SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT46H256M32L4JV-5 IT:A Micron Technology Inc. MT46H256M32L4JV-5それ:a -
RFQ
ECAD 5199 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 168-VFBGA MT46H256M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-VFBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 8gbit 5 ns ドラム 256m x 32 平行 15ns
C-2933D4SR8RN/16G-TAA ProLabs C-2933D4SR8RN/16G-TAA 200.0000
RFQ
ECAD 4723 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-C-2933D4SR8RN/16G-TAA ear99 8473.30.5100 1
MT46V64M8CV-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8CV-5B:J TR -
RFQ
ECAD 3014 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-VFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA (8x12.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
M87C257-90C1TR STMicroelectronics M87C257-90C1TR -
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ECAD 6029 0.00000000 stmicroelectronics - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 32-lcc M87C257 eprom -otp 4.5v〜5.5V 32-PLCC - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0061 750 不揮発性 256kbit 90 ns eprom 32k x 8 平行 -
24AA08H-I/W16K Microchip Technology 24AA08H-I/W16K -
RFQ
ECAD 6267 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 死ぬ 24AA08 Eeprom 1.7V〜5.5V 死ぬ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 400 kHz 不揮発性 8kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 x 4 i²c 5ms
IS66WVE2M16EALL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16EALL-70BLI 5.6100
RFQ
ECAD 24 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS66WVE2M16 psram(pseudo sram 1.7V〜1.95V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 32mbit 70 ns psram 2m x 16 平行 70ns
MTFC64GAJAEDN-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc64gajaedn-it tr -
RFQ
ECAD 4000 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 169-lfbga mtfc64 フラッシュ -ナンド - 169-lfbga - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
IS46TR16640BL-125JBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125JBLA2-TR -
RFQ
ECAD 7854 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
CG8262AAT Infineon Technologies CG8262AAT -
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ECAD 8998 0.00000000 Infineon Technologies - テープ&リール( tr) 廃止 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 750
MT29F256G08CMAAAC5:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CMAAAC5:a -
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ECAD 1251 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 52-VLGA MT29F256G08 フラッシュ-nand (mlc) 2.7V〜3.6V 52-VLGA(18x14) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
W632GG6MB-12 Winbond Electronics W632GG6MB-12 -
RFQ
ECAD 1722 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-VFBGA W632GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR -
RFQ
ECAD 5203 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
EMBA232B2PB-DV-F-D Micron Technology Inc. EMBA232B2PB-DV-FD -
RFQ
ECAD 9872 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,680
24LC256T-E/ST Microchip Technology 24LC256T-E/ST 1.2800
RFQ
ECAD 5317 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) 24LC256 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 不揮発性 256kbit 900 ns Eeprom 32k x 8 i²c 5ms
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR 2.8500
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-udfn MT29F2G01 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 8-updfn - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 2g x 1 spi -
MTFC128GAJAEDN-AIT Micron Technology Inc. mtfc128gajaedn-it -
RFQ
ECAD 7523 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 169-lfbga MTFC128 フラッシュ -ナンド - 169-lfbga - 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
N25Q064A13ESF40F Alliance Memory, Inc. N25Q064A13ESF40F 2.1600
RFQ
ECAD 752 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 64mbit 5 ns フラッシュ 16m x 4 spi 5ms
S25FS128SAGBHV200 Infineon Technologies S25FS128SAGBHV200 3.6925
RFQ
ECAD 6590 0.00000000 Infineon Technologies FS-S トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-tbga S25FS128 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-bga (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,380 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi -
7026L55JI Renesas Electronics America Inc 7026L55JI -
RFQ
ECAD 4131 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 84-LCC 7026L55 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 84-PLCC (29.31x29.31 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0041 15 揮発性 256kbit 55 ns sram 16k x 16 平行 55ns
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:a -
RFQ
ECAD 1215 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント - MT29F256G08 フラッシュ-nand (mlc) 2.7V〜3.6V 132-TBGA(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT41K64M16TW-107 AIT:J Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107 AIT:J 4.0764
RFQ
ECAD 2169 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA MT41K64M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (8x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,224 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
IS61C5128AS-25HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C5128AS-25HLI 3.6544
RFQ
ECAD 2445 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 32-TFSOP (0.465 "、11.80mm 幅) IS61C5128 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32 stsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 234 揮発性 4mbit 25 ns sram 512k x 8 平行 25ns
IS62WV2568FBLL-45HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568FBLL-45HLI-TR 1.5491
RFQ
ECAD 8434 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 32-TFSOP (0.465 "、11.80mm 幅) sram-非同期 2.2V〜3.6V 32-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS62WV2568FBLL-45HLI-TR 2,000 揮発性 2mbit 45 ns sram 256k x 8 平行 45ns
AT28C64X-25JC Microchip Technology AT28C64X-25JC -
RFQ
ECAD 4258 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 0°C〜70°C 表面マウント 32-lcc AT28C64 Eeprom 4.5v〜5.5V 32-PLCC( 13.97x11.43 ダウンロード ROHS非準拠 2(1 年) 影響を受けていない AT28C64X25JC ear99 8542.32.0051 32 不揮発性 64kbit 250 ns Eeprom 8k x 8 平行 1ms
5962-8764814QYA Cypress Semiconductor Corp 5962-8764814QYA 32.6700
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 32-CLCC 、ウィンドウ 5962-8764814 EPROM -UV 4.5v〜5.5V 32-CLCC(13.97x11.43 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けた ear99 8542.32.0061 1 不揮発性 512kbit 250 ns eprom 64k x 8 平行 -
S25FL512SAGMFVG11 Infineon Technologies S25FL512SAGMFVG11 10.3000
RFQ
ECAD 199 0.00000000 Infineon Technologies fl-s チューブ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) S25FL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 235 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
MT46V64M8BN-6:D Micron Technology Inc. mt46v64m8bn-6:d -
RFQ
ECAD 9138 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA (10x12.5 - ROHS3準拠 5 (48 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
CY7C1021CV33-10BAXI Infineon Technologies Cy7C1021CV33-10Baxi -
RFQ
ECAD 2183 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA Cy7C1021 sram-非同期 3V〜3.6V 48-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 416 揮発性 1mbit 10 ns sram 64k x 16 平行 10ns
S25FL064LABNFV013 Infineon Technologies S25FL064LABNFV013 3.3300
RFQ
ECAD 2638 0.00000000 Infineon Technologies fl-l テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-wfdfn露出パッド S25FL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi -
AT29C040A-12JU Microchip Technology AT29C040A-12JU -
RFQ
ECAD 8865 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 32-lcc AT29C040 フラッシュ 4.5v〜5.5V 32-PLCC( 13.97x11.43 ダウンロード ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 32 不揮発性 4mbit 120 ns フラッシュ 512k x 8 平行 10ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫