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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
R1LV3216RSA-7SI#B0 Renesas Electronics America Inc R1LV3216RSA-7SI ＃B0 -
RFQ
 ECAD 7220 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） R1LV3216 sram 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 32mbit 70 ns sram 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
MX60LF8G28AD-TI Macronix MX60LF8G28AD-TI 9.2800
RFQ
 ECAD 6827 0.00000000 マクロニックス MX60LF トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MX60LF8 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1092-MX60LF8G28AD-TI 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 700µs
W25Q80EWSSAG Winbond Electronics W25Q80EWSSAG -
RFQ
 ECAD 5428 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q80 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q80EWSSAG 廃止 1 104 MHz 不揮発性 8mbit 6 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 30µs 、800µs
70121L25J8 Renesas Electronics America Inc 70121L25J8 -
RFQ
 ECAD 6113 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc 70121L25 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 400 揮発性 18kbit 25 ns sram 2k x 9 平行 25ns
AT45D161-TI Microchip Technology AT45D161-TI -
RFQ
 ECAD 6221 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） AT45D161 フラッシュ 4.5v〜5.5V 28-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない AT45D161TI ear99 8542.32.0071 234 15 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 528バイトx 4096ページ spi 15ms
IS42S32200C1-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7TL-TR -
RFQ
 ECAD 5089 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32200 SDRAM 3.15V〜3.45V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 -
S29AL008J70WHN019 Infineon Technologies S29AL008J70WHN019 -
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 ECAD 6695 0.00000000 Infineon Technologies al-j バルク 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 死ぬ S29AL008 フラッシュ - 2.7V〜3.6V ウェーハ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 25 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
70V9089L15PF8 Renesas Electronics America Inc 70V9089L15PF8 -
RFQ
 ECAD 5557 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 70V9089 sram- デュアルポート、同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 750 揮発性 512kbit 15 ns sram 64k x 8 平行 -
AS4C256M16D3B-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3B-12BANTR -
RFQ
 ECAD 6750 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA（13.5x9 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AM27S281APC Advanced Micro Devices AM27S281APC 5.5800
RFQ
 ECAD 212 0.00000000 高度なマイクロデバイス - バルク アクティブ 0°C〜75°C（Ta） 穴を通して 24-dip （0.300 "、7.62mm） AM27S281A - 4.75v〜5.25V 24-pdip ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0071 1 不揮発性 8kbit 35 ns プロム 1k x 8 平行 -
71V2546S150PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V2546S150PFG 7.6600
RFQ
 ECAD 612 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 71v2546 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード 8542.32.0041 1 150 MHz 揮発性 4.5mbit 3.8 ns sram 128k x 36 平行 -
AT49BV163D-70CU-T Microchip Technology AT49BV163D-70CU-T -
RFQ
 ECAD 9409 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 48-VFBGA 、CSPBGA AT49BV163 フラッシュ 2.65V〜3.6V 48-CBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 120µs
71256L35DB Renesas Electronics America Inc 71256L35dB 36.4561
RFQ
 ECAD 5606 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 28-CDIP （0.600 "、15.24mm） 71256L sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-CDIP ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A001A2C 8542.32.0041 13 揮発性 256kbit 35 ns sram 32k x 8 平行 35ns
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCABH3-10ITZ：a 252.4600
RFQ
 ECAD 247 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga MT29F256G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 100-lbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
S25FL128LAGMFA003 Infineon Technologies S25FL128LAGMFA003 3.5175
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 Infineon Technologies 自動車、AEC-Q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi -
AT34C02-10TI-1.8-T Microchip Technology AT34C02-10TI-1.8-T -
RFQ
 ECAD 9052 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） AT34C02 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 10ms
SST38VF6401-90-5C-B3KE Microchip Technology SST38VF6401-90-5C-B3KE 6.5800
RFQ
 ECAD 6079 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST38 トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFBGA SST38VF6401 フラッシュ 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 不揮発性 64mbit 90 ns フラッシュ 4m x 16 平行 10µs
24LC32AFT-E/ST Microchip Technology 24LC32AFT-E/ST 0.6300
RFQ
 ECAD 5586 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 24LC32A Eeprom 2.5V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 不揮発性 32kbit 900 ns Eeprom 4k x 8 i²c 5ms
93LC56C-I/P Microchip Technology 93lc56c-i/p 0.4200
RFQ
 ECAD 577 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） 93LC56 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 60 3 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8、128 x 16 マイクロワイヤ 6ms
MT29F16G08ABECBM72A3WC1L Micron Technology Inc. MT29F16G08ABECBM72A3WC1L 26.7100
RFQ
 ECAD 4582 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F16G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V ウェーハ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F16G08ABECBM72A3WC1L 1 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 - -
AS6C1008-55SIN Alliance Memory, Inc. AS6C1008-55SIN 3.0000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-SOIC （0.445 "、幅11.30mm） AS6C1008 sram-非同期 2.7V〜5.5V 32ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1018 ear99 8542.32.0041 72 揮発性 1mbit 55 ns sram 128k x 8 平行 55ns
CY7C1020CV33-15ZXC Infineon Technologies Cy7C1020CV33-15ZXC -
RFQ
 ECAD 5914 0.00000000 Infineon Technologies - バッグ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy7C1020 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP II - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 135 揮発性 512kbit 15 ns sram 32k x 16 平行 15ns
CAT93C66Y-TE13 onsemi CAT93C66Y-TE13 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） CAT93C66 Eeprom 2.5V〜6V 8-tssop - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-CAT93C66Y-TE13-488 ear99 8542.32.0071 1 2 MHz 不揮発性 4kbit 500 ns Eeprom 256 x 16、512 x 8 マイクロワイヤ -
AT93C46R-10SC-2.5 Microchip Technology AT93C46R-10SC-2.5 -
RFQ
 ECAD 7223 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 93C46 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 2 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8、64 x 16 3線シリアル 10ms
W25Q16JWUUIQ TR Winbond Electronics w25q16jwuuiq tr 0.5647
RFQ
 ECAD 8292 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-USON （4x3） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16JWUUIQTR ear99 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
AT25128A-10TU-2.7 Microchip Technology AT25128A-10TU-2.7 -
RFQ
 ECAD 2553 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） AT25128 Eeprom 2.7V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 20 MHz 不揮発性 128kbit Eeprom 16k x 8 spi 5ms
S30ML512P50TFI010 Infineon Technologies S30ML512P50TFI010 -
RFQ
 ECAD 8934 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 96
S29GL256P90FACR20 Infineon Technologies S29GL256P90FACR20 -
RFQ
 ECAD 2304 0.00000000 Infineon Technologies GL-P トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 3V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 180 不揮発性 256mbit 90 ns フラッシュ 32m x 8 平行 90ns
AS7C34098A-20TINTR Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-20TINTR 4.7977
RFQ
 ECAD 2561 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS7C34098 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 20 ns sram 256k x 16 平行 20ns
W632GU6NB15J Winbond Electronics W632GU6NB15J -
RFQ
 ECAD 5927 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-VFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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