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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
IS61LF102418A-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418A-7.5B3I -
RFQ
 ECAD 8032 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61LF102418 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 MHz 揮発性 18mbit 7.5 ns sram 1m x 18 平行 - 確認されていません
24FC02T-I/ST Microchip Technology 24FC02T-I/ST 0.3000
RFQ
 ECAD 3183 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 24FC02 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 不揮発性 2kbit 450 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
IS49NLS96400-33B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400-33B -
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 ECAD 5483 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 144-TFBGA IS49NLS96400 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 104 300 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 64m x 9 平行 -
QS7026A-55J Quality Semiconductor QS7026A-55J 30.9200
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 ECAD 114 0.00000000 高品質の半導体 QS7026A バルク 廃止 0°C〜70°C 表面マウント - QS7026A sram 5V - ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.32.0041 1 18 MHz 揮発性 256kbit 55 ns sram 16k x 16 55ns
MTFC32GJUEF-AIT Micron Technology Inc. mtfc32gjuef-ait -
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 ECAD 9351 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-TFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 169-TFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
W971GG8JB-25 Winbond Electronics W971GG8JB-25 -
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 ECAD 5200 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - チューブ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA W971GG8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-WBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない Q7152144 ear99 8542.32.0032 209 200 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT29F4G16ABAEAH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F4G16ABAEAH4-IT：e -
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 ECAD 2176 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
AT24C16D-SSHM-B Microchip Technology AT24C16D-SSHM-B 0.3200
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 ECAD 5967 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT24C16D Eeprom 1.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 1 MHz 不揮発性 16kbit 450 ns Eeprom 2k x 8 i²c 5ms
CG8233AAT Infineon Technologies CG8233AAT -
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 ECAD 4330 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1
MX30UF2G18AC-XKI Macronix MX30UF2G18AC-XKI 5.4100
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 ECAD 261 0.00000000 マクロニックス mx30uf トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MX30UF2 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1092-1168 3A991B1A 8542.32.0071 220 不揮発性 2Gbit 25 ns フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
MT53D4DARN-DC TR Micron Technology Inc. mt53d4darn-dc tr -
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 ECAD 2311 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました mt53d4 - 影響を受けていない 0000.00.0000 2,000
DS1220AB-120+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1220AB-120+ 13.8700
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 ECAD 92 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 24-dipモジュール（0.600 "、15.24mm） DS1220A nvsram （不揮発性 sram） 4.75v〜5.25V 24-EDIP ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8542.32.0041 14 不揮発性 16kbit 120 ns nvsram 2k x 8 平行 120ns
CY7C1460AV25-167AXCT Infineon Technologies Cy7C1460AV25-167AXCT -
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 ECAD 3799 0.00000000 Infineon Technologies NOBL™ テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1460 sram- sdr 2.375V〜2.625V 100-TQFP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 750 167 MHz 揮発性 36mbit 3.4 ns sram 1m x 36 平行 -
GD25LQ32EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32 EQUGR 0.9828
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 ECAD 3861 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-XDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-USON （4x4） ダウンロード 1970-GD25LQ32EQEGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 100µs 、4ms
MT53E128M32D2DS-046 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-046 AIT：A TR -
RFQ
 ECAD 8654 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT53E128M32D2DS-046AIT：ATR ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PU-107 WT ES：b -
RFQ
 ECAD 5864 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 1,008 933 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT29F128G08EBEBBB95A3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F128G08EBEBB95A3WC1-M -
RFQ
 ECAD 4090 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
CY7C1399BN-12ZXC Infineon Technologies Cy7C1399BN-12ZXC -
RFQ
 ECAD 3343 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） Cy7C1399 sram-非同期 3V〜3.6V 28-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 702 揮発性 256kbit 12 ns sram 32k x 8 平行 12ns
MX25R3235FM1IL0 Macronix MX25R3235FM1il0 1.0900
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 ECAD 4 0.00000000 マクロニックス MXSMIO™ チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） MX25R3235 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 98 80 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 100μs10ms
W25Q01NWTBIQ TR Winbond Electronics w25q01nwtbiq tr 10.4100
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 ECAD 1951年年 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q01 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q01NWTBIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 1gbit 7 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o、qpi 3ms
CY7C1380S-167AXCT Infineon Technologies Cy7C1380S-167AXCT -
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 ECAD 9673 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1380 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x14 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 750 167 MHz 揮発性 18mbit 3.4 ns sram 512K x 36 平行 -
AS4C128M8D3LB-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3LB-12BANTR 6.7500
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 ECAD 5211 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
M24C16-FMC5TG STMicroelectronics M24C16-FMC5TG 0.4295
RFQ
 ECAD 3979 0.00000000 stmicroelectronics - テープ＆リール（ tr） アクティブ -20°C〜85°C（Ta） 表面マウント 8-ufdfn露出パッド M24C16 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-ufdfpn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 400 kHz 不揮発性 16kbit 900 ns Eeprom 2k x 8 i²c 5ms
IS25LP512M-RGLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512M-RGLE -
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga IS25LP512 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 1.6ms
FM24VN10-G Cypress Semiconductor Corp FM24VN10-G -
RFQ
 ECAD 3439 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp f-ram™ チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FM24VN10 フラム（強誘電性ラム） 2V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 未定義のベンダー 2832-FM24VN10-G 1 3.4 MHz 不揮発性 1mbit 130 ns フラム 128k x 8 i²c - 確認されていません
DS1230ABP-70+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230ABP-70+ 26.5228
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 ECAD 8885 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 34-POWERCAP™モジュール DS1230AB nvsram （不揮発性 sram） 4.75v〜5.25V 34-POWERCAPモジュール ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない -4941-DS1230ABP-70+ ear99 8542.32.0041 40 不揮発性 256kbit 70 ns nvsram 32k x 8 平行 70ns
S29WS128N0PBAW013 Infineon Technologies S29WS128N0PBAW013 -
RFQ
 ECAD 7817 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1
CY7C1328A-133AI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1328A-133AI 3.9100
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 ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp Cy7C1328 sram- sdr 3.15V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 4.5mbit 4 ns sram 256k x 18 平行 -
NAND256W3A0BZA6E Micron Technology Inc. NAND256W3A0BZA6E -
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 ECAD 8126 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 55-TFBGA NAND256 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 55-VFBGA （8x10） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,518 不揮発性 256mbit 50 ns フラッシュ 32m x 8 平行 50ns
CY14B256K-SP45XC Infineon Technologies CY14B256K-SP45XC -
RFQ
 ECAD 7400 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-BSSOP （0.295 "、幅7.50mm） CY14B256 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.45V 48スソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 30 不揮発性 256kbit 45 ns nvsram 32k x 8 平行 45ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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