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メモリ（70500）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
25LC080D-I/MS Microchip Technology 25LC080D-I/MS 0.7500
RFQ
 ECAD 3655 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅） 25LC080 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 25LC080DIMS ear99 8542.32.0051 100 10 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 spi 5ms
IS43TR16128B-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-15HBL-TR -
RFQ
 ECAD 4929 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
S29GL128P11FAIV20 Infineon Technologies S29GL128P11FAIV20 7.6800
RFQ
 ECAD 2918 0.00000000 Infineon Technologies GL-P トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL128 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 不揮発性 128mbit 110 ns フラッシュ 16m x 8 平行 110ns
MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G01ABBFDWB-ITS：F TR -
RFQ
 ECAD 1091 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn MT29F4G01 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 8-updfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 83 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
S25FL128P0XMFI001 Cypress Semiconductor Corp S25FL128P0XMFI001 5.3100
RFQ
 ECAD 8477 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp fl-p チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 3ms
IS25LP256D-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-RHLE-TR 3.6908
RFQ
 ECAD 2770 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga IS25LP256 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 800µs
71421SA55J Renesas Electronics America Inc 71421SA55J -
RFQ
 ECAD 7537 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc 71421SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 24 揮発性 16kbit 55 ns sram 2k x 8 平行 55ns
CY7C12481KV18-400BZXC Infineon Technologies Cy7C12481KV18-400BZXC -
RFQ
 ECAD 5418 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C12481 sram- ddr II+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 400 MHz 揮発性 36mbit sram 2m x 18 平行 -
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 WT：B TR 13.2750
RFQ
 ECAD 2178 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA MT53E512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E512M32D1ZW-046WT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit 3.5 ns ドラム 512m x 32 平行 18ns
MT53E128M16D1Z19MWC1 Micron Technology Inc. MT53E128M16D1Z19MWC1 10.3800
RFQ
 ECAD 7120 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT53E128M16D1Z19MWC1 1
S29VS256RABBHI010 Cypress Semiconductor Corp S29VS256RABBHI010 -
RFQ
 ECAD 2664 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp vs-r トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-VFBGA S29VS256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 44-FBGA （7.5x5） ダウンロード ROHS非準拠 適用できない 未定義のベンダー 2832-S29VS256RABBHI010 1 108 MHz 不揮発性 256mbit 80 ns フラッシュ 16m x 16 平行 60ns 確認されていません
GD25LR256EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR256EWIGR 2.8079
RFQ
 ECAD 7360 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LR テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wson - 1970-GD25LR256EWIGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 256mbit 9 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 70µs、1.2ms
MT53E384M32D2DS-053 AUT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-053 AUT：e -
RFQ
 ECAD 3305 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 200-WFBGA MT53E384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E384M32D2DS-053AUT：e ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
S29PL064J55BFI123 Infineon Technologies S29PL064J55BFI123 -
RFQ
 ECAD 3948 0.00000000 Infineon Technologies pl-j テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA S29PL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-FBGA （8.15x6.15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 64mbit 55 ns フラッシュ 4m x 16 平行 55ns
GS81302QT37GE-300I GSI Technology Inc. GS81302QT37GE-300I 220.9200
RFQ
 ECAD 1841年年 0.00000000 GSI Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜100°C （TJ 表面マウント 165-lbga GS81302QT37 sram- クアッドポート、同期 1.7V〜1.9V 165-fpbga（15x17 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2364-GS81302QT37GE-300I 3A991B2B 8542.32.0041 10 300 MHz 揮発性 144mbit sram 4m x 36 平行 -
MCX2CD731-C ProLabs MCX2CD731-C 120.0000
RFQ
 ECAD 1170 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-MCX2CD731-C ear99 8473.30.5100 1
EDFA232A2PD-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFA232A2PD-GD-FD -
RFQ
 ECAD 6334 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDFA232 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,680 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 平行 -
71V424S15YGI8 Renesas Electronics America Inc 71V424S15YGI8 -
RFQ
 ECAD 9749 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 36-bsoj（0.400 "、10.16mm 幅） 71V424 sram-非同期 3V〜3.6V 36-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 500 揮発性 4mbit 15 ns sram 512k x 8 平行 15ns
EDFA164A2MA-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFA164A2MA-JD-FD -
RFQ
 ECAD 6448 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDFA164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,980 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 - 確認されていません
MT29C1G12MAADYAKE-5 IT TR Micron Technology Inc. mt29c1g12maadyake-5 it tr -
RFQ
 ECAD 7380 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-TFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-TFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
W94AD6KBHX5I TR Winbond Electronics w94ad6kbhx5i tr 3.9774
RFQ
 ECAD 4767 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA W94AD6 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,500 200 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
SNPY898NC/16G-C ProLabs SNPY898NC/16G-C 51.2500
RFQ
 ECAD 5415 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-SNPY898NC/16G-C ear99 8473.30.5100 1
MT55L512Y36PF-10 Micron Technology Inc. MT55L512Y36PF-10 20.9200
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA MT55L512Y sram- zbt 3.135V〜3.465V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 18mbit 5 ns sram 512K x 36 平行 -
M5M5V108DKV-70H#BT Renesas Electronics America Inc M5M5V108DKV-70H bt 6.3000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0041 1
HN27C4001G12 Renesas Electronics America Inc HN27C4001G12 26.4500
RFQ
 ECAD 168 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 32-CDIP （0.600 "、15.24mm ）ウィンドウ HN27C EPROM -UV 4.5v〜5.5V 32-CDIP ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0061 1 不揮発性 4mbit 120 ns eprom 512k x 8 平行
CG6848AT Cypress Semiconductor Corp CG6848AT -
RFQ
 ECAD 4452 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー 1
CY7C131-30JI Cypress Semiconductor Corp Cy7C131-30JI -
RFQ
 ECAD 6406 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 52-lcc Cy7C131 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8542.32.0041 1 揮発性 8kbit 30 ns sram 1k x 8 平行 30ns
CY7C1145KV18-400ZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1145KV18-400ZXC 31.1600
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1145 sram- qdr ii+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 450 MHz 揮発性 18mbit sram 512K x 36 平行 -
CG6752ATT Cypress Semiconductor Corp CG6752ATT -
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0041 1
CAT25320VE-GC onsemi CAT25320VE-GC 0.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onsemi - バルク アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT25320 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 10 MHz 不揮発性 32kbit Eeprom 4k x 8 spi 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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