画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Cy7C1312CV18-167Bzi | - | ![]() | 3222 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1312 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | W9825G6KH-6 TR | 1.7996 | ![]() | 3739 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | W9825G6 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | 71V124SA12TYGI | - | ![]() | 4152 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | 71V124 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 32-SOJ | ダウンロード | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | |||||||
![]() | MF28F010-20/b | 94.2700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | インテル | MF28F010 | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | - | - | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | - | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1mbit | 200 ns | フラッシュ | 128k x 8 | 平行 | 200ns | ||||||
![]() | CY7C1370DV25-167AXIT | - | ![]() | 2427 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1370 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.4 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS49NLC18160A-25EWBLI | 31.9177 | ![]() | 2710 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLC18160 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49NLC18160A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 15 ns | ドラム | 16m x 18 | HSTL | - | ||||
![]() | Cy7C1440AV25-167BZXC | 98.0100 | ![]() | 784 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1440 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1 | 167 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.4 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | ||||
![]() | AS4C512M8D4-75BCNTR | 7.3815 | ![]() | 5425 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (7.5x10.6 | ダウンロード | 3 (168 時間) | 1450-AS4C512M8D4-75BCNTR | 2,500 | 1.333 GHz | 揮発性 | 4gbit | 18 ns | ドラム | 512m x 8 | ポッド | 15ns | |||||||
![]() | IS26KS256S-DPBLA100-TR | - | ![]() | 5152 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 前回購入します | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
MR3A16ACMA35 | 40.7800 | ![]() | 334 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-lfbga | MR3A16 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 3V〜3.6V | 48-fbga (10x10) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 819-MR3A16ACMA35 | ear99 | 8542.32.0071 | 240 | 不揮発性 | 8mbit | 35 ns | ラム | 512K x 16 | 平行 | 35ns | ||||
![]() | S29GL064N11TFIV10 | - | ![]() | 6823 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-n | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL064 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 不揮発性 | 64mbit | 110 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 110ns | ||||
![]() | CAT24C128HU3IGT3 | - | ![]() | 6524 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | CAT24C128 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-udfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | 不揮発性 | 128kbit | 400 ns | Eeprom | 16k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | RV639AV-C | 17.5000 | ![]() | 3043 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-RV639AV-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S29GL256S10DHI020 | 6.9825 | ![]() | 6969 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | S29GL032N90FAI010 | - | ![]() | 4051 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-n | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL032 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 不揮発性 | 32mbit | 90 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 90ns | ||||
![]() | CG7926AT | - | ![]() | 3534 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | GS816036DGT-250I | 22.0481 | ![]() | 7287 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 100-lqfp | GS816036 | sram- 同期、標準 | 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V | 100-TQFP (20x14 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS816036DGT-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | Cy7C1460KV25-167BZCT | - | ![]() | 6287 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1460 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.4 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |||
M95320-DFMC6TG | 0.5700 | ![]() | 74 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | M95320 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-ufdfpn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 20 MHz | 不揮発性 | 32kbit | Eeprom | 4k x 8 | spi | 5ms | |||||
MX25V16066ZNI02 | 0.4870 | ![]() | 4614 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.3V〜3.6V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 1092-MX25V16066ZNI02 | 570 | 80 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 2、16m x 1 | spi | 180µs 、4ms | ||||||||
![]() | W29N01HVBIAA | - | ![]() | 9107 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | * | トレイ | sicで中止されました | W29N01 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | CY7C09199V-6AXC | - | ![]() | 1554 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C09199 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 90 | 100 MHz | 揮発性 | 1.152mbit | 6.5 ns | sram | 128k x 9 | 平行 | - | |||
![]() | Cy10E484L-7DCQ | 53.2000 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜75°C(Ta) | 穴を通して | 28-CDIP (0.400 "、10.16mm) | Cy10E484 | sram-非同期 | 4.94V〜5.46V | 28-CDIP | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 16kbit | 7 ns | sram | 4k x 4 | 平行 | 8ns | ||||
![]() | Cy7C1412AV18-200BZXC | 44.8100 | ![]() | 121 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1412 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 7 | 200 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 2m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | N25Q128A13ESEDFG | - | ![]() | 9726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | N25Q128A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,800 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||||
![]() | SST26VF016B-104V/SM | 2.2200 | ![]() | 342 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST26SQI® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | SST26VF016 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.31.0001 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 1.5ms | ||||
![]() | HM4-6516B | 20.0000 | ![]() | 678 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES | - | ![]() | 9497 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 死ぬ | MT29F256G08 | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.5V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 333 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | IS42SM16400M-75BLI | 3.0706 | ![]() | 5473 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42SM16400 | sdram-モバイル | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 6 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | 70V24L20JGI | - | ![]() | 5645 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-LCC | 70V24L | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 84-PLCC (29.31x29.31 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 15 | 揮発性 | 64kbit | 20 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 20ns |
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