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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在 -マックス	電力散逸（最大）	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
MBRTA60020RL	-	RFQ	7830	遺伝的半導体	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3つの塔		ショットキー		3つの塔	-		1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	18		高速回復= <500ns			1ペア共通アノード	20 v	300a	580 mV @ 300 a		3 ma @ 20 v	-55°C〜150°C
1N957B	-	RFQ	6413	onsemi	-	バルク	廃止	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N957		500 MW	DO-35	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000										150 µA @ 5.2 v						6.8 v	4.5オーム
1N5234B	-	RFQ	7429	SMCダイオードソリューション	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±5％	200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	DO-35	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500								1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3.8 v						6.2 v	7オーム
PDZ18B 、115	0.2100	RFQ	16	Nexperia USA Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-76、SOD-323	PDZ18		400 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								1.1 V @ 100 MA		50 Na @ 13 V						18 v	20オーム
R1200-TP	-	RFQ	1739	Micro Commercial Co	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	R1200	標準		DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0070	5,000		標準回復> 500ns				1200 v		2 V @ 500 Ma		5 µA @ 1200 v	-55°C〜150°C	500mA	30pf @ 4V、1MHz
P300G-E3/54	0.1709	RFQ	5302	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	P300	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		標準回復> 500ns				400 V		1.2 V @ 3 a	2 µs	5 µA @ 400 V	-50°C〜150°C	3a	30pf @ 4V、1MHz
jantx1n748a-1	2.2800	RFQ	1120	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/127	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N748		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V						3.9 v	20オーム
2EZ200D/TR12	-	RFQ	9074	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±20％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	2EZ200		2 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,000								1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 152 v						200 v	900オーム
SMBZ5921B-E3/52	0.1294	RFQ	3637	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBZ5921		3 W	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750								1.5 V @ 200 mA		200 µA @ 5.2 v						6.8 v	2.5オーム
mur415g	0.6100	RFQ	5196	onsemi	SwitchMode™	バルク	アクティブ			穴を通して	DO-201AA	MUR415	標準		軸	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500		高速回復= <500ns				150 v		890 mV @ 4 a	35 ns	5 µA @ 150 v	-65°C〜175°C	4a	-
GP2D020A065U	-	RFQ	5248	セミク	amp+™	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-247-3		sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-247-3	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けた		ear99	8541.10.0080	30		回復時間なし> 500ma			1ペア共通カソード	650 V	30A （DC）	1.65 V @ 10 a		100 µA @ 650 V	-55°C〜175°C
1N5384bg	0.4600	RFQ	1	onsemi	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	T-18 、軸	1N5384		5 W	軸	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,000								1.2 V @ 1 a		500 NA @ 122 v						160 v	350オーム
BZD27C24P MQG	-	RFQ	2066	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.78％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		1 W	sma	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 18 V						24.2 v	15オーム
1N5535bur-1/tr	5.7855	RFQ	4190	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-1N5535bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 mA		10 Na @ 13.5 v						15 V	100オーム
AZ23C9V1 RFG	0.0786	RFQ	9941	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C		300 MW	SOT-23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000	1ペア共通アノード									100 Na @ 7 V						9.1 v	10オーム
HSMS-2817-TR1G	-	RFQ	3969	Broadcom Limited	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		150°C （TJ）		to-253-4、to-253aa				SOT-143-4	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000			1 a										1.2pf @ 0V、1MHz	ショットキー -リング	20V			15OHM @ 5MA、1MHz
3EZ14D5/TR8	-	RFQ	4979	Microsemi Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	3EZ14		3 W	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500								1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 10.6 v						14 v	5オーム
jantx1n3032bur-1/tr	13.0739	RFQ	6499	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/115	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）			1 W	do-213ab	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx1n3032bur-1/tr	ear99	8541.10.0050	1								1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 25.1 v						33 v	45オーム
VBO50-18NO7	-	RFQ	1167	ixys	-	箱	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	PWS-A	VBO50	標準		PWS-A	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10								1.14 V @ 40 a		100 µA @ 1800 V		50 a		単相	1.8 kv
406DMQ200	73.3100	RFQ	164	SMCダイオードソリューション	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	PRM4	406dmq	ショットキー		PRM4 （分離）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	9		高速回復= <500ns				200 v		990 mV @ 200 a		10 ma @ 200 v	-55°C〜175°C	200a	3000pf @ 5V、1MHz
mmsz4v3t1g	0.2200	RFQ	7	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4v3		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								900 mV @ 10 Ma		3 µA @ 1 V						4.3 v	90オーム
1SMA4749	0.0935	RFQ	4745	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	1SMA4749		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500										1 µA @ 18.2 v						24 v	25オーム
FFA60UP20DNTU	1.1600	RFQ	450	フェアチャイルド半導体	-	バルク	アクティブ			穴を通して	to-3p-3、SC-65-3		標準		to-3pn	ダウンロード					ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns			1ペア共通カソード	200 v	30a	1.15 V @ 30 a	40 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜150°C
RB088T150NZC9	1.6000	RFQ	500	Rohm Semiconductor	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3フルパック	RB088	ショットキー		TO-220FN	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns			1ペア共通カソード	150 v	10a	880 mV @ 5 a		15 µA @ 150 v	150°C
SVC707-AL	-	RFQ	8854	onsemi	*	バルク	廃止									-	ROHS非準拠		未定義のベンダー	2156-SVC707-AL-488			1
1N5267B-TR	0.2300	RFQ	57	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5267		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 56 v						75 v	270オーム
UZ736	22.4400	RFQ	5652	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	A 、軸			3 W	A 、軸	-			影響を受けていない	150-UZ736	ear99	8541.10.0050	1										1 µA @ 27.4 v						36 v	21オーム
S1JFP	0.3900	RFQ	21	onsemi	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123H	S1J	標準		SOD-123HE	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns				600 V		1.3 V @ 1.2 a	1.5 µs	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	1.2a	18pf @ 0V、1MHz
uh4pbc-m3/86a	-	RFQ	8333	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	uh4	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns			1ペア共通カソード	100 V	2a	1.05 V @ 2 a	25 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜175°C
MA4E1338E1-1068T	-	RFQ	6426	マコムテクノロジーソリューション	MA4E1338	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜125°C（TJ）		to-253-4、to-253aa	MA4E1338			SOT-143	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0060	3,000			30 Ma	250 MW									1PF @ 0V、1MHz	Schottky -2独立	8V			-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²