画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS4C128MD2-25BCNTR | - | ![]() | 6251 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | AS4C128 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga (8x10) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | MT46V32M8P-5B:GTR | - | ![]() | 6971 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT46V32M8 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | S29JL064J70TFA000 | 6.1622 | ![]() | 3079 | 0.00000000 | Infineon Technologies | JL-J | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 96 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | CFI | |||||||||
![]() | AT49BV160T-90TI | - | ![]() | 9300 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT49BV160 | フラッシュ | 2.65V〜3.3V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 16mbit | 90 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 200µs | |||
MX25R1635FM2IL0 | 0.7800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | MX25R1635 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 92 | 33 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 100μs10ms | ||||
![]() | MT48LC16M16A2B4-6A IT:g | 6.0918 | ![]() | 1948年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,560 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 12ns | ||
![]() | 71V321S55TF | - | ![]() | 3797 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 64-LQFP | 71V321S | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 64-TQFP (10x10) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 40 | 揮発性 | 16kbit | 55 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 55ns | |||
![]() | 70V631S15PRF | - | ![]() | 8835 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 128-LQFP | 70V631 | sram- デュアルポート、非同期 | 3.15V〜3.45V | 128-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 4.5mbit | 15 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | 15ns | |||
![]() | mt53d4dbny-dc | - | ![]() | 9607 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | - | - | mt53d4 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,360 | 揮発性 | ドラム | |||||||||||
![]() | IS25LP080D-JNLE | 0.8200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IS25LP080 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1580 | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||
![]() | 93LC56CT-E/MS | 0.4950 | ![]() | 2874 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 93LC56 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 93LC56CT-E/MS-NDR | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 3 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8、128 x 16 | マイクロワイヤ | 6ms | ||
w25q16fwzpiq | - | ![]() | 1798 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、3ms | ||||
![]() | 25AA160B-I/MS | 0.8400 | ![]() | 2892 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 25AA160 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 25AA160BIMS | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | spi | 5ms | ||
![]() | 7130LA25PF8 | - | ![]() | 9453 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 64-LQFP | 7130la | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 64-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 8kbit | 25 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | Cy7C2568KV18-400BZXC | - | ![]() | 9234 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C2568 | sram- ddr II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | mt29f8t08ewleem5-r:e tr | 171.6300 | ![]() | 1176 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C | - | - | フラッシュ-Nand (TLC) | - | - | - | 557-MT29F8T08EWLEEM5-R:ETR | 1,500 | 不揮発性 | 8tbit | フラッシュ | 1t x 8 | 平行 | - | |||||||||
![]() | MT28F01012 | 187.2000 | ![]() | 32 | 0.00000000 | インテル | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 32-lcc | MT28F01012 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 2156-MT28F01012 | 3A001 | 8542.32.0051 | 1 | 不揮発性 | 1mbit | 120 ns | フラッシュ | 128k x 8 | 平行 | 120ns | |||
![]() | Cy15B104QN-20LPXCT | 21.0175 | ![]() | 7819 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-UQFN | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8-gqfn (3.23x3.28) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1B2 | 8542.32.0071 | 2,500 | 20 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 20 ns | フラム | 512k x 8 | spi | - | ||||
![]() | Cy7C199CN-15VXCT | - | ![]() | 4696 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | Cy7C199 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 256kbit | 15 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | MT29F2G08ABBFAH4:F | - | ![]() | 1309 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,260 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | MT29F4G16ABCWC:C Tr | - | ![]() | 5341 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F4G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | S25FL164K0XMFI001 | - | ![]() | 3223 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl1-k | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL164 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 47 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
![]() | MT29F1G16ABBDAHC-IT:d | - | ![]() | 4780 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA(10.5x13) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,140 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | S70GL04GS00FHCR20 | - | ![]() | 4916 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | Cy7C1370D-167AXCT | - | ![]() | 6193 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1370 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.4 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | AT25HP256-10PI-1.8 | - | ![]() | 8639 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | AT25HP256 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT25HP256-10PI1.8 | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 10 MHz | 不揮発性 | 256kbit | Eeprom | 32k x 8 | spi | 10ms | ||
![]() | S29GL01GS11WEI029 | 9.8580 | ![]() | 8157 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 死ぬ | S29GL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | ウェーハ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 25 | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | 60ns | |||
W631GU6MB12I | - | ![]() | 4741 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 198 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | M24C04-BN6 | - | ![]() | 4951 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | M24C04 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | GD25x512Mebary | 11.2385 | ![]() | 2421 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25X | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | 1970-GD25X512MEBARY | 4,800 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - |
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