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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
AS4C128MD2-25BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128MD2-25BCNTR -
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ECAD 6251 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 60-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga (8x10) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT46V32M8P-5B:GTR Micron Technology Inc. MT46V32M8P-5B:GTR -
RFQ
ECAD 6971 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
S29JL064J70TFA000 Infineon Technologies S29JL064J70TFA000 6.1622
RFQ
ECAD 3079 0.00000000 Infineon Technologies JL-J トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 影響を受けていない 96 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ CFI
AT49BV160T-90TI Microchip Technology AT49BV160T-90TI -
RFQ
ECAD 9300 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) AT49BV160 フラッシュ 2.65V〜3.3V 48-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 16mbit 90 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 200µs
MX25R1635FM2IL0 Macronix MX25R1635FM2IL0 0.7800
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ECAD 8 0.00000000 マクロニックス MXSMIO™ チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) MX25R1635 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 92 33 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 100μs10ms
MT48LC16M16A2B4-6A IT:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2B4-6A IT:g 6.0918
RFQ
ECAD 1948年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,560 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
71V321S55TF Renesas Electronics America Inc 71V321S55TF -
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ECAD 3797 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 64-LQFP 71V321S sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 64-TQFP (10x10) ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 40 揮発性 16kbit 55 ns sram 2k x 8 平行 55ns
70V631S15PRF Renesas Electronics America Inc 70V631S15PRF -
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ECAD 8835 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 128-LQFP 70V631 sram- デュアルポート、非同期 3.15V〜3.45V 128-TQFP ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 6 揮発性 4.5mbit 15 ns sram 256k x 18 平行 15ns
MT53D4DBNY-DC Micron Technology Inc. mt53d4dbny-dc -
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ECAD 9607 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ - - mt53d4 SDRAM-モバイルLPDDR4 - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 0000.00.0000 1,360 揮発性 ドラム
IS25LP080D-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JNLE 0.8200
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ECAD 14 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) IS25LP080 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-1580 ear99 8542.32.0071 100 133 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 800µs
93LC56CT-E/MS Microchip Technology 93LC56CT-E/MS 0.4950
RFQ
ECAD 2874 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) 93LC56 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 93LC56CT-E/MS-NDR ear99 8542.32.0051 2,500 3 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8、128 x 16 マイクロワイヤ 6ms
W25Q16FWZPIQ Winbond Electronics w25q16fwzpiq -
RFQ
ECAD 1798 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-wson (6x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、3ms
25AA160B-I/MS Microchip Technology 25AA160B-I/MS 0.8400
RFQ
ECAD 2892 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) 25AA160 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 25AA160BIMS ear99 8542.32.0051 100 10 MHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8 spi 5ms
7130LA25PF8 Renesas Electronics America Inc 7130LA25PF8 -
RFQ
ECAD 9453 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 64-LQFP 7130la sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 64-TQFP(14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 750 揮発性 8kbit 25 ns sram 1k x 8 平行 25ns
CY7C2568KV18-400BZXC Infineon Technologies Cy7C2568KV18-400BZXC -
RFQ
ECAD 9234 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga Cy7C2568 sram- ddr II+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 400 MHz 揮発性 72mbit sram 4m x 18 平行 -
MT29F8T08EWLEEM5-R:E TR Micron Technology Inc. mt29f8t08ewleem5-r:e tr 171.6300
RFQ
ECAD 1176 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C - - フラッシュ-Nand (TLC) - - - 557-MT29F8T08EWLEEM5-R:ETR 1,500 不揮発性 8tbit フラッシュ 1t x 8 平行 -
MT28F01012 Intel MT28F01012 187.2000
RFQ
ECAD 32 0.00000000 インテル - バルク 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 32-lcc MT28F01012 フラッシュ 4.5v〜5.5V 32-PLCC - ROHS非準拠 影響を受けていない 2156-MT28F01012 3A001 8542.32.0051 1 不揮発性 1mbit 120 ns フラッシュ 128k x 8 平行 120ns
CY15B104QN-20LPXCT Infineon Technologies Cy15B104QN-20LPXCT 21.0175
RFQ
ECAD 7819 0.00000000 Infineon Technologies Automotive テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 8-UQFN フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 8-gqfn (3.23x3.28) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1B2 8542.32.0071 2,500 20 MHz 不揮発性 4mbit 20 ns フラム 512k x 8 spi -
CY7C199CN-15VXCT Infineon Technologies Cy7C199CN-15VXCT -
RFQ
ECAD 4696 0.00000000 Infineon Technologies - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) Cy7C199 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 15ns
MT29F2G08ABBFAH4:F Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBFAH4:F -
RFQ
ECAD 1309 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA (9x11) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,260 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT29F4G16ABCWC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABCWC:C Tr -
RFQ
ECAD 5341 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
S25FL164K0XMFI001 Infineon Technologies S25FL164K0XMFI001 -
RFQ
ECAD 3223 0.00000000 Infineon Technologies fl1-k チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) S25FL164 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 47 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
MT29F1G16ABBDAHC-IT:D Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBDAHC-IT:d -
RFQ
ECAD 4780 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA(10.5x13) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 不揮発性 1gbit フラッシュ 64m x 16 平行 -
S70GL04GS00FHCR20 Infineon Technologies S70GL04GS00FHCR20 -
RFQ
ECAD 4916 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
CY7C1370D-167AXCT Infineon Technologies Cy7C1370D-167AXCT -
RFQ
ECAD 6193 0.00000000 Infineon Technologies NOBL™ テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp Cy7C1370 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 750 167 MHz 揮発性 18mbit 3.4 ns sram 512K x 36 平行 -
AT25HP256-10PI-1.8 Microchip Technology AT25HP256-10PI-1.8 -
RFQ
ECAD 8639 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 穴を通して 8-dip (0.300 "、7.62mm) AT25HP256 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない AT25HP256-10PI1.8 ear99 8542.32.0051 50 10 MHz 不揮発性 256kbit Eeprom 32k x 8 spi 10ms
S29GL01GS11WEI029 Infineon Technologies S29GL01GS11WEI029 9.8580
RFQ
ECAD 8157 0.00000000 Infineon Technologies gl-s バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 死ぬ S29GL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V ウェーハ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 25 不揮発性 1gbit 110 ns フラッシュ 64m x 16 平行 60ns
W631GU6MB12I Winbond Electronics W631GU6MB12I -
RFQ
ECAD 4741 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 198 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
M24C04-BN6 STMicroelectronics M24C04-BN6 -
RFQ
ECAD 4951 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 穴を通して 8-dip (0.300 "、7.62mm) M24C04 Eeprom 4.5v〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 50 400 kHz 不揮発性 4kbit 900 ns Eeprom 512 x 8 i²c 5ms
GD25X512MEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25x512Mebary 11.2385
RFQ
ECAD 2421 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25X トレイ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 24-tfbga - 1970-GD25X512MEBARY 4,800 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 SPI -OCTAL I/O -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫