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トランジスタ（100539）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 電圧 -定格 動作温度 アプリケーション 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ 頻度 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ 現在の評価（ amp） テスト条件 現在 -テスト 電力 -出力 得 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） ノイズ図 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C 電圧 -テスト 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
PBSS4130QAZ Nexperia USA Inc. PBSS4130QAZ 0.0970
RFQ
 ECAD 9718 0.00000000 Nexperia USA Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-XDFN露出パッド PBSS4130 325 MW DFN1010D-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 5,000 30 V 1 a 100na（icbo） npn 245MV @ 50MA、1a 180 @ 1a 、2v 190MHz
PBSS5230QAZ Nexperia USA Inc. PBSS5230QAZ 0.4200
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 Nexperia USA Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 3-XDFN露出パッド 325 MW DFN1010D-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 5,000 30 V 2 a 100na（icbo） PNP 210mv @ 50ma、1a 60 @ 2a 、2V 170MHz
PMCXB900UEZ Nexperia USA Inc. PMCXB900UEZ 0.4000
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 Nexperia USA Inc. trenchfet® テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-XFDFN露出パッド PMCXB900 モスフェット（金属酸化物） 265MW DFN1010B-6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 5,000 nおよびpチャネルの相補的 20V 600MA 、500mA 620MOHM @ 600MA 、4.5V 950MV @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 21.3pf @ 10V ロジックレベルゲート
PMXB120EPEZ Nexperia USA Inc. PMXB120EPEZ 0.3800
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Nexperia USA Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 3-XDFN露出パッド PMXB120 モスフェット（金属酸化物） DFN1010D-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 5,000 pチャネル 30 V 2.4a（ta） 4.5V 、10V 120mohm @ 2.4a 、10V 2.5V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±20V 309 PF @ 15 V - 400MW
ALD810023SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD810023SCL 5.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. sab™ チューブ アクティブ 10.6V スーパーキャパシタオートバランシング 表面マウント 16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） ALD810023 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1014-1257-5 ear99 8541.21.0095 50 80ma 4 nチャネル
ALD810025SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD810025SCL 5.6500
RFQ
 ECAD 820 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. sab™ チューブ アクティブ 10.6V スーパーキャパシタオートバランシング 表面マウント 16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） ALD810025 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1014-1259-5 ear99 8541.21.0095 50 80ma 4 nチャネル
ALD910027SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910027SAL 4.7014
RFQ
 ECAD 4008 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. sab™ チューブ アクティブ 10.6V スーパーキャパシタオートバランシング 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） ALD910027 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1014-1267-5 ear99 8541.21.0095 50 80ma 2 nチャンネル（デュアル）
ALD910028SAL Advanced Linear Devices Inc. ALD910028SAL 4.7014
RFQ
 ECAD 3317 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. sab™ チューブ アクティブ 10.6V スーパーキャパシタオートバランシング 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） ALD910028 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1014-1268-5 ear99 8541.21.0095 50 80ma 2 nチャンネル（デュアル）
MWT-A973 Microwave Technology Inc. MWT-A973 34.1600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Microwave Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 5 v smd 500MHz〜18GHz メスフェット 73 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 500 120ma 30 Ma 24.5dbm 6.5dB 1.8db 3 v
RN4902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn4902 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN4902 200mw US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 10kohms
HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn1a01f-y（te85l -
RFQ
 ECAD 3952 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-74、SOT-457 HN1A01 300MW SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 150ma 100na（icbo） 2 PNP （デュアル） 300MV @ 10MA 、100mA 120 @ 2MA 、6V 80MHz
STD3N80K5 STMicroelectronics STD3N80K5 1.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics SuperMesh5™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント to-252-3 STD3N80 モスフェット（金属酸化物） dpak ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 800 V 2.5a 10V 3.5OHM @ 1A 、10V 5V @ 100µA 9.5 NC @ 10 V ±30V 130 pf @ 100 V - 60W （TC）
STF2N95K5 STMicroelectronics STF2N95K5 1.6800
RFQ
 ECAD 727 0.00000000 stmicroelectronics SuperMesh5™ チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3フルパック STF2N95 モスフェット（金属酸化物） TO-220FP ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 950 v 2a（tc） 10V 5OHM @ 1A 、10V 5V @ 100µA 10 NC @ 10 V 30V 105 PF @ 100 V - 20W （TC）
STGP15H60DF STMicroelectronics STGP15H60DF 2.1700
RFQ
 ECAD 8067 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 STGP15 標準 115 W TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 400V、15a 、10ohm15V 103 ns トレンチフィールドストップ 600 V 30 a 60 a 2V @ 15V、15a 136µj（オン）、207µj（オフ） 81 NC 24.5ns/118ns
STP28N60M2 STMicroelectronics STP28N60M2 3.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH™IIプラス チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 STP28 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 24a（tc） 10V 150mohm @ 12a 、10V 4V @ 250µA 37 NC @ 10 V ±25V 1370 PF @ 100 V - 170W
STP2N95K5 STMicroelectronics STP2N95K5 -
RFQ
 ECAD 5657 0.00000000 stmicroelectronics SuperMesh5™ チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 STP2N95 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 950 v 2a（tc） 10V 5OHM @ 1A 、10V 5V @ 100µA 10 NC @ 10 V 30V 105 PF @ 100 V - 45W
STP3N80K5 STMicroelectronics STP3N80K5 1.5700
RFQ
 ECAD 847 0.00000000 stmicroelectronics SuperMesh5™ チューブ 新しいデザインではありません -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 STP3N80 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 800 V 2.5a 10V 3.5OHM @ 1A 、10V 5V @ 100µA 9.5 NC @ 10 V ±30V 130 pf @ 100 V - 60W （TC）
STP5N60M2 STMicroelectronics STP5N60M2 1.5800
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH™IIプラス チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 STP5N60 モスフェット（金属酸化物） TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 600 V 3.7a（tc） 10V 1.4OHM @ 1.85A 、10V 4V @ 250µA 4.5 NC @ 10 V ±25V 165 pf @ 100 V - 45W
STW15N95K5 STMicroelectronics STW15N95K5 -
RFQ
 ECAD 2839 0.00000000 stmicroelectronics SuperMesh5™ チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 STW15 モスフェット（金属酸化物） TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 950 v 12a（tc） 10V 500mohm @ 6a 、10V 5V @ 100µA 40 NC @ 10 V ±30V 900 pf @ 100 V - 170W
2SC4915-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4915-Y 、LF 0.4400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-75、SOT-416 2SC4915 100MW SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 17db〜23db 30V 20ma npn 100 @ 1MA 、6V 550MHz 2.3DB〜5DB @ 100MHz
RN1705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1705JE （TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 769 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN1705 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 2.2kohms 47kohms
RN1511(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1511 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN1511 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
RN2707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2707je 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2707 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 10kohms 47kohms
RN2708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn2708je 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 RN2708 100MW ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 47kohms
CSD19532Q5B Texas Instruments CSD19532Q5B 2.6400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 テキサスの楽器 Nexfet™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn CSD19532 モスフェット（金属酸化物） 8-VSON-CLIP （5x6） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 100 V 100a（ta） 6V 、10V 4.9mohm @ 17a 、10V 3.2V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 4810 PF @ 50 V - 3.1W
IRFHM8337TRPBF Infineon Technologies IRFHM8337TRPBF -
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 ECAD 5125 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット（金属酸化物） 8-PQFN（3.3x3.3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 4,000 nチャネル 30 V 12a（ta） 4.5V 、10V 12.4mohm @ 12a 、10V 2.35V @ 25µA 8.1 NC @ 4.5 v ±20V 755 PF @ 15 V - 2.8W （TA ）、25W（TC）
RN1908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1908fe 0.0639
RFQ
 ECAD 7284 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1908 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 47kohms
RN1909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1909 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1909 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 10ma 、5v 250MHz 47kohms 22kohms
RN1968(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1968 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1968 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 47kohms
RN1970(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 RN1970 200mw US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 4.7kohms -
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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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