronics America Inc IDT71V632S8PFG8 -
RFQ
 ECAD 6263 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp IDT71v632 sram- sdr 3.135V〜3.63V 100-TQFP（14x14 - 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V632S8PFG8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 2mbit 8 ns sram 64k x 32 平行 -
CY14B108L-ZS25XI Infineon Technologies Cy14B108L-ZS25XI 80.3425
RFQ
 ECAD 2425 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy14B108 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -cy14b108l-zs25xi 3A991B2A 8542.32.0041 1,350 不揮発性 8mbit 25 ns nvsram 1m x 8 平行 25ns
25LC160D-H/SN Microchip Technology 25LC160D-H/SN 0.8700
RFQ
 ECAD 7726 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜150°C（ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 25LC160 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A001A2A 8542.32.0051 100 5 MHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8 spi 6ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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