画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS46TR16512B-125KBLA1 | 21.9519 | ![]() | 1732 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46TR16512B-125KBLA1 | 136 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | MT29F16G08CBECBL72A3WC1P | - | ![]() | 7681 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 死ぬ | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | w25q80dlsnig tr | - | ![]() | 8964 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q80 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80DLSNIGTR | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 80 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 30µs、3ms | |
![]() | 7027S55PF8 | - | ![]() | 1980年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 7027S55 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 512kbit | 55 ns | sram | 32k x 16 | 平行 | 55ns | |||
![]() | STK17TA8-RF25 | - | ![]() | 1680 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-BSSOP (0.295 "、幅7.50mm) | STK17TA8 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 48スソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 60 | 不揮発性 | 1mbit | 25 ns | nvsram | 128k x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | S29CD016J0PQFM113 | - | ![]() | 5219 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CD-J | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 80-BQFP | S29CD016 | フラッシュ - | 1.65V〜2.75V | 80-PQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 66 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 54 ns | フラッシュ | 512K x 32 | 平行 | 60ns | ||
![]() | ASA5505-MEM-512-C | 62.5000 | ![]() | 6225 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-ASA5505-MEM-512-C | ear99 | 8473.30.9100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | M29W160FT70N3F TR | - | ![]() | 5260 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | カットテープ(CT) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29W160 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | AT45DB161E-MHD-T | 1.8601 | ![]() | 6883 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | AT45DB161 | フラッシュ | 2.5V〜3.6V | 8-udfn (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 6,000 | 85 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 528バイトx 4096ページ | spi | 8µs 、4ms | |||
![]() | 24CW1280T-I/CS0668 | 0.7500 | ![]() | 3568 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 24cw | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 4-XFBGA 、CSPBGA | 24CW1280 | Eeprom | 1.6V〜5.5V | 4-CSP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 128kbit | 450 ns | Eeprom | 16k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | W631GU6NB09J | - | ![]() | 6371 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU6NB09J | ear99 | 8542.32.0032 | 198 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | 1xd88aa-c | 3.0000 | ![]() | 5315 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-1xD88AA-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | JS28F256P30T2E | - | ![]() | 6618 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | JS28F256P30 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 56-tsop | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 576 | 40 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 110 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 110ns | ||
![]() | CG6720am | - | ![]() | 4408 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IDT71V3579S75PFI8 | - | ![]() | 2732 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71V3579 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V3579S75PFI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4.5mbit | 7.5 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | ||
![]() | 70V05L25J | - | ![]() | 7209 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | 70V05L | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 68-PLCC(24.21x24.21 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 18 | 揮発性 | 64kbit | 25 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | S25FL256SDSMFV010 | 6.5900 | ![]() | 8031 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 80 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
![]() | cy15e064j-sxat | 4.1825 | ![]() | 2104 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive、AEC-Q100 f-Ram™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | Cy15E064 | フラム(強誘電性ラム) | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 64kbit | フラム | 8k x 8 | i²c | - | |||
![]() | STK14C88-3NF45TR | - | ![]() | 2357 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | STK14C88 | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 32-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 不揮発性 | 256kbit | 45 ns | nvsram | 32k x 8 | 平行 | 45ns | |||
![]() | w25q128jvesm | - | ![]() | 8206 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JVESM | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | S29GL256P10FFI010 | 11.1800 | ![]() | 6874 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | 100ns | |||
![]() | S25FL064LABMFV013 | 3.3300 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-l | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | S25FL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,100 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | |||
![]() | MT58L32L32FT-10 | 6.4500 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | MT58L32L32 | sram-同期 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP(14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 32K x 32 | 平行 | - | ||
![]() | MT52L256M64D2QB-125 XT ES:b | - | ![]() | 9984 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | - | - | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||
![]() | 71V67703S80PFG | 19.8800 | ![]() | 95 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 71v67703 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 9mbit | 8 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||||
![]() | SST25VF040B-50-4C-QAF-T | 1.5100 | ![]() | 4666 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST25 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | SST25VF040 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 50 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 10µs | |||
![]() | M30082040108X0Iway | 20.3740 | ![]() | 2257 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | M30082040108 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 2.7V〜3.6V | 8-dfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 800-M30082040108X0IWAY | ear99 | 8542.32.0071 | 225 | 108 MHz | 不揮発性 | 8mbit | ラム | 2m x 4 | - | - | |||
cat24c16yi-gt3jn | - | ![]() | 5747 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | CAT24C16 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 16kbit | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | FM18W08-SGTR | 13.9200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | FM18W08 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜5.5V | 28-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256kbit | フラム | 32k x 8 | 平行 | 130ns | ||||
![]() | S29GL512T10FHI020 | 10.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 不揮発性 | 512mbit | 100 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 60ns |
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