画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 93AA56C/W15K | - | ![]() | 9238 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 死ぬ | 93AA56 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 3 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8、128 x 16 | マイクロワイヤ | 6ms | ||||
![]() | F640SPHT-PTLZ8 | - | ![]() | 5679 | 0.00000000 | シャープマイクロエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | F640S | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 不揮発性 | 64mbit | 120 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 120ns | ||||||
![]() | AT24HC04BN-SP25-B | 0.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Atmel | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT24HC04 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 5ms | ||||||
MX29LV040CTI-70G | 3.0200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29LV | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MX29LV040 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 156 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 70ns | |||||
![]() | 71V35761SA166BQI | 3.3300 | ![]() | 375 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | 71V35761S | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IDT71V25761YSA200BQI8 | - | ![]() | 9738 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IDT71V25761 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V25761YSA200BQI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | MT29F256G08CBHBBJ4-3R:b | - | ![]() | 9609 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||||
![]() | Cy7C1513Kv18-333Bzi | 164.7600 | ![]() | 897 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1513 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 1 | 333 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | FM25V02-PG | - | ![]() | 4765 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | フラム(強誘電性ラム) | 2V〜3.6V | 8-pdip | - | 廃止 | 1 | 40 MHz | 不揮発性 | 256kbit | 9 ns | フラム | 32k x 8 | spi | - | ||||||||
SST26VF016BA-104I/UB | - | ![]() | 7970 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST26SQI® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | SST26VF016 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-USON (4x3) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 1.5ms | |||||
![]() | AT24C02Y1-10YI-1.8 | - | ![]() | 7046 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | AT24C02 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8 マップ( 3x4.9) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT24C02Y1-10YI1.8 | ear99 | 8542.32.0051 | 120 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | S26HL512TFPBHM010 | 17.3600 | ![]() | 3209 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 6.5 ns | フラッシュ | 64m x 8 | ハイパーバス | 1.7ms | ||||||
![]() | IS64WV25616EDBLL-10BA3 | - | ![]() | 9888 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS64WV25616 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | ||||
w25q32fvzpjf tr | - | ![]() | 3773 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | w25q32fvzpjftr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | ||||
![]() | AT28HC256-90TA | - | ![]() | 3390 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | AT28HC256 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 28-tsop | - | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 234 | 不揮発性 | 256kbit | 90 ns | Eeprom | 32k x 8 | 平行 | 10ms | ||||
![]() | MX25U1635EZNI-10G | 1.0600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | マクロニックス | MX25XXX35/36 -MXSMIO™ | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | MX25U1635 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 30µs、3ms | ||||
![]() | 93C56BT-E/MNY | 0.4950 | ![]() | 9038 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | 93C56B | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 2 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 128 x 16 | マイクロワイヤ | 2ms | ||||
![]() | GD25F64FSAGR | 1.4939 | ![]() | 7244 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25F | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | - | 1970-GD25F64FSAGRTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、dtr | - | |||||||||
w25q16fwzpsq | - | ![]() | 5014 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16FWZPSQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、3ms | |||||
![]() | 70261S25PFGI8 | - | ![]() | 1471 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | - | 影響を受けていない | 800-70261S25PFGI8 | 廃止 | 1 | ||||||||||||||||||||
MT47H128M8HQ-3:G TR | - | ![]() | 7401 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 60-FBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA (8x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 6 (ラベルの時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | IS46LQ32640AL-062BLA1-TR | - | ![]() | 9194 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-VFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-VFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46LQ32640AL-062BLA1-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 64m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||
![]() | IS21ES04G-JQLI | - | ![]() | 4520 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lbga | IS21ES04 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 100-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS21ES04G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | EMMC | - | |||
![]() | 70V24S25PF8 | - | ![]() | 7286 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 70V24S | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 64kbit | 25 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | A9816030-C | 615.0000 | ![]() | 9747 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A9816030-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1315CV18-250BZI | 36.7400 | ![]() | 379 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1315 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | BQ4010YMA-70N | - | ![]() | 7857 | 0.00000000 | テキサスの楽器 | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 28-dip モジュール(0.61 "、15.49mm) | BQ4010 | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 28-dipモジュール( 18.42x37.72) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 14 | 不揮発性 | 64kbit | 70 ns | nvsram | 8k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | IS61LF102436B-7.5TQLI-TR | 74.2500 | ![]() | 4928 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LF102436 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 揮発性 | 36mbit | 7.5 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | S29GL128P90TAIR10 | - | ![]() | 9731 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL128 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 不揮発性 | 128mbit | 90 ns | フラッシュ | 16m x 8 | 平行 | 90ns | ||||
![]() | GS8662T18BGD-400I | 194.5700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 165-lbga | GS8662T | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FPBGA(13x15) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS8662T18BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 400 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - |
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