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メモリ（70500）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
M27C512-70C6 STMicroelectronics M27C512-70C6 -
RFQ
 ECAD 9682 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-lcc M27C512 eprom -otp 4.5v〜5.5V 32-PLCC （11.43x13.97 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0061 32 不揮発性 512kbit 70 ns eprom 64k x 8 平行 -
AT25080AY1-10YU-1.8 Microchip Technology AT25080AY1-10YU-1.8 -
RFQ
 ECAD 3365 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド AT25080 Eeprom 1.8V〜5.5V 8 マップ（ 3x4.9） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 120 20 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 spi 5ms
UPD46184184BF1-E40-EQ1-A Renesas Electronics America Inc UPD46184184BF1-E40-EQ1-A 42.0700
RFQ
 ECAD 527 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1
GD25LT512MEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEBARY 10.1346
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LT トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 24-tfbga - 1970-GD25LT512MEBARY 4,800 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
CY7C1471BV33-133AXC Infineon Technologies Cy7C1471BV33-133AXC 172.5500
RFQ
 ECAD 8220 0.00000000 Infineon Technologies NOBL™ トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1471 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 揮発性 72mbit 6.5 ns sram 2m x 36 平行 -
CY7C1370DV25-167BZI Infineon Technologies Cy7C1370DV25-167BZI -
RFQ
 ECAD 1002 0.00000000 Infineon Technologies NOBL™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1370 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-FBGA - ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 167 MHz 揮発性 18mbit 3.4 ns sram 512K x 36 平行 -
S29GL01GS10FAI020 Infineon Technologies S29GL01GS10FAI020 12.4950
RFQ
 ECAD 6947 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2832-S29GL01GS10FAI020-428 3A991B1A 8542.32.0071 360 不揮発性 1gbit 100 ns フラッシュ 64m x 16 平行 60ns
71V416L12YG8 IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416L12YG8 4.1400
RFQ
 ECAD 430 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） 71V416L sram-非同期 3V〜3.6V 44-SOJ ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 12 ns sram 256k x 16 平行 12ns
USBMISC Infineon Technologies usbmisc -
RFQ
 ECAD 9144 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 - 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 1
71V124SA10PHG8 Renesas Electronics America Inc 71V124SA10PHG8 -
RFQ
 ECAD 9868 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-SOIC （0.400 "、幅 10.16mm） 71V124 sram-非同期 3.15V〜3.6V 32-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 1,500 揮発性 1mbit 10 ns sram 128k x 8 平行 10ns
M93C86-RMN3TP/K STMicroelectronics M93C86-RMN3TP/K 0.6800
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 stmicroelectronics aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M93C86 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 2 MHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8、1k x 16 マイクロワイヤ 5ms
C-1866D3SR8RN/4G ProLabs C-1866D3SR8RN/4G 60.0000
RFQ
 ECAD 5919 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-C-1866D3SR8RN/4G ear99 8473.30.5100 1
GD55LT01GEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEF2RR 17.1434
RFQ
 ECAD 6424 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD55LT テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 16ソップ - 1970-GD55LT01GEF2RRTR 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o -
NLQ83PFS-6NAT Insignis Technology Corporation NLQ83PFS-6NAT 21.6750
RFQ
 ECAD 6939 0.00000000 Insignis Technology Corporation - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-FBGA （10x14.5） - 1982-NLQ83PFS-6NAT 2,000 1.6 GHz 揮発性 8gbit 3.5 ns ドラム 256m x 32 LVSTL 18ns
CY7C1570XV18-633BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1570xv18-633bzxc 473.2900
RFQ
 ECAD 288 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1570 sram- ddr II+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード 1 633 MHz 揮発性 72mbit sram 2m x 36 平行 - 確認されていません
SST39WF1602-70-4I-B3KE Microchip Technology SST39WF1602-70-4I-B3KE 2.6400
RFQ
 ECAD 3988 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST39 MPF™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA SST39WF1602 フラッシュ 1.65V〜1.95V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 480 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 1m x 16 平行 40µs
IS61WV51216EEALL-20BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EEALL-20BLI 7.2079
RFQ
 ECAD 7444 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV51216EEALL-20BLI 480 揮発性 8mbit 20 ns sram 512K x 16 平行 20ns
70261S20PFG8 Renesas Electronics America Inc 70261S20PFG8 -
RFQ
 ECAD 3987 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 70261S20 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 - 800-70261S20PFG8TR 廃止 250 揮発性 256kbit 20 ns sram 16k x 16 平行 20ns
IDT71V3557S80BQ Renesas Electronics America Inc IDT71V3557S80BQ -
RFQ
 ECAD 7252 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IDT71V3557 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 165-CABGA（13x15） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V3557S80BQ 3A991B2A 8542.32.0041 136 揮発性 4.5mbit 8 ns sram 128k x 36 平行 -
AS7C38096A-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS7C38096A-10BINTR 10.3075
RFQ
 ECAD 3547 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-lfbga AS7C38096 sram-非同期 3V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 8mbit 10 ns sram 1m x 8 平行 10ns
S29GL128P90FFSS90 Infineon Technologies S29GL128P90FFSS90 -
RFQ
 ECAD 6787 0.00000000 Infineon Technologies GL-P トレイ 廃止 0°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2832-S29GL128P90FFSS90 3A991B1A 8542.32.0071 136 不揮発性 128mbit 90 ns フラッシュ 16m x 8 平行 90ns
STK17TA8-RF25I Infineon Technologies STK17TA8-RF25I -
RFQ
 ECAD 6995 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-BSSOP （0.295 "、幅7.50mm） STK17TA8 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 48スソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 60 不揮発性 1mbit 25 ns nvsram 128k x 8 平行 25ns
UCS-MR-1X081RV-A-C ProLabs UCS-MR-1X081RV-AC 175.0000
RFQ
 ECAD 8019 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-UCS-MR-1X081RV-AC ear99 8473.30.5100 1
M27C4001-90C6 STMicroelectronics M27C4001-90C6 -
RFQ
 ECAD 8426 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-lcc M27C4001 eprom -otp 4.5v〜5.5V 32-PLCC（11.35x13.89） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 8542.32.0061 32 不揮発性 4mbit 90 ns eprom 512k x 8 平行 -
AS7C38096A-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C38096A-10bin 11.6463
RFQ
 ECAD 9654 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-lfbga AS7C38096 sram-非同期 3V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1066 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 8mbit 10 ns sram 1m x 8 平行 10ns
CY7C006A-20AXCT Cypress Semiconductor Corp Cy7C006A-20AXCT -
RFQ
 ECAD 7407 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 64-LQFP Cy7C006 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 64-TQFP（14x14 ダウンロード 15 揮発性 128kbit 20 ns sram 16k x 8 平行 20ns 確認されていません
MT53B768M32D4DT-062 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53B768M32D4DT-062 AIT：B TR -
RFQ
 ECAD 7203 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53B768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
NLQ43PFS-8NAT TR Insignis Technology Corporation nlq43pfs-8nat tr 18.3000
RFQ
 ECAD 9245 0.00000000 Insignis Technology Corporation aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-FBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 2,000 1.2 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL 18ns
GD25WQ128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128EYIGR 1.4385
RFQ
 ECAD 3490 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25WQ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65v〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD25WQ128EYIGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 128mbit 8 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 120µs 、4ms
MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBFAH4-AAT：F 2.9984
RFQ
 ECAD 3752 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F1G08ABBFAH4-AAT：f 8542.32.0071 210 不揮発性 1gbit 25 ns フラッシュ 128m x 8 平行 25ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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