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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
CY7C1041GE30-10BVXI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1041GE30-10BVXI -
RFQ
 ECAD 3472 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy7C1041 sram-非同期 3V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 50 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns 確認されていません
S29GL01GT12DHN023 Infineon Technologies S29GL01GT12DHN023 16.8525
RFQ
 ECAD 8351 0.00000000 Infineon Technologies gl-t テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,200 不揮発性 1gbit 120 ns フラッシュ 128m x 8 平行 60ns
MT60B2G8HS-48B AAT:A Micron Technology Inc. MT60B2G8HS-48B AAT：a 31.3050
RFQ
 ECAD 3478 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C - - SDRAM -DDR5 - - - 557-MT60B2G8HS-48BAAT：a 1 2.4 GHz 揮発性 16gbit ドラム 2g x 8 平行 -
AT49BV1614A-12CC Microchip Technology AT49BV1614A-12CC -
RFQ
 ECAD 2127 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 0°C〜70°C 表面マウント 48-TFBGA 、CSPBGA AT49BV1614 フラッシュ 2.65V〜3.3V 48-cbga （8x10） - ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 378 不揮発性 16mbit 120 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 50µs
BR24G16FVM-3GTTR Rohm Semiconductor BR24G16FVM-3GTTR 0.3200
RFQ
 ECAD 9052 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vssop、8-msop （0.110 "、2.80mm 幅） BR24G16 Eeprom 1.6V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8 i²c 5ms
25AA010A/WF16K Microchip Technology 25AA010A/WF16K -
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 ECAD 5044 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ 25AA010 Eeprom 1.8V〜5.5V 死ぬ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 10 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8 spi 5ms
MT29F512G08EBLCEJ4-R:C TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLCEJ4-R：C Tr -
RFQ
 ECAD 4651 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.6V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F512G08EBLCEJ4-R：CTR 廃止 8542.32.0071 2,000 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
AK6417AL Asahi Kasei Microdevices/AKM AK6417AL -
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 ECAD 3449 0.00000000 Asahi Kasei Microdevices/akm - トレイ 廃止 - - - - - - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1 - - - - -
CY7C251-65DMB Cypress Semiconductor Corp Cy7C251-65dmb 76.0000
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -55°C〜125°C Cy7C251 EPROM -UV 4.5v〜5.5V ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A001A2C 8542.32.0071 1 不揮発性 128kbit 65 ns eprom 16k x 8 平行 -
MF621G/A-C ProLabs MF621G/AC 68.7500
RFQ
 ECAD 7158 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-MF621G/AC ear99 8473.30.5100 1
CY7C1009D-10VXIT Infineon Technologies CY7C1009D-10VXIT 4.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） Cy7C1009 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 10 ns sram 128k x 8 平行 10ns
MT45W4MW16BFB-708 L WT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16BFB-708 L WT TR -
RFQ
 ECAD 7287 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 54-VFBGA MT45W4MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （6x9） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 64mbit 70 ns psram 4m x 16 平行 70ns
7035L15PFG Renesas Electronics America Inc 7035L15PFG 55.1935
RFQ
 ECAD 2259 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 7035L15 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 3 揮発性 144kbit 15 ns sram 8k x 18 平行 15ns
EMFA232A2PF-DV-F-R TR Micron Technology Inc. EMFA232A2PF-DV-FR TR -
RFQ
 ECAD 3946 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ EMFA232 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,000
7006L25PF8 Renesas Electronics America Inc 7006L25PF8 -
RFQ
 ECAD 8645 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 64-LQFP 7006L25 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 64-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 750 揮発性 128kbit 25 ns sram 16k x 8 平行 25ns
IS43LQ16128A-062BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16128A-062BLI-TR -
RFQ
 ECAD 7431 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-VFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-VFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43LQ16128A-062BLI-TR 2,500 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL 18ns
RM25C128C-LSNI-B Adesto Technologies RM25C128C-LSNI-B -
RFQ
 ECAD 9473 0.00000000 Adesto Technologies Mavriq™ チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） RM25C128 CBRAM 1.65v〜3.6V 8-SOIC - ROHS3準拠 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 98 10 MHz 不揮発性 128kbit CBRAM® 64バイトページサイズ spi 100μs5ms
JS28F128P30T85A Micron Technology Inc. JS28F128P30T85A -
RFQ
 ECAD 6908 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F128P30 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
CAT24C02ZE-GT3A onsemi CAT24C02ZE-GT3A 0.2400
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 onsemi - バルク アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅） CAT24C02 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
70V9279L7PRFGI Renesas Electronics America Inc 70V9279L7PRFGI 106.0450
RFQ
 ECAD 8132 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 128-LQFP 70V9279 sram- デュアルポート、同期 3V〜3.6V 128-TQFP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 6 揮発性 512kbit 7.5 ns sram 32k x 16 平行 -
EM6HC16EWXC-12H Etron Technology, Inc. EM6HC16EWXC-12H 3.6828
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ETRON TECHNOLOGY 、INC。 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA EM6HC16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
25AA160B-I/SN Microchip Technology 25AA160B-I/SN 0.7500
RFQ
 ECAD 8885 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 25AA160 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 10 MHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8 spi 5ms
71V124SA10TY IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA10TY -
RFQ
 ECAD 4684 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） 71V124 sram-非同期 3.15V〜3.6V 32-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 1mbit 10 ns sram 128k x 8 平行 10ns
IDT71V3556S133PFI8 Renesas Electronics America Inc IDT71V3556S133PFI8 -
RFQ
 ECAD 8161 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IDT71V3556 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V3556S133PFI8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 133 MHz 揮発性 4.5mbit 4.2 ns sram 128k x 36 平行 -
IS29GL256-70SLEB ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70SLEB 7.9800
RFQ
 ECAD 751 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） IS29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS29GL256-70SLEB 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 32m x 8 平行 200µs
25AA320AT-I/SN Microchip Technology 25AA320AT-I/SN 0.8000
RFQ
 ECAD 1926年年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 25AA320 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 10 MHz 不揮発性 32kbit Eeprom 4k x 8 spi 5ms
7006L15PFG8 Renesas Electronics America Inc 7006L15PFG8 -
RFQ
 ECAD 9027 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 64-LQFP 7006L15 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 64-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 750 揮発性 128kbit 15 ns sram 16k x 8 平行 15ns
MT29F4G16ABADAWP-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABADAWP-IT：D TR -
RFQ
 ECAD 5344 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 WT ES：D -
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
AT49F001NT-90VC Microchip Technology AT49F001NT-90VC -
RFQ
 ECAD 1018 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 0°C〜70°C 表面マウント 32-TFSOP （0.488 "、幅 12.40mm） AT49F001 フラッシュ 4.5v〜5.5V 32-VSOP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない AT49F001NT90VC ear99 8542.32.0071 208 不揮発性 1mbit 90 ns フラッシュ 128k x 8 平行 50µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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