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メモリ（ 70838）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
IS43DR16128C-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-3DBL-TR 6.7500
RFQ
 ECAD 1217 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,500 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
25LC160CT-H/SN16KVAO Microchip Technology 25LC160CT-H/SN16KVAO -
RFQ
 ECAD 2975 0.00000000 マイクロチップテクノロジー aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜150°C（ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 25LC160 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A001A2A 8542.32.0051 3,300 5 MHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8 spi 5ms
R1EX24128ASAS0I#S0 Renesas Electronics America Inc R1EX24128ASAS0I ＃S0 4.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 2,500
M29W800DT70N6E Micron Technology Inc. M29W800DT70N6E -
RFQ
 ECAD 2663 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
70121S55J Renesas Electronics America Inc 70121S55J -
RFQ
 ECAD 9971 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc 70121S55 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 24 揮発性 18kbit 55 ns sram 2k x 9 平行 55ns
CY7S1041G30-10ZSXI Cypress Semiconductor Corp CY7S1041G30-10ZSXI -
RFQ
 ECAD 1668 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy7S1041 sram-非同期 2.2V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード 1 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns 確認されていません
AT25DF021-MHF-Y Adesto Technologies AT25DF021-MHF-Y -
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 Adesto Technologies - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-udfn露出パッド AT25DF021 フラッシュ 2.3V〜3.6V 8-udfn （5x6） ダウンロード 3 （168 時間） AT25DF021-MHF-YAD ear99 8542.32.0071 490 50 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 7µs 、5ms
AS7C3256A-12TINTR Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-12TINTR 2.1024
RFQ
 ECAD 2656 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） AS7C3256 sram-非同期 3V〜3.6V 28-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 256kbit 12 ns sram 32k x 8 平行 12ns
BR24S32FVT-WE2 Rohm Semiconductor BR24S32FVT-WE2 0.5502
RFQ
 ECAD 8829 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） BR24S32 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-TSSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 32kbit Eeprom 4k x 8 i²c 5ms
24AA16-E/P Microchip Technology 24AA16-E/p 0.5800
RFQ
 ECAD 7494 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） 24AA16 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 60 400 kHz 不揮発性 16kbit 900 ns Eeprom 2k x 8 i²c 5ms
IS61QDPB42M36A2-550B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A2-550B4L -
RFQ
 ECAD 9366 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61QDPB42 sram- クアッドポート、同期 1.71V〜1.89V 165-lfbga（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 550 MHz 揮発性 72mbit sram 2m x 36 平行 -
STK12C68-C45I Cypress Semiconductor Corp STK12C68-C45I 864.9700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 28-CDIP （0.300 "、7.62mm） STK12C68 nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 28-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8542.32.0041 26 不揮発性 64kbit 45 ns nvsram 8k x 8 平行 45ns 確認されていません
IS61LPS51236B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236B-200TQLI-TR 13.9821
RFQ
 ECAD 1941年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IS61LPS51236 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 揮発性 18mbit 3 ns sram 512K x 36 平行 -
MT28EW128ABA1HPC-0SIT Micron Technology Inc. MT28EW128ABA1HPC-0SIT 7.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga MT28EW128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 128mbit 95 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 60ns
MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT TR Micron Technology Inc. mt29c4g96mazbbcjv-48 it tr -
RFQ
 ECAD 7320 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-VFBGA MT29C4G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 208 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 256m x 16 平行 -
8403611JA Renesas Electronics America Inc 8403611ja -
RFQ
 ECAD 5135 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -55°C〜125°C 穴を通して 24-CDIP （0.600 "、15.24mm） 840361 sram-同期 4.5v〜5.5V 24-CDIP ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 800-8403611ja 廃止 15 揮発性 16kbit 55 ns sram 2k x 8 平行 55ns
23LCV512-I/ST Microchip Technology 23LCV512-I/ST 2.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 23LCV512 sram-同期 2.5V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 23LCV512IST ear99 8542.32.0051 100 20 MHz 揮発性 512kbit sram 64k x 8 spi-デュアルi/o -
IS43TR16640C-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640C-125JBLI-TR 3.2532
RFQ
 ECAD 3497 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR16640C-125JBLI-TR ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS64WV10248EEBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV10248EEBLL-10CTLA3-TR 11.0390
RFQ
 ECAD 3818 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS64WV10248EEBLL-10CTLA3-TR 1,000 揮発性 8mbit 10 ns sram 1m x 8 平行 10ns
7026L25GM Renesas Electronics America Inc 7026L25GM -
RFQ
 ECAD 2129 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - バルク 廃止 - 影響を受けていない 800-7026L25GM 廃止 1
CG8152AAT Infineon Technologies CG8152AAT -
RFQ
 ECAD 2616 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000
M27W401-80N6 STMicroelectronics M27W401-80N6 -
RFQ
 ECAD 4105 0.00000000 stmicroelectronics - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M27W401 eprom -otp 2.7V〜3.6V 32-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 8542.32.0061 156 不揮発性 4mbit 80 ns eprom 512k x 8 平行 -
CY7C1069GN30-10ZSXI Infineon Technologies Cy7C1069GN30-10ZSXI 53.7600
RFQ
 ECAD 5386 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy7C1069 sram-非同期 2.2V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 540 揮発性 16mbit 10 ns sram 2m x 8 平行 10ns
S29GL256N11FFA023 Infineon Technologies S29GL256N11FFA023 -
RFQ
 ECAD 2166 0.00000000 Infineon Technologies Automotive テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 256mbit 110 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 110ns
71321LA55J8 Renesas Electronics America Inc 71321LA55J8 -
RFQ
 ECAD 4255 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc 71321LA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 400 揮発性 16kbit 55 ns sram 2k x 8 平行 55ns
815101-K21-C ProLabs 815101-K21-C 615.0000
RFQ
 ECAD 9109 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-815101-K21-C ear99 8473.30.5100 1
CY7C1297S-133AXC Infineon Technologies CY7C1297S-133AXC -
RFQ
 ECAD 5191 0.00000000 Infineon Technologies - バッグ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1297 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x14 - ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 1mbit sram 64k x 18 平行 -
IS43TR16512B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512B-125KBLI 26.1600
RFQ
 ECAD 658 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1657 ear99 8542.32.0036 136 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 -
GS81282Z18GD-333I GSI Technology Inc. GS81282Z18GD-333I 277.5900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 GSI Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜100°C （TJ 表面マウント 165-lbga GS81282Z18 sram- zbt 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V 165-FPBGA（13x15） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2364-GS81282Z18GD-333I ear99 8542.32.0041 10 333 MHz 揮発性 144mbit sram 8m x 18 平行 -
S29GL128N11FFI010 Cypress Semiconductor Corp S29GL128N11FFI010 5.8587
RFQ
 ECAD 179 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp gl-n トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 2832-S29GL128N11FFI010 179 不揮発性 128mbit 110 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 110ns 確認されていません
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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