画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT46H256M32L4JV-5それ:a | - | ![]() | 5199 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 168-VFBGA | MT46H256M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 8gbit | 5 ns | ドラム | 256m x 32 | 平行 | 15ns | ||
![]() | C-2933D4SR8RN/16G-TAA | 200.0000 | ![]() | 4723 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-C-2933D4SR8RN/16G-TAA | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
MT46V64M8CV-5B:J TR | - | ![]() | 3014 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-VFBGA | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | M87C257-90C1TR | - | ![]() | 6029 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-lcc | M87C257 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0061 | 750 | 不揮発性 | 256kbit | 90 ns | eprom | 32k x 8 | 平行 | - | |||
![]() | 24AA08H-I/W16K | - | ![]() | 6267 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 死ぬ | 24AA08 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 8kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 x 4 | i²c | 5ms | ||
![]() | IS66WVE2M16EALL-70BLI | 5.6100 | ![]() | 24 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS66WVE2M16 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 32mbit | 70 ns | psram | 2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | mtfc64gajaedn-it tr | - | ![]() | 4000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 169-lfbga | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | 169-lfbga | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | IS46TR16640BL-125JBLA2-TR | - | ![]() | 7854 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | CG8262AAT | - | ![]() | 8998 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | |||||||||||||||||
![]() | MT29F256G08CMAAAC5:a | - | ![]() | 1251 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-VLGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 52-VLGA(18x14) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
W632GG6MB-12 | - | ![]() | 1722 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-VFBGA | W632GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 198 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | |||
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR | - | ![]() | 5203 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | EMBA232B2PB-DV-FD | - | ![]() | 9872 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,680 | |||||||||||||||||
24LC256T-E/ST | 1.2800 | ![]() | 5317 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 24LC256 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 不揮発性 | 256kbit | 900 ns | Eeprom | 32k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR | 2.8500 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn | MT29F2G01 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 8-updfn | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 2g x 1 | spi | - | ||||
![]() | mtfc128gajaedn-it | - | ![]() | 7523 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 169-lfbga | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | - | 169-lfbga | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | N25Q064A13ESF40F | 2.1600 | ![]() | 752 | 0.00000000 | Alliance Memory | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 5 ns | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 5ms | ||
S25FS128SAGBHV200 | 3.6925 | ![]() | 6590 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FS-S | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | S25FS128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,380 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||
![]() | 7026L55JI | - | ![]() | 4131 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-LCC | 7026L55 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 15 | 揮発性 | 256kbit | 55 ns | sram | 16k x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:a | - | ![]() | 1215 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | - | MT29F256G08 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 132-TBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
MT41K64M16TW-107 AIT:J | 4.0764 | ![]() | 2169 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K64M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,224 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | IS61C5128AS-25HLI | 3.6544 | ![]() | 2445 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | IS61C5128 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32 stsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 234 | 揮発性 | 4mbit | 25 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | IS62WV2568FBLL-45HLI-TR | 1.5491 | ![]() | 8434 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS62WV2568FBLL-45HLI-TR | 2,000 | 揮発性 | 2mbit | 45 ns | sram | 256k x 8 | 平行 | 45ns | ||||||
![]() | AT28C64X-25JC | - | ![]() | 4258 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 32-lcc | AT28C64 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | AT28C64X25JC | ear99 | 8542.32.0051 | 32 | 不揮発性 | 64kbit | 250 ns | Eeprom | 8k x 8 | 平行 | 1ms | ||
![]() | 5962-8764814QYA | 32.6700 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 32-CLCC 、ウィンドウ | 5962-8764814 | EPROM -UV | 4.5v〜5.5V | 32-CLCC(13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0061 | 1 | 不揮発性 | 512kbit | 250 ns | eprom | 64k x 8 | 平行 | - | |||
![]() | S25FL512SAGMFVG11 | 10.3000 | ![]() | 199 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 235 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
![]() | mt46v64m8bn-6:d | - | ![]() | 9138 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA (10x12.5 | - | ROHS3準拠 | 5 (48 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | Cy7C1021CV33-10Baxi | - | ![]() | 2183 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | Cy7C1021 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 48-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 416 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 10ns | |||
![]() | S25FL064LABNFV013 | 3.3300 | ![]() | 2638 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-l | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | S25FL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | |||
![]() | AT29C040A-12JU | - | ![]() | 8865 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-lcc | AT29C040 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 不揮発性 | 4mbit | 120 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 10ms |
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