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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
CY7C1041GE-10ZSXIT Infineon Technologies Cy7C1041GE-10ZSXIT 6.5450
RFQ
 ECAD 3850 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy7C1041 sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D Micron Technology Inc. MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D -
RFQ
 ECAD 6059 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ mt29vzzzbd8 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,520
S34MS02G104BHI010 Cypress Semiconductor Corp S34MS02G104BHI010 -
RFQ
 ECAD 8165 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-1 トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA S34MS02 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-BGA （11x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 210 不揮発性 2Gbit 45 ns フラッシュ 128m x 16 平行 45ns
FT24C04A-ESR-T Fremont Micro Devices Ltd FT24C04A-ESR-T -
RFQ
 ECAD 9419 0.00000000 Fremont Micro Devices Ltd - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FT24C04 Eeprom 1.8V〜5.5V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 不揮発性 4kbit 550 ns Eeprom 512 x 8 i²c 5ms
AT49F001N-70PI Microchip Technology at49f001n-70pi -
RFQ
 ECAD 4428 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 穴を通して 32-dip（0.600 "、15.24mm） AT49F001 フラッシュ 4.5v〜5.5V 32-PDIP ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない at49f001n70pi ear99 8542.32.0071 12 不揮発性 1mbit 70 ns フラッシュ 128k x 8 平行 50µs
MT29F8G08ABACAH4:C Micron Technology Inc. MT29F8G08ABACAH4：c -
RFQ
 ECAD 4226 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
AT24C11N-10SI-1.8 Microchip Technology AT24C11N-10SI-1.8 -
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT24C11 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 1 MHz 不揮発性 1kbit 550 ns Eeprom 128 x 8 i²c 5ms
W29GL064CB7A Winbond Electronics W29GL064CB7A -
RFQ
 ECAD 8426 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA W29GL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
CY7C09269V-7AXCKJ Cypress Semiconductor Corp CY7C09269V-7AXCKJ 26.0000
RFQ
 ECAD 252 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C09269 sram- デュアルポート、同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0041 1 83 MHz 揮発性 256kbit 7.5 ns sram 16k x 16 平行 -
S29GL512T11DHB020 Infineon Technologies S29GL512T11DHB020 13.1600
RFQ
 ECAD 6496 0.00000000 Infineon Technologies gl-t トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga S29GL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 520 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 64m x 8 平行 60ns
AS6C62256A-70SINTR Alliance Memory, Inc. AS6C62256A-70SINTR -
RFQ
 ECAD 1206 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-SOIC （0.330 "、幅8.38mm） AS6C62256 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 256kbit 70 ns sram 32k x 8 平行 70ns
23LCV1024-E/SN Microchip Technology 23LCV1024-E/SN -
RFQ
 ECAD 5738 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 23LCV1024 sram-同期 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 100 20 MHz 揮発性 1mbit sram 128k x 8 spi-デュアルi/o -
MT46V16M16TG-6T IT:F TR Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-6T IT：F Tr -
RFQ
 ECAD 5940 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
IDT71124S20YI Renesas Electronics America Inc IDT71124S20YI -
RFQ
 ECAD 4457 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-BSOJ （0.400 "、10.16mm 幅） IDT71124 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71124S20YI 3A991B2B 8542.32.0041 23 揮発性 1mbit 20 ns sram 128k x 8 平行 20ns
CAT25C128X Catalyst Semiconductor Inc. CAT25C128X -
RFQ
 ECAD 3139 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） CAT25C128 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 5 MHz 不揮発性 128kbit Eeprom 16k x 8 spi 5ms
71V67703S80BGGI8 Renesas Electronics America Inc 71V67703S80BGGI8 31.5964
RFQ
 ECAD 5031 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 119-BGA 71v67703 sram- sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 100 MHz 揮発性 9mbit 8 ns sram 256k x 36 平行 -
W29N02KVSIAF Winbond Electronics W29N02KVSIAF 4.6243
RFQ
 ECAD 2852 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） W29N02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W29N02KVSIAF 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 2Gbit 25 ns フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
7134LA70J8/LT Renesas Electronics America Inc 7134la70j8/lt -
RFQ
 ECAD 7065 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc 7134la sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0041 400 揮発性 32kbit 70 ns sram 4k x 8 平行 70ns
X28C010D-15 Intersil X28C010D-15 118.5800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 インターシル - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 32-CDIP （0.600 "、15.24mm） X28C010 Eeprom 4.5v〜5.5V 32-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8542.32.0051 11 不揮発性 1mbit 150 ns Eeprom 128k x 8 平行 10ms
CAT28C256G-12 Catalyst Semiconductor Inc. CAT28C256G-12 -
RFQ
 ECAD 3540 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-lcc CAT28C256 Eeprom 4.5v〜5.5V 32-PLCC（ 13.97x11.43 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 不揮発性 256kbit 120 ns Eeprom 32k x 8 平行 5ms
7164S20DB IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S20db 33.6800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 28-CDIP （0.600 "、15.24mm） 7164S sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-CDIP ダウンロード 3A001A2C 8542.32.0041 1 揮発性 64kbit 20 ns sram 8k x 8 平行 20ns
MT42L32M16D1U67MWC1 Micron Technology Inc. MT42L32M16D1U67MWC1 -
RFQ
 ECAD 8669 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（TC） MT42L32M16 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1 揮発性 512mbit ドラム 32m x 16 平行
S25FL512SDSMFBG10 Infineon Technologies S25FL512SDSMFBG10 10.5875
RFQ
 ECAD 9448 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,400 80 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
P1N54AT-C ProLabs P1N54AT-C 72.0000
RFQ
 ECAD 4034 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-P1N54AT-C ear99 8473.30.5100 1
S70GL02GT11FHB020 Infineon Technologies S70GL02GT11FHB020 36.1375
RFQ
 ECAD 5165 0.00000000 Infineon Technologies gl-t トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga S70GL02 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 180 不揮発性 2Gbit 110 ns フラッシュ 256m x 8、128m x 16 平行 -
25CS640T-I/MS Microchip Technology 25CS640T-I/MS -
RFQ
 ECAD 9879 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ 25CS640 - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-25CS640T-I/MSTR 2,500
MT62F1536M32D4DS-026 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-026 AAT：B TR 47.8950
RFQ
 ECAD 6055 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT62F1536M32D4DS-026AAT：BTR 2,000
S25FL256LAGNFM010 Infineon Technologies S25FL256LAGNFM010 8.8300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Infineon Technologies 自動車、AEC-Q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 338 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi -
MT62F2G64D8CL-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F2G64D8CL-023 WT：b 74.4900
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C - - SDRAM -DDR5 1.05V - - 557-MT62F2G64D8CL-023WT：b 1 4.266 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 2g x 64 平行 -
MEM3800-256U1024D-C ProLabs MEM3800-256U1024D-C 37.5000
RFQ
 ECAD 5151 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-MEM3800-256U1024D-C ear99 8473.30.9100 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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