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メモリ（70500）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CAT28F512G90 | - |  | 5239 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 32-lcc | CAT28F512 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC （11.43x13.97 | ダウンロード | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 不揮発性 | 512kbit | 90 ns | フラッシュ | 64k x 8 | 平行 | 90ns | |||||
 | S29AS016J70BFA043 | 2.1383 | | 1194 | 0.00000000 | Infineon Technologies | as-j | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | S29AS016 | フラッシュ -ブートブロック | 1.65V〜1.95V | 48-FBGA （8.15x6.15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
 | AS4C16M16D1A-5TINTR | 3.4742 | | 9349 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | AS4C16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |||
 | A5323356-C | 47.5000 | | 9447 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A5323356-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | S25FL256SAGBHI310 | - | | 7146 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | fl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga （6x8） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2832-S25FL256SAGBHI310 | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | 確認されていません | |||||
 | IS46TR16640CL-125JBLA1-TR | 3.5165 | | 8502 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS46TR16640CL-125JBLA1-TR | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| S25FL064LABBHV030 | 2.3450 | | 1901年 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-l | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | S25FL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,380 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||
 | 71V65603ZS133PFG | 6.0000 | | 121 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | 71v65603 | SRAM -ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP | ダウンロード | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 9mbit | 4.2 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||||||
| 70V07S15JI | - | | 3313 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 68-lcc | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 68-PLCC（24.21x24.21 | - | 800-70V07S15JI | 1 | 揮発性 | 256kbit | 15 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 15ns | |||||||||
 | Cy7C1518AV18-250BZI | - | | 2493 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1518 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA （15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | ||||
 | FM24C03ULZMT8 | 0.3600 | | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | FM24C03 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 3.5 µs | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 15ms | |||
| 709269L6PFG | - | | 5303 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram- デュアルポート、標準 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP（14x14 | - | 800-709269L6PFG | 1 | 揮発性 | 256kbit | sram | 16k x 16 | 平行 | - | ||||||||||
| CG8404AA | - | | 3029 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 115 | ||||||||||||||||||
 | IDT71P71804S167BQ8 | - | | 6197 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | IDT71P71 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-CABGA（13x15） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 71P71804S167BQ8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 8.4 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
 | IS61VVF409618B-7.5TQL-TR | 125.3000 | | 3230 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | IS61VVF409618 | sram- sdr | 1.71V〜1.89V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 揮発性 | 72mbit | 7.5 ns | sram | 4m x 18 | 平行 | - | |||
| MT29F1T08EBLCHD4-M：c | 20.9850 | | 1058 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F1T08EBLCHD4-M：c | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | at25df041b-sshn-t | 1.0900 | | 18 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | AT25DF041 | フラッシュ | 1.65v〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 8µs、2.5ms | ||||
 | A8451131-C | 837.5000 | | 8213 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A8451131-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 483194-001-C | 17.5000 | | 4631 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-483194-001-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| SM671PXFLBFSS | 137.6000 | | 4471 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-SM671PXFLBFSS | 1 | |||||||||||||||||||||
 | CY7C1009D-10VXIT | 4.3600 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） | Cy7C1009 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 10ns | ||||
 | 93AA76A-I/ST | - | | 9171 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | 93AA76 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | マイクロワイヤ | 5ms | ||||
| MT29F2T08EMLEEJ4-QD：E TR | 52.9800 | | 7835 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QD：ETR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
| GD5F2GQ5REYIGY | 3.9138 | | 8997 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD5F2GQ5REYIGY | 4,800 | 80 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 11 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 600µs | ||||||||
 | D2516ACXGXGRK-U | 2.4700 | | 22 | 0.00000000 | キングストン | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C | 表面マウント | SDRAM -DDR4 | 1.2V | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3217-D2516ACXGXGRK-U | ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 揮発性 | ドラム | 平行 | |||||||||||
| MT29VZZZ7C7DQFSL-046 W.9J7 | - | | 4759 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | mt29vzzz7 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,520 | |||||||||||||||||||
| CG8852AAT | - | | 6544 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 2,500 | |||||||||||||||||||
| S29JL064J70TFA003 | 6.1622 | | 3553 | 0.00000000 | Infineon Technologies | JL-J | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1,000 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | CFI | ||||||||||
 | W25N01JWTBIG | 3.6750 | | 8163 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N01 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W25N01JWTBIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 6 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o、dtr | 700µs | ||
 | IDT71V65603S133PFI | - | | 4628 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71v65603 | sram- sdr（zbt） | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 71v65603S133pfi | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | 揮発性 | 9mbit | 4.2 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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