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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
S29GL512S10TFI020 Cypress Semiconductor Corp S29GL512S10TFI020 9.1200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp gl-s ストリップ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 2832-S29GL512S10TFI020 55 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 60ns 確認されていません
BR25H040FVM-2CTR Rohm Semiconductor BR25H040FVM-2CTR 0.5700
RFQ
 ECAD 7839 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-vssop、8-msop （0.110 "、2.80mm 幅） BR25H040 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 10 MHz 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8 spi 4ms
CAT28LV64GI-25T onsemi CAT28LV64GI-25T -
RFQ
 ECAD 8605 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-lcc CAT28LV64 Eeprom 3V〜3.6V 32-PLCC （11.43x13.97 ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない 28Lv64GI-25T ear99 8542.32.0051 500 不揮発性 64kbit 250 ns Eeprom 8k x 8 平行 5ms
S25FL256SAGNFM000 Infineon Technologies S25FL256SAGNFM000 8.9250
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 Infineon Technologies fl-s トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード 3A991B1A 8542.32.0071 676 133 MHz 不揮発性 256mbit 6.5 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 750µs
C-2933D4SR8S/8G ProLabs C-2933D4SR8S/8G 91.2500
RFQ
 ECAD 6807 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-C-293D4SR8S/8G ear99 8473.30.5100 1
M95020-RMN6TP STMicroelectronics M95020-RMN6TP 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 stmicroelectronics - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M95020 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 20 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 spi 5ms
MT41K512M16HA-107 IT:A Alliance Memory, Inc. MT41K512M16HA-107 IT：a -
RFQ
 ECAD 3593 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-MT41K512M16HA-107IT：a ear99 8542.32.0036 170 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS42S32200L-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-6TL 3.0525
RFQ
 ECAD 5867 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32200 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 2m x 32 平行 -
CAT93C46RBHU4IGT3 onsemi CAT93C46RBHU4IGT3 -
RFQ
 ECAD 7075 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド CAT93C46 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-udfn-ep（2x3） - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 8542.32.0051 3,000 4 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8、64 x 16 マイクロワイヤ -
H26M64208EMRN Netlist Inc. H26M64208EMRN -
RFQ
 ECAD 3405 0.00000000 Netlist Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-BGA フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 153-FBGA （11.5x13 ダウンロード ROHS準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 2655-H26M64208EMRNTR ear99 8542.32.0051 1 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 EMMC_5.1 -
BR93G76FVM-3BGTTR Rohm Semiconductor BR93G76FVM-3BGTTR 0.2565
RFQ
 ECAD 8633 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vssop、8-msop （0.110 "、2.80mm 幅） BR93G76 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 3 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 512 x 16 マイクロワイヤ 5ms
CY7C1463BV33-133AXI Infineon Technologies Cy7C1463BV33-133AXI -
RFQ
 ECAD 8347 0.00000000 Infineon Technologies NOBL™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp Cy7C1463 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 MHz 揮発性 36mbit 6.5 ns sram 2m x 18 平行 -
A4869092-C ProLabs A4869092-C 37.5000
RFQ
 ECAD 4131 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-A4869092-C ear99 8473.30.5100 1
S26KS256SDPBHA020 Infineon Technologies S26KS256SDPBHA020 11.1125
RFQ
 ECAD 7212 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、HyperFlash™KS トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-VBGA S26KS256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-fbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,690 166 MHz 不揮発性 256mbit 96 ns フラッシュ 32m x 8 平行 -
AS6C62256-55SCNTR Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55SCNTR 2.4816
RFQ
 ECAD 3009 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-SOIC （0.330 "、幅8.38mm） AS6C62256 sram-非同期 2.7V〜5.5V 28ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 256kbit 55 ns sram 32k x 8 平行 55ns
71V2556SA100BGGI Renesas Electronics America Inc 71V2556SA100BGGI 11.6232
RFQ
 ECAD 8687 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 119-BGA 71v2556 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 84 100 MHz 揮発性 4.5mbit 5 ns sram 128k x 36 平行 -
IS43R83200F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200F-6TLI 4.2800
RFQ
 ECAD 278 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS43R83200 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
W968D6DKA-7M Winbond Electronics W968D6DKA-7M -
RFQ
 ECAD 5324 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - バルク 前回購入します -25°C〜85°C 表面マウント 死ぬ W968D6 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W968D6DKA-7M 1 133 MHz 揮発性 256mbit 70 ns psram 16m x 16 平行 -
24CS512T-E/ST Microchip Technology 24cs512t-e/st 1.3400
RFQ
 ECAD 9591 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 24CS512 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-tssop - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 3.4 MHz 不揮発性 512kbit 400 ns Eeprom 64k x 8 i²c 5ms
MT29F2T08EELCHD4-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EELCHD4-QA：C Tr 41.9550
RFQ
 ECAD 3226 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F2T08EELCHD4-QA：CTR 2,000
IS49NLS96400-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400-33BI -
RFQ
 ECAD 6163 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLS96400 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 104 300 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 64m x 9 平行 -
CY7C1441KVE33-133AXI Infineon Technologies Cy7C1441KVE33-133AXI 71.1550
RFQ
 ECAD 6637 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード ROHS3準拠 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 揮発性 36mbit 6.5 ns sram 1m x 36 平行 -
W631GG8MB09J Winbond Electronics w631gg8mb09j -
RFQ
 ECAD 8132 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG8MB09J 廃止 242 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
IS46DR16320D-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-3DBLA2-TR 5.9536
RFQ
 ECAD 1740 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
UPD44325362BF5-E40Y-FQ1-A Renesas Electronics America Inc upd44325362bf5-e40y-fq1-a 57.0300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991 8542.32.0041 1
93C46/SM Microchip Technology 93C46/SM 0.4900
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 ECAD 2 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 93C46 Eeprom 4.5v〜5.5V ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.32.0051 1 1 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 64 x 16 マイクロワイヤ 2ms
CY7C1361A-100AC Infineon Technologies Cy7C1361A-100AC 6.2700
RFQ
 ECAD 6835 0.00000000 Infineon Technologies - バッグ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1361 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 100 MHz 揮発性 9mbit 8 ns sram 256k x 36 平行 -
IS43LQ32640AL-062BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32640AL-062BLI -
RFQ
 ECAD 9199 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-VFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43LQ32640AL-062BLI 136 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 64m x 32 LVSTL 18ns
IS42S16400J-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6tli 1.7537
RFQ
 ECAD 6486 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS25LP128F-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-RHLE-TR 1.9519
RFQ
 ECAD 3506 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 2.3V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25LP128F-RHLE-TR 2,500 166 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 40µs 、800µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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