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メモリ（ 70838）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
S25FL116K0XMFIQ10 Infineon Technologies S25FL116K0XMFIQ10 -
RFQ
 ECAD 2009年 0.00000000 Infineon Technologies fl1-k トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） S25FL116 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 280 108 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
CY7C1265V18-450BZC Infineon Technologies Cy7C1265V18-450bzc -
RFQ
 ECAD 7411 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1265 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない -cy7c1265v18 3A991B2A 8542.32.0041 105 450 MHz 揮発性 36mbit sram 1m x 36 平行 -
BR25H128F-5ACE2 Rohm Semiconductor BR25H128F-5ACE2 0.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） Eeprom 1.7V〜5.5V 8ソップ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2,500 20 MHz 不揮発性 128kbit Eeprom 16k x 8 spi 3.5ms
S29GL128S10TFB023 Infineon Technologies S29GL128S10TFB023 4.8311
RFQ
 ECAD 1206 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、GL-S テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 56-tsop - ROHS3準拠 影響を受けていない 1,000 不揮発性 128mbit 100 ns フラッシュ 16m x 8 CFI 60ns
W25Q01NWZEIM Winbond Electronics w25q01nwzeim 10.1250
RFQ
 ECAD 9847 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q01 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q01NWZEIM 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 1gbit 7 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o、qpi 3ms
TH58BVG2S3HBAI6 Kioxia America, Inc. TH58BVG2S3HBAI6 6.3600
RFQ
 ECAD 3774 0.00000000 Kioxia America Benand™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 67-VFBGA Th58bvg2 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 67-VFBGA （6.5x8） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 338 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 - -
W29GL064CT7B Winbond Electronics W29GL064CT7B -
RFQ
 ECAD 5983 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga W29GL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lfbga（11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 171 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT25QL256ABA8ESF-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8ESF-0SIT 5.9500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
CY7C1412KV18-300BZC Infineon Technologies Cy7C1412KV18-300BZC -
RFQ
 ECAD 9035 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1412 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 300 MHz 揮発性 36mbit sram 2m x 18 平行 -
AT24C08BN-SH-B Microchip Technology AT24C08BN-SH-B -
RFQ
 ECAD 4785 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT24C08 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 1 MHz 不揮発性 8kbit 550 ns Eeprom 1k x 8 i²c 5ms
IS46R16320D-6TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-6TLA2 11.0031
RFQ
 ECAD 6109 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS46R16320 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 108 166 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
CAT28C65BJ-90T Catalyst Semiconductor Inc. CAT28C65BJ-90T -
RFQ
 ECAD 1785 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けた 2156-CAT28C65BJ-90T-736 1
S29GL01GS11DHSS20 Infineon Technologies S29GL01GS11DHSS20 12.4950
RFQ
 ECAD 4206 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ アクティブ 0°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,600 不揮発性 1gbit 110 ns フラッシュ 64m x 16 平行 60ns
CAT93C46RBHU4IGT3 onsemi CAT93C46RBHU4IGT3 -
RFQ
 ECAD 7075 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド CAT93C46 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-udfn-ep（2x3） - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 8542.32.0051 3,000 4 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8、64 x 16 マイクロワイヤ -
IS43TR16512AL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-107MBLI-TR -
RFQ
 ECAD 5090 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-lfbga （10x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR16512AL-107MBLI-TR ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR Micron Technology Inc. MT29E256G08CMCDBJ5-6：D TR -
RFQ
 ECAD 9478 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-TBGA MT29E256G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
34AA04T-I/SN Microchip Technology 34AA04T-I/SN 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 34AA04 Eeprom 1.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 1 MHz 不揮発性 4kbit 350 ns Eeprom 256 x 8 x 2 i²c 5ms
24FC04HT-I/MS Microchip Technology 24FC04HT-I/MS 0.3450
RFQ
 ECAD 2119 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅） 24FC04 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 不揮発性 4kbit 450 ns Eeprom 256 x 8 x 2 i²c 5ms
709099L12PF Renesas Electronics America Inc 709099L12PF -
RFQ
 ECAD 4818 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 709099l sram- デュアルポート、同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 6 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 -
DS28E01P-BOS+T Analog Devices Inc./Maxim Integrated ds28e01p-bos+t -
RFQ
 ECAD 1506 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-smd、Jリード DS28E01 Eeprom 2.85V〜5.25V 6-TSOC - ROHS3準拠 175-DS28E01P-BOS+TTR 廃止 4,000 不揮発性 1kbit 2 µs Eeprom 256 x 4 1-Wire® -
24AA128T-E/ST16KVAO Microchip Technology 24AA128T-E/ST16KVAO -
RFQ
 ECAD 5648 0.00000000 マイクロチップテクノロジー aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 24AA128 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-tssop ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 不揮発性 128kbit 900 ns Eeprom 16k x 8 i²c 5ms
CY7C1668KV18-550BZXC Infineon Technologies Cy7C1668KV18-550BZXC 488.2850
RFQ
 ECAD 9760 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1668 sram- ddr II+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 525 550 MHz 揮発性 144mbit sram 8m x 18 平行 -
S29GL064S80DHB023 Infineon Technologies S29GL064S80DHB023 4.6550
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、GL-S テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga S29GL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,200 不揮発性 64mbit 80 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 9240 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR 2,500 1.6 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL 18ns
X28HC256JZ-90 Renesas Electronics America Inc X28HC256JZ-90 38.0823
RFQ
 ECAD 6140 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-lcc Eeprom 4.5v〜5.5V 32-PLCC（ 13.97x11.43 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 20-X28HC256JZ-90 1 不揮発性 256kbit 90 ns Eeprom 32k x 8 平行 5ms
R1LP5256ESA-5SI#B1 Renesas Electronics America Inc R1LP5256ESA-5SI ＃B1 3.4700
RFQ
 ECAD 935 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） R1LP5256 sram 4.5v〜5.5V 28-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -1161-R1LP5256ESA-5SI＃B1 ear99 8542.32.0041 234 揮発性 256kbit 55 ns sram 32k x 8 平行 55ns
MT25QL01GBBB8E12-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB8E12-0SIT 18.0400
RFQ
 ECAD 287 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGDWB-IT：G TR 2.8500
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn MT29F2G01 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 8-updfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 2g x 1 spi -
CY7C1061GE30-10BVXI Infineon Technologies Cy7C1061GE30-10BVXI 38.5000
RFQ
 ECAD 4349 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy7C1061 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,400 揮発性 16mbit 10 ns sram 1m x 16 平行 10ns
S25FL256SAGMFIR13 Infineon Technologies S25FL256SAGMFIR13 4.5850
RFQ
 ECAD 4405 0.00000000 Infineon Technologies fl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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