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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS46TR16512B-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512B-125KBLA1 21.9519
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ECAD 1732 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (10x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS46TR16512B-125KBLA1 136 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
MT29F16G08CBECBL72A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F16G08CBECBL72A3WC1P -
RFQ
ECAD 7681 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 死ぬ MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
W25Q80DLSNIG TR Winbond Electronics w25q80dlsnig tr -
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ECAD 8964 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25Q80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q80DLSNIGTR ear99 8542.32.0071 2,500 80 MHz 不揮発性 8mbit 6 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 30µs、3ms
7027S55PF8 Renesas Electronics America Inc 7027S55PF8 -
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ECAD 1980年 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp 7027S55 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP(14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 750 揮発性 512kbit 55 ns sram 32k x 16 平行 55ns
STK17TA8-RF25 Infineon Technologies STK17TA8-RF25 -
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ECAD 1680 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 48-BSSOP (0.295 "、幅7.50mm) STK17TA8 nvsram (不揮発性 sram) 2.7V〜3.6V 48スソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 60 不揮発性 1mbit 25 ns nvsram 128k x 8 平行 25ns
S29CD016J0PQFM113 Infineon Technologies S29CD016J0PQFM113 -
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ECAD 5219 0.00000000 Infineon Technologies CD-J テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 80-BQFP S29CD016 フラッシュ - 1.65V〜2.75V 80-PQFP ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 66 MHz 不揮発性 16mbit 54 ns フラッシュ 512K x 32 平行 60ns
ASA5505-MEM-512-C ProLabs ASA5505-MEM-512-C 62.5000
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ECAD 6225 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-ASA5505-MEM-512-C ear99 8473.30.9100 1
M29W160FT70N3F TR Micron Technology Inc. M29W160FT70N3F TR -
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ECAD 5260 0.00000000 Micron Technology Inc. - カットテープ(CT) 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
AT45DB161E-MHD-T Adesto Technologies AT45DB161E-MHD-T 1.8601
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ECAD 6883 0.00000000 Adesto Technologies - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 8-udfn露出パッド AT45DB161 フラッシュ 2.5V〜3.6V 8-udfn (5x6) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 6,000 85 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 528バイトx 4096ページ spi 8µs 、4ms
24CW1280T-I/CS0668 Microchip Technology 24CW1280T-I/CS0668 0.7500
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ECAD 3568 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 24cw テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 4-XFBGA 、CSPBGA 24CW1280 Eeprom 1.6V〜5.5V 4-CSP ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 不揮発性 128kbit 450 ns Eeprom 16k x 8 i²c 5ms
W631GU6NB09J Winbond Electronics W631GU6NB09J -
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ECAD 6371 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W631GU6NB09J ear99 8542.32.0032 198 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
1XD88AA-C ProLabs 1xd88aa-c 3.0000
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ECAD 5315 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-1xD88AA-C ear99 8473.30.5100 1
JS28F256P30T2E Micron Technology Inc. JS28F256P30T2E -
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ECAD 6618 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) JS28F256P30 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-tsop - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 576 40 MHz 不揮発性 256mbit 110 ns フラッシュ 16m x 16 平行 110ns
CG6720AM Cypress Semiconductor Corp CG6720am -
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ECAD 4408 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * バルク アクティブ - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー 1
IDT71V3579S75PFI8 Renesas Electronics America Inc IDT71V3579S75PFI8 -
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ECAD 2732 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lqfp IDT71V3579 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 71V3579S75PFI8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4.5mbit 7.5 ns sram 256k x 18 平行 -
70V05L25J Renesas Electronics America Inc 70V05L25J -
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ECAD 7209 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 68-lcc 70V05L sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 68-PLCC(24.21x24.21 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 18 揮発性 64kbit 25 ns sram 8k x 8 平行 25ns
S25FL256SDSMFV010 Infineon Technologies S25FL256SDSMFV010 6.5900
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ECAD 8031 0.00000000 Infineon Technologies fl-s トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 240 80 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
CY15E064J-SXAT Infineon Technologies cy15e064j-sxat 4.1825
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ECAD 2104 0.00000000 Infineon Technologies Automotive、AEC-Q100 f-Ram™ テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) Cy15E064 フラム(強誘電性ラム) 4.5v〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 1 MHz 不揮発性 64kbit フラム 8k x 8 i²c -
STK14C88-3NF45TR Infineon Technologies STK14C88-3NF45TR -
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ECAD 2357 0.00000000 Infineon Technologies - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 32-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) STK14C88 nvsram (不揮発性 sram) 4.5v〜5.5V 32-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 不揮発性 256kbit 45 ns nvsram 32k x 8 平行 45ns
W25Q128JVESM Winbond Electronics w25q128jvesm -
RFQ
ECAD 8206 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson (8x6) - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q128JVESM 1 133 MHz 不揮発性 128mbit 6 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
S29GL256P10FFI010 Infineon Technologies S29GL256P10FFI010 11.1800
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ECAD 6874 0.00000000 Infineon Technologies GL-P トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA(13x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 180 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 32m x 8 平行 100ns
S25FL064LABMFV013 Infineon Technologies S25FL064LABMFV013 3.3300
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Infineon Technologies fl-l テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) S25FL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,100 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi -
MT58L32L32FT-10 Micron Technology Inc. MT58L32L32FT-10 6.4500
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp MT58L32L32 sram-同期 3.135V〜3.6V 100-TQFP(14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 1 66 MHz 揮発性 1mbit 10 ns sram 32K x 32 平行 -
MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B Micron Technology Inc. MT52L256M64D2QB-125 XT ES:b -
RFQ
ECAD 9984 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - - - MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,190 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
71V67703S80PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67703S80PFG 19.8800
RFQ
ECAD 95 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp 71v67703 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14 ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 9mbit 8 ns sram 256k x 36 平行 -
SST25VF040B-50-4C-QAF-T Microchip Technology SST25VF040B-50-4C-QAF-T 1.5100
RFQ
ECAD 4666 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST25 テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 8-wdfn露出パッド SST25VF040 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-wson (6x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 50 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 10µs
M30082040108X0IWAY Renesas Electronics America Inc M30082040108X0Iway 20.3740
RFQ
ECAD 2257 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-wdfn露出パッド M30082040108 ミスター(磁気抵抗ラム) 2.7V〜3.6V 8-dfn ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 800-M30082040108X0IWAY ear99 8542.32.0071 225 108 MHz 不揮発性 8mbit ラム 2m x 4 - -
CAT24C16YI-GT3JN onsemi cat24c16yi-gt3jn -
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ECAD 5747 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) CAT24C16 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-tssop ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 16kbit 900 ns Eeprom 2k x 8 i²c 5ms
FM18W08-SGTR Infineon Technologies FM18W08-SGTR 13.9200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies f-ram™ テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 28-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) FM18W08 フラム(強誘電性ラム) 2.7V〜5.5V 28-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256kbit フラム 32k x 8 平行 130ns
S29GL512T10FHI020 Infineon Technologies S29GL512T10FHI020 10.2300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies gl-t トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-lbga S29GL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA(13x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 180 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 64m x 8 平行 60ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫