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メモリ（ 70838）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ コントローラータイプ
A3138306-C ProLabs A3138306-C 51.2500
RFQ
 ECAD 7203 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-A3138306-C ear99 8473.30.5100 1
IDT71256L25YI8 Renesas Electronics America Inc IDT71256L25YI8 -
RFQ
 ECAD 8055 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） IDT71256 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 71256L25YI8 ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 256kbit 25 ns sram 32k x 8 平行 25ns
IS65C256AL-25TLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65C256AL-25TLA3-TR 2.7498
RFQ
 ECAD 3177 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） IS65C256 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 2,000 揮発性 256kbit 25 ns sram 32k x 8 平行 25ns
S25FL129P0XBHIZ03 Infineon Technologies S25FL129P0XBHIZ03 -
RFQ
 ECAD 7726 0.00000000 Infineon Technologies fl-p テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga S25FL129 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 5µs、3ms
M25P64-VMF6G Micron Technology Inc. M25P64-VMF6G -
RFQ
 ECAD 1660 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） M25P64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 50 50 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi 15ms、5ms
CAT24FC256XI-TE13 Catalyst Semiconductor Inc. CAT24FC256XI-TE13 -
RFQ
 ECAD 6320 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） CAT24FC256 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 2,000 1 MHz 不揮発性 256kbit 500 ns Eeprom 32k x 8 i²c 5ms
S29AS008J70BHI040 Infineon Technologies S29AS008J70BHI040 -
RFQ
 ECAD 4540 0.00000000 Infineon Technologies as-j トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA S29AS008 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 48-FBGA （8.15x6.15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 338 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
70V3599S133BFI Renesas Electronics America Inc 70V3599S133BFI 256.1614
RFQ
 ECAD 1100 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 208-LFBGA 70V3599 sram- デュアルポート、同期 3.15V〜3.45V 208-CABGA （15x15 ダウンロード ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 7 133 MHz 揮発性 4.5mbit 4.2 ns sram 128k x 36 平行 -
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR -
RFQ
 ECAD 5490 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 mt29vzzzad8 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,000
AS4C64M8D2-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D2-25BCN 4.2446
RFQ
 ECAD 3365 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1128 ear99 8542.32.0028 264 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
815098-K21-C ProLabs 815098-K21-C 162.0000
RFQ
 ECAD 5579 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-815098-K21-C ear99 8473.30.5100 1
IS43DR86400D-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400D-3DBLI-TR 5.8650
RFQ
 ECAD 2503 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,000 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
CY7C1399BNL-15VXC Infineon Technologies Cy7C1399BNL-15VXC -
RFQ
 ECAD 6764 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） Cy7C1399 sram-非同期 3V〜3.6V 28-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 27 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 15ns
A6761613-C ProLabs A6761613-C 48.5000
RFQ
 ECAD 2397 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-A6761613-C ear99 8473.30.5100 1
MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR Micron Technology Inc. MT29F512G08ELCDBG7-37ES：D Tr -
RFQ
 ECAD 8873 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
AS6C62256-55STINTR Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55STINTR 2.5643
RFQ
 ECAD 1601 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） AS6C62256 sram-非同期 2.7V〜5.5V 28ステップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,500 揮発性 256kbit 55 ns sram 32k x 8 平行 55ns
N82C08-20 Intel N82C08-20 29.9900
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 インテル - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 68-lcc 4.5v〜5.5V 68-PLCC ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1 ダイナミックラム（ドラム）
GD25LB512MEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEY2GY 7.1953
RFQ
 ECAD 5315 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LB トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wson （6x8） - 1970-GD25LB512MEY2GY 4,800 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
SST39VF800A-70-4C-B3KE-T Microchip Technology SST39VF800A-70-4C-B3KE-T 1.9350
RFQ
 ECAD 1073 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST39 MPF™ テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFBGA SST39VF800 フラッシュ 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 512K x 16 平行 20µs
7016S35J Renesas Electronics America Inc 7016S35J -
RFQ
 ECAD 9309 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 68-lcc 7016S35 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 68-PLCC（24.21x24.21 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 18 揮発性 144kbit 35 ns sram 16k x 9 平行 35ns
93LC86BT-I/SN Microchip Technology 93LC86BT-I/SN 0.5600
RFQ
 ECAD 1253 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 93LC86 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 3 MHz 不揮発性 16kbit Eeprom 1k x 16 マイクロワイヤ 5ms
W25R128JVPIQ TR Winbond Electronics w25r128jvpiq tr 2.2050
RFQ
 ECAD 4876 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25R128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25R128JVPIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
S29AL008J70BAI020 Infineon Technologies S29AL008J70BAI020 1.5743
RFQ
 ECAD 5415 0.00000000 Infineon Technologies al-j トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA S29AL008 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-FBGA （8.15x6.15） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,380 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
IS61QDB42M18C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB42M18C-250M3L -
RFQ
 ECAD 7927 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga IS61QDB42 sram- 同期、クワッド 1.71V〜1.89V 165-lfbga（15x17） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 揮発性 36mbit 8.4 ns sram 2m x 18 平行 -
IDT71V35761SA166BQ8 Renesas Electronics America Inc IDT71V35761SA166BQ8 -
RFQ
 ECAD 4248 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IDT71V35761 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA（13x15） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V35761SA166BQ8 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 166 MHz 揮発性 4.5mbit 3.5 ns sram 128k x 36 平行 -
71321LA35TF Renesas Electronics America Inc 71321LA35TF -
RFQ
 ECAD 2625 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 64-LQFP 71321LA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 64-TQFP （10x10） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 40 揮発性 16kbit 35 ns sram 2k x 8 平行 35ns
S29GL032N90FFI022 Infineon Technologies S29GL032N90FFI022 -
RFQ
 ECAD 7975 0.00000000 Infineon Technologies gl-n テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL032 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 400 不揮発性 32mbit 90 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 90ns
MT53E2G64D8TN-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 AAT：a 122.8500
RFQ
 ECAD 7137 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 556-LFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 556-LFBGA（12.4x12.4 - 557-MT53E2G64D8TN-046AAT：a 1 2.133 GHz 揮発性 128GBIT 3.5 ns ドラム 2g x 64 平行 18ns
CY27C512-120JC Cypress Semiconductor Corp Cy27C512-120JC 2.0100
RFQ
 ECAD 5959 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-lcc Cy27C512 eprom -otp 4.5v〜5.5V 32-PLCC（ 13.97x11.43 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.32.0071 1 不揮発性 512kbit 120 ns eprom 64k x 8 平行 -
S25FL129P0XBHIZ13 Infineon Technologies S25FL129P0XBHIZ13 -
RFQ
 ECAD 8835 0.00000000 Infineon Technologies fl-p テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga S25FL129 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 5µs、3ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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