SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー sicプログラム可能 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
S29GL064S80TFV040 Infineon Technologies S29GL064S80TFV040 5.0600
RFQ
ECAD 6849 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) S29GL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 64mbit 80 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
5962-8855202XA Renesas Electronics America Inc 5962-8855202XA 42.0500
RFQ
ECAD 9959 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 28-CDIP (0.600 "、15.24mm) 5962-8855202 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 3A001A2C 8542.32.0041 13 揮発性 256kbit sram 32k x 8 平行 -
AT25320AN-10SI-2.7 Microchip Technology AT25320AN-10SI-2.7 -
RFQ
ECAD 8978 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) AT25320 Eeprom 2.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない AT25320AN-10SI2.7 ear99 8542.32.0051 100 20 MHz 不揮発性 32kbit Eeprom 4k x 8 spi 5ms
7130LA45TFI Renesas Electronics America Inc 7130la45tfi -
RFQ
ECAD 8954 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-LQFP 7130la sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 64-TQFP (10x10) - ROHS非準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0041 160 揮発性 8kbit 45 ns sram 1k x 8 平行 45ns
CY7C1347G-166AXCKJ Cypress Semiconductor Corp Cy7C1347G-166AXCKJ 5.0900
RFQ
ECAD 912 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp Cy7C1347 sram- sdr 3.15V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード 適用できない 3 (168 時間) 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 4.5mbit 3.5 ns sram 128k x 36 平行 -
W25Q16BVSSIG TR Winbond Electronics w25q16bvssig tr -
RFQ
ECAD 8380 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
S25FL256SDPBHVC13 Infineon Technologies S25FL256SDPBHVC13 5.0050
RFQ
ECAD 9609 0.00000000 Infineon Technologies fl-s テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-tbga S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
NDL88PFO-8KIT TR Insignis Technology Corporation NDL88PFO-8KIT TR 19.7505
RFQ
ECAD 8094 0.00000000 Insignis Technology Corporation NDL88P テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.6 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 1982-NDL88PFO-8KITTR 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
MT29F256G08CBCBBJ4-37:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBJ4-37:b -
RFQ
ECAD 3491 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand (mlc) 2.7V〜3.6V 132-VBGA(12x18) - 1 (無制限) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 267 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
IS43QR81024A-075VBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR81024A-075VBL-TR 16.5585
RFQ
ECAD 9463 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-TWBGA (10x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43QR81024A-075VBL-TR 2,000 1.333 GHz 揮発性 8gbit 18 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
AT24C04AN-10SI-1.8 Microchip Technology AT24C04AN-10SI-1.8 -
RFQ
ECAD 1727 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) AT24C04 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 400 kHz 不揮発性 4kbit 900 ns Eeprom 512 x 8 i²c 5ms
S34MS04G100TFI003 SkyHigh Memory Limited S34MS04G100TFI003 -
RFQ
ECAD 6167 0.00000000 Skyhigh Memory Limited - テープ&リール( tr) sicで中止されました S34MS04 - ROHS準拠 3 (168 時間) 2120-S34MS04G100TFI003 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 確認されていません
S25FS128SAGNFI103 Cypress Semiconductor Corp S25FS128SAGNFI103 8.1500
RFQ
ECAD 5438 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FS-S テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド S25FS128 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-wson ダウンロード ROHS非準拠 適用できない 未定義のベンダー 2832-S25FS128SAGNFI103TR 3A991B1A 8542.32.0070 62 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi - 確認されていません
MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR -
RFQ
ECAD 6402 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H128M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga (10x10) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
AT45DB041B-CNI Microchip Technology AT45DB041B-CNI -
RFQ
ECAD 8368 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 8-vdfn AT45DB041 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-Cason ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 378 20 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 264バイトx 2048ページ spi 14ms
S25FL116K0XBHI023 Infineon Technologies S25FL116K0XBHI023 -
RFQ
ECAD 3523 0.00000000 Infineon Technologies fl1-k テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga S25FL116 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
IS25WP016-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016-JNLE-TR -
RFQ
ECAD 7831 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) IS25WP016 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 800µs
MT29F64G08ABEBBH6-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08ABEBBH6-12:B TR -
RFQ
ECAD 8892 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 152-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-VBGA(14x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
CY7C1470BV25-200BZI Infineon Technologies Cy7C1470BV25-200BZI -
RFQ
ECAD 6642 0.00000000 Infineon Technologies NOBL™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1470 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-FBGA (15x17 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 200 MHz 揮発性 72mbit 3 ns sram 2m x 36 平行 -
GD25LQ40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40EEIGR 0.3818
RFQ
ECAD 4285 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8-USON ダウンロード 1970-GD25LQ40EEGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 4mbit 6 ns フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 60µs、2.4ms
25LC020AT-I/MNY Microchip Technology 25LC020AT-I/MNY 0.5700
RFQ
ECAD 8570 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wfdfn露出パッド 25LC020 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-tdfn (2x3) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 10 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 spi 5ms
W25Q64CVZPJG Winbond Electronics w25q64cvzpjg -
RFQ
ECAD 4725 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson (6x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 80 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
IS43QR85120B-075UBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR85120B-075UBLI 10.9618
RFQ
ECAD 8876 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-TWBGA (10x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43QR85120B-075UBLI 136 1.333 GHz 揮発性 4gbit 19 ns ドラム 512m x 8 ポッド 15ns
S29GL064N90DAI022 Infineon Technologies S29GL064N90DAI022 1.7749
RFQ
ECAD 1064 0.00000000 Infineon Technologies gl-n テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-lbga S29GL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA (9x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 500 不揮発性 64mbit 90 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 90ns
AS7C4096A-15JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C4096A-15JINTR 4.7627
RFQ
ECAD 5219 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 36-bsoj(0.400 "、10.16mm 幅) AS7C4096 sram-非同期 確認されていません 4.5v〜5.5V 36-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 500 揮発性 4mbit 15 ns sram 512k x 8 平行 15ns
S29GL032N90DFVR23 Infineon Technologies S29GL032N90DFVR23 -
RFQ
ECAD 9917 0.00000000 Infineon Technologies gl-n テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 64-lbga S29GL032 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA (9x9) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,200 不揮発性 32mbit 90 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 90ns
THGAMVG8T13BAIL Kioxia America, Inc. thgamvg8t13bail -
RFQ
ECAD 2026 0.00000000 Kioxia America - トレイ アクティブ - 3 (168 時間) 1853-THGAMVG8T13BAIL 3A991B1A 8542.32.0071 152
SST25WF040-40-5I-QAE-T Microchip Technology SST25WF040-40-5I-QAE-T -
RFQ
ECAD 9531 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST25 テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド SST25WF040 フラッシュ 1.65V〜1.95V 8-wson ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 40 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 60µs
CY7C1021CV33-10ZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1021CV33-10ZC -
RFQ
ECAD 1840 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バッグ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) Cy7C1021 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3A991B2B 8542.32.0041 2 揮発性 1mbit 10 ns sram 64k x 16 平行 10ns 確認されていません
IS62WV51216EALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EALL-55BLI 5.8352
RFQ
ECAD 6576 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-VFBGA IS62WV51216 sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-VFBGA (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 312 揮発性 8mbit 55 ns sram 512K x 16 平行 55ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫