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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
M58WR032KB7AZB6E Micron Technology Inc. M58WR032KB7AZB6E -
RFQ
 ECAD 5823 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-VFBGA M58WR032 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-VFBGA （7.7x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 336 66 MHz 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
MX25L6435EXCI-10G Macronix MX25L6435EXCI-10G -
RFQ
 ECAD 5426 0.00000000 マクロニックス MX25XXX35/36 -MXSMIO™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-TBGA 、CSPBGA MX25L6435 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-cspbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi 300μs5ms
IDT71P79804S250BQI Renesas Electronics America Inc IDT71P79804S250BQI -
RFQ
 ECAD 9653 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IDT71P79 sram- ddr ii 1.7V〜1.9V 165-CABGA（13x15） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71P79804S250BQI 3A991B2A 8542.32.0041 136 250 MHz 揮発性 18mbit 6.3 ns sram 1m x 18 平行 -
CY7C1623KV18-333BZXC Infineon Technologies Cy7C1623KV18-333BZXC -
RFQ
 ECAD 2769 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1623 sram- ddr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 333 MHz 揮発性 144mbit sram 8m x 18 平行 -
24LC16BHT-E/SN Microchip Technology 24LC16BHT-E/SN 0.4950
RFQ
 ECAD 4163 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 24LC16B Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 400 kHz 不揮発性 16kbit 900 ns Eeprom 2k x 8 i²c 5ms
S25FS064SAGMFM010 Infineon Technologies S25FS064SAGMFM010 -
RFQ
 ECAD 4129 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、FS-S トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） S25FS064 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 280 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi -
CAT24C02LI-G onsemi cat24c02li-g -
RFQ
 ECAD 6395 0.00000000 onsemi - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） CAT24C02 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-pdip ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 50 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
7140SA70JI8 Renesas Electronics America Inc 7140SA70JI8 -
RFQ
 ECAD 8263 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 52-lcc 7140SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 - ROHS非準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0041 400 揮発性 8kbit 70 ns sram 1k x 8 平行 70ns
M95320-DRMC6TG STMicroelectronics M95320-DRMC6TG -
RFQ
 ECAD 9673 0.00000000 stmicroelectronics - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド M95320 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-ufdfpn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 20 MHz 不揮発性 32kbit Eeprom 4k x 8 spi 5ms
AS7C316098A-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C316098A-10bin 23.2300
RFQ
 ECAD 907 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-lfbga AS7C316098 sram-非同期 3V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1056 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 16mbit 10 ns sram 1m x 16 平行 10ns
70V37L20PF Renesas Electronics America Inc 70V37L20PF -
RFQ
 ECAD 8918 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 70V37L sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 6 揮発性 576kbit 20 ns sram 32k x 18 平行 20ns
M29W800DB70N6E Micron Technology Inc. M29W800DB70N6E -
RFQ
 ECAD 8669 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 576 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
7015L15PF Renesas Electronics America Inc 7015L15PF -
RFQ
 ECAD 6375 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 80-lqfp 7015L15 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 80-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 45 揮発性 72kbit 15 ns sram 8k x 9 平行 15ns
IS25LP512M-RMLA3-TY Seiko Instruments IS25LP512M-RMLA3-TY 8.8410
RFQ
 ECAD 8488 0.00000000 Seiko Instruments aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - 2.3V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25LP512M-RMLA3-TY 176 133 MHz 不揮発性 512mbit 7 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 50µs、1ms
MX25R2035FM1IL0 Macronix MX25R2035FM1IL0 0.3395
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 マクロニックス MXSMIO™ チューブ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） MX25R2035 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 98 33 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 100μs10ms
IS66WV51216EBLL-70TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EBLL-70TLI 2.4473
RFQ
 ECAD 5649 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS66WV51216 psram（pseudo sram 2.5V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 8mbit 70 ns psram 512K x 16 平行 70ns
RC28F00AP30TFA Micron Technology Inc. RC28F00AP30TFA -
RFQ
 ECAD 8947 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F00 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52 MHz 不揮発性 1gbit 100 ns フラッシュ 64m x 16 平行 100ns
W631GG6MB-12 Winbond Electronics W631GG6MB-12 3.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6MB-12 ear99 8542.32.0032 198 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
N24C02UDTG onsemi N24C02UDTG 0.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-VFSOP （0.091 "、幅2.30mm） N24C02 Eeprom 1.6V〜5.5V US8 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 1 MHz 不揮発性 2kbit 450 ns Eeprom 128 x 16 i²c 4ms
NAND512W3A2CN6E Micron Technology Inc. NAND512W3A2CN6E -
RFQ
 ECAD 5620 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND512 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND512W3A2CN6E 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 512mbit 50 ns フラッシュ 64m x 8 平行 50ns
MT29F64G08CBCABH1-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCABH1-10Z：TR -
RFQ
 ECAD 9053 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
M39L0R8090U3ZE6F TR Micron Technology Inc. M39L0R8090U3ZE6F TR -
RFQ
 ECAD 4213 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 133-VFBGA M39L0R8090 フラッシュ -モバイルLPDDRSDRAM 1.7V〜1.95V 133-VFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性、揮発性 256mbit 、512mbit 70 ns フラッシュ、ラム 16m x 16、32m x 16 平行 -
W972GG6JB25I TR Winbond Electronics w972gg6jb25i tr -
RFQ
 ECAD 4597 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA W972GG6 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-WBGA （11x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 200 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
7019L20PF Renesas Electronics America Inc 7019L20PF -
RFQ
 ECAD 1095 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 7019L20 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 6 揮発性 1.125mbit 20 ns sram 128k x 9 平行 20ns
MT28EW01GABA1HJS-0AAT Micron Technology Inc. MT28EW01GABA1HJS-0AAT 16.4250
RFQ
 ECAD 3072 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28EW01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 1gbit 105 ns フラッシュ 128m x 8、64m x 16 平行 60ns
71T75902S75PFG8 Renesas Electronics America Inc 71T75902S75PFG8 40.3305
RFQ
 ECAD 9957 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 71T75902 sram- sdr（zbt） 2.375V〜2.625V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 18mbit 7.5 ns sram 1m x 18 平行 -
AT27LV040A-15TI Microchip Technology AT27LV040A-15TI -
RFQ
 ECAD 7792 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） AT27LV040 eprom -otp 3V〜3.6V 32-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない AT27LV040A15TI 3A991B1B1 8542.32.0061 156 不揮発性 4mbit 150 ns eprom 512k x 8 平行 -
V29GL512P10TAI010 Infineon Technologies V29GL512P10TAI010 -
RFQ
 ECAD 8918 0.00000000 Infineon Technologies GL-P バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） 29GL512P フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 512mbit フラッシュ 32m x 16 平行 -
IDT71V65802S133BQI Renesas Electronics America Inc IDT71V65802S133BQI -
RFQ
 ECAD 2748 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IDT71v65802 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 165-CABGA（13x15） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V65802S133BQI 3A991B2A 8542.32.0041 136 133 MHz 揮発性 9mbit 4.2 ns sram 512K x 18 平行 -
IDT71V124SA10PH Renesas Electronics America Inc IDT71V124SA10PH -
RFQ
 ECAD 2071 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-SOIC （0.400 "、幅 10.16mm） IDT71V124 sram-非同期 3.15V〜3.6V 32-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V124SA10PH 3A991B2B 8542.32.0041 23 揮発性 1mbit 10 ns sram 128k x 8 平行 10ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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