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メモリ（69470）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	sicプログラム可能
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IDT71V25761S166PF8	-	RFQ	9660	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	IDT71V25761	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	71V25761S166PF8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000	166 MHz	揮発性	4.5mbit	3.5 ns	sram	128k x 36	平行	-
IS46TR16256B-107MBLA1	8.8181	RFQ	9446	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	バルク	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS46TR16256B-107MBLA1			190	933 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	256m x 16	平行	15ns
IS43LD32640B-25BLI	11.2943	RFQ	7717	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	前回購入します	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	134-TFBGA	IS43LD32640	SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4	1.14V〜1.95V	134-TFBGA （10x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	171	400 MHz	揮発性	2Gbit		ドラム	64m x 32	平行	15ns
CY7C11701KV18-400BZXC	-	RFQ	2434	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C11701	sram- ddr II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	136	400 MHz	揮発性	18mbit		sram	512K x 36	平行	-
IS61VPS51236A-200B3I	-	RFQ	3299	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-TBGA	IS61VPS51236	sram- sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	揮発性	18mbit	3.1 ns	sram	512K x 36	平行	-
AT27C010L-55PI	-	RFQ	2271	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（TC）	穴を通して	32-dip（0.600 "、15.24mm）	AT27C010	eprom -otp	4.5v〜5.5V	32-PDIP	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	AT27C010L55PI	3A991B1B1	8542.32.0061	12		不揮発性	1mbit	55 ns	eprom	128k x 8	平行	-
IS43TR16640A-15GBLI	-	RFQ	3784	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	190	667 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
S29GL032N90FFI032	1.2700	RFQ	7585	Cypress Semiconductor Corp	gl-n	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	64-lbga	S29GL032	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	ダウンロード	ROHS3準拠			2832-S29GL032N90FFI032-TR			197		不揮発性	32mbit	90 ns	フラッシュ	4m x 8、2m x 16	平行	90ns	確認されていません
Cy7C1069AV33-10ZXC	-	RFQ	4578	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	Cy7C1069	sram-非同期	3V〜3.6V	54-TSOP II	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	108		揮発性	16mbit	10 ns	sram	2m x 8	平行	10ns
AT28C17E-15SC	-	RFQ	8095	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	廃止	0°C〜70°C	表面マウント	28-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	AT28C17	Eeprom	4.5v〜5.5V	28-SOIC	ダウンロード	ROHS非準拠	2（1 年）	影響を受けていない	AT28C17E15SC	ear99	8542.32.0051	27		不揮発性	16kbit	150 ns	Eeprom	2k x 8	平行	200µs
MT46V8M16P-75：d	-	RFQ	2750	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	MT46V8M16	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-tsop	ダウンロード	ROHS3準拠	2（1 年）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	揮発性	128mbit	750 PS	ドラム	8m x 16	平行	15ns
S26KL128SDABHA030	6.4750	RFQ	8453	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q100、HyperFlash™Kl	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-VBGA	S26KL128	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	24-fbga （6x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0051	338	100 MHz	不揮発性	128mbit	96 ns	フラッシュ	16m x 8	平行	-
71V67703S80BQ	26.6900	RFQ	216	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA	71v67703	sram- sdr	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	ダウンロード					3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	揮発性	9mbit	8 ns	sram	256k x 36	平行	-
71V3556SA133BQI8	10.5878	RFQ	4920	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-TBGA	71V3556	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	133 MHz	揮発性	4.5mbit	4.2 ns	sram	128k x 36	平行	-
S34MS01G200BHA000	-	RFQ	3316	Cypress Semiconductor Corp	MS-2	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	63-VFBGA	S34MS01	フラッシュ -ナンド	1.7V〜1.95V	63-BGA （11x9）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	210		不揮発性	1gbit	45 ns	フラッシュ	128m x 8	平行	45ns
M27C801-80F1	-	RFQ	8202	stmicroelectronics	-	チューブ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	穴を通して	32-CDIP （0.600 "、15.24mm ）ウィンドウ	M27C801	EPROM -UV	4.5v〜5.5V	ウィンドウ付きの32-CDIPフリットシール	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		廃止	8542.32.0061	12		不揮発性	8mbit	80 ns	eprom	1m x 8	平行	-
AT24HC02C-PUM	0.5100	RFQ	3	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	穴を通して	8-dip （0.300 "、7.62mm）	AT24HC02	Eeprom	1.7V〜5.5V	8-pdip	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	AT24HC02CPUM	ear99	8542.32.0051	50	1 MHz	不揮発性	2kbit	550 ns	Eeprom	256 x 8	i²c	5ms
AS4C64M8D2-25bin	5.9900	RFQ	21	Alliance Memory	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	60-TFBGA	AS4C64	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga （8x10）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	1450-1129	ear99	8542.32.0028	264	400 MHz	揮発性	512mbit	400 PS	ドラム	64m x 8	平行	15ns
MT48LC8M32B2B5-6 TR	-	RFQ	9459	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	90-VFBGA	MT48LC8M32B2	SDRAM	3V〜3.6V	90-VFBGA （8x13	ダウンロード	ROHS3準拠	2（1 年）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	揮発性	256mbit	5.5 ns	ドラム	8m x 32	平行	12ns
71V3578S150PFG8	7.4983	RFQ	9242	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	71V3578	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	150 MHz	揮発性	4.5mbit	3.8 ns	sram	256k x 18	平行	-
Cy7C1370KV33-167BZXC	31.8325	RFQ	8056	Infineon Technologies	NOBL™	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C1370	sram- sdr	3.135V〜3.6V	165-FBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	136	167 MHz	揮発性	18mbit	3.4 ns	sram	512K x 36	平行	-
CY7C1565KV18-400BZXC	-	RFQ	1736	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C1565	sram- qdr ii+	1.7V〜1.9V	165-FBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	136	400 MHz	揮発性	72mbit		sram	2m x 36	平行	-
w25q64fwssiq tr	-	RFQ	3269	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	W25Q64	フラッシュ -	1.65V〜1.95V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	104 MHz	不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o、qpi	5ms
SNPH5DDHC/4G-C	27.5000	RFQ	7719	プロラブ	*	小売パッケージ	アクティブ								-	ROHS準拠			4932-SNPH5DDHC/4G-C	ear99	8473.30.5100	1
MX25L3236DM2I-10G	-	RFQ	6274	マクロニックス	MXSMIO™	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	MX25L3236	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	92	104 MHz	不揮発性	32mbit		フラッシュ	4m x 8	spi	300μs5ms
71P72804S200BQG	6.6800	RFQ	161	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA	71p72	sram- qdr ii	1.7V〜1.9V	165-CABGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2A	8542.32.0041	1	200 MHz	揮発性	18mbit	7.88 ns	sram	1m x 18	平行	-
AT24C256-10UI-2.7	-	RFQ	7440	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-VFBGA	AT24C256	Eeprom	2.7V〜5.5V	8-dbga （3.81x2.34	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0051	100	1 MHz	不揮発性	256kbit	550 ns	Eeprom	32k x 8	i²c	10ms
MT46V128M4P-6T：F	-	RFQ	7395	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	MT46V128M4	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-tsop	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	128m x 4	平行	15ns
GS8342D18BGD-300I	45.6607	RFQ	8285	GSI Technology Inc.	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜100°C （TJ	表面マウント	165-lbga	GS8342d	sram- クアッドポート、同期	1.7V〜1.9V	165-fpbga （15x13	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	2364-GS8342D18BGD-300I	3A991B2B	8542.32.0041	15	300 MHz	揮発性	36mbit		sram	2m x 18	平行	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²