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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
W972GG6KB25I TR Winbond Electronics w972gg6kb25i tr 10.1700
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 ECAD 6196 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA W972GG6 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-WBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,500 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
N25Q064A13ESFH0E Micron Technology Inc. N25Q064A13ESFH0E -
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 240 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
BR24T04FJ-WE2 Rohm Semiconductor BR24T04FJ-WE2 0.2800
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 ECAD 1 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） BR24T04 Eeprom 1.6V〜5.5V 8-SOP-J ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8 i²c 5ms
JS28F256J3F105A Micron Technology Inc. JS28F256J3F105A -
RFQ
 ECAD 9844 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F256J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1B1 8542.32.0071 576 不揮発性 256mbit 105 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 105ns
7005S17J Renesas Electronics America Inc 7005S17J -
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 ECAD 2589 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 68-lcc 7005S17 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 68-PLCC（24.21x24.21 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 18 揮発性 64kbit 17 ns sram 8k x 8 平行 17ns
7005S20G Renesas Electronics America Inc 7005S20G -
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 ECAD 2936 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 68-BPGA 7005S20 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 68-PGA （29.46x29.46 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 3 揮発性 64kbit 20 ns sram 8k x 8 平行 20ns
CY7C1354CV25-166BZCT Infineon Technologies Cy7C1354CV25-166BZCT 14.1050
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 ECAD 9610 0.00000000 Infineon Technologies NOBL™ テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1354 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 166 MHz 揮発性 9mbit 3.5 ns sram 256k x 36 平行 -
AT25M02-U1UM0B-T Microchip Technology AT25M02-U1UM0B-T -
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 ECAD 5012 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-XFBGA 、WLCSP AT25M02 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-wlcsp ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1B1 8542.32.0051 5,000 5 MHz 不揮発性 2mbit Eeprom 256k x 8 spi 10ms
AT27C1024-90PC Microchip Technology AT27C1024-90PC -
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 ECAD 4904 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 0°C〜70°C 穴を通して 40-dip（0.600 "、15.24mm） AT27C1024 eprom -otp 4.5v〜5.5V 40-pdip ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない AT27C102490PC ear99 8542.32.0061 10 不揮発性 1mbit 90 ns eprom 64k x 16 平行 -
71V321S55PF Renesas Electronics America Inc 71V321S55PF -
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 ECAD 1150 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 64-LQFP 71V321S sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 64-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 45 揮発性 16kbit 55 ns sram 2k x 8 平行 55ns
S29GL01GT10FHI030 Infineon Technologies S29GL01GT10FHI030 13.5800
RFQ
 ECAD 1763 0.00000000 Infineon Technologies gl-t トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 360 不揮発性 1gbit 100 ns フラッシュ 128m x 8 平行 60ns
AT25320B-MEHL-T Microchip Technology at25320b-mehl-t -
RFQ
 ECAD 6020 0.00000000 マイクロチップテクノロジー aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-xfdfn AT25320 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-XDFN （1.8x2.2 ダウンロード ROHS3準拠 150-AT25320B-MEHL-TTR 廃止 3,000 5 MHz 不揮発性 32kbit Eeprom 4k x 8 spi 5ms
R1LV0408DSA-5SI#B0 Renesas Electronics America Inc R1LV0408DSA-5SI ＃B0 -
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 ECAD 8694 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅） R1LV0408D sram 2.7V〜3.6V 32 STSOP - 適用できない 3 （168 時間） 影響を受けていない 1 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
7005S35PFI8 Renesas Electronics America Inc 7005S35PFI8 -
RFQ
 ECAD 8776 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-LQFP 7005S35 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 64-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0041 750 揮発性 64kbit 35 ns sram 8k x 8 平行 35ns
S25FL064LABMFV003 Infineon Technologies S25FL064LABMFV003 2.3562
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 ECAD 9517 0.00000000 Infineon Technologies fl-l テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi -
24LC01BHT-I/MNY Microchip Technology 24LC01BHT-​​ I/MNY 0.3300
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 ECAD 1 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wfdfn露出パッド 24LC01BH Eeprom 2.5V〜5.5V 8-tdfn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 400 kHz 不揮発性 1kbit 900 ns Eeprom 128 x 8 i²c 5ms
MT53B2DANP-DC Micron Technology Inc. MT53B2DANP-DC -
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 ECAD 2950 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - - SDRAM-モバイルLPDDR4 - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,360 揮発性 ドラム
IS43DR16320D-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-25DBL-TR 2.6025
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 ECAD 6908 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT47H32M16NF-25E AUT:H Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AUT：h -
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 ECAD 4469 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 - 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,368 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
CY7C1399B-15VXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1399B-15VXC -
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 ECAD 2836 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） Cy7C1399 sram-非同期 3V〜3.6V 28-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.32.0041 37 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 15ns 確認されていません
S25FL256SDSBHVA10 Infineon Technologies S25FL256SDSBHVA10 5.0050
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 ECAD 8243 0.00000000 Infineon Technologies fl-s トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 24-bga （8x6） ダウンロード 3A991B1A 8542.32.0071 676 80 MHz 不揮発性 256mbit 6.5 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 750µs
IS43LR16640A-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640A-5BL 9.4267
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 ECAD 9562 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA IS43LR16640 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-TWBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 300 200 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
S29GL032N90BFI040 Cypress Semiconductor Corp S29GL032N90BFI040 4.2700
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 ECAD 2267 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp gl-n バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA S29GL032 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-FBGA （8.15x6.15） ダウンロード ROHS3準拠 2832-S29GL032N90BFI040 59 不揮発性 32mbit 90 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 90ns 確認されていません
MT58L1MY18FT-6.8 Micron Technology Inc. MT58L1MY18FT-6.8 31.1000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 18mbit 6.8 ns sram 1m x 18 平行 -
SM662GXF-BESTU616 Silicon Motion, Inc. SM662GXF-Bestu616 178.5300
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 ECAD 1 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® バルク アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand （TLC） - 100-BGA（14x18） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 EMMC -
CG7782AA Infineon Technologies CG7782AA -
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 ECAD 3229 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 - 影響を受けていない 廃止 480
CG8717AAT Infineon Technologies CG8717AAT -
RFQ
 ECAD 9220 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 2,500
IS43LD32640B-25BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-25BPLI-TR -
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 ECAD 4369 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 168-VFBGA IS43LD32640 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 平行 15ns
CY7C009V-20AXI Rochester Electronics, LLC Cy7C009V-20axi -
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 ECAD 6438 0.00000000 ロチェスターエレクトロニクス、LLC - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp Cy7C009 sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-CY7C009V-20AXI 3A991 8542.32.0041 1 揮発性 1mbit 20 ns sram 128k x 8 平行 20ns
S25FL064LABMFV013 Cypress Semiconductor Corp S25FL064LABMFV013 5.0000
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 ECAD 34 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp fl-l バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） S25FL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 2832-S25FL064LABMFV013 1 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi - 検証
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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