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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
70V17L12PFI Renesas Electronics America Inc 70V17L12PFI -
RFQ
 ECAD 3845 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 - 800-70V17L12PFI 1 揮発性 288kbit 12 ns sram 32K x 9 lvttl 12ns
S29GL128P90FFCR13 Infineon Technologies S29GL128P90FFCR13 -
RFQ
 ECAD 4898 0.00000000 Infineon Technologies GL-P テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 64-lbga S29GL128 フラッシュ - 3V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 128mbit 90 ns フラッシュ 16m x 8 平行 90ns
CY62148VNBLL-70BAI Infineon Technologies cy62148vnbll-70bai -
RFQ
 ECAD 9832 0.00000000 Infineon Technologies mobl® バッグ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 36-VFBGA Cy62148 sram-非同期 2.7V〜3.6V 36-VFBGA （6x8） - ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 70 ns sram 512k x 8 平行 70ns
MT55L256L18F1T-12 Micron Technology Inc. MT55L256L18F1T-12 4.4800
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 500 83 MHz 揮発性 4mbit 9 ns sram 256k x 18 平行 -
IS42S16160G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6BL-TR 3.5682
RFQ
 ECAD 8069 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
7024L12PFI Renesas Electronics America Inc 7024L12PFI -
RFQ
 ECAD 2661 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 - 800-7024L12PFI 1 揮発性 64kbit 12 ns sram 4k x 16 平行 12ns
CY7C1062AV33-10BGI Infineon Technologies Cy7C1062AV33-10BGI -
RFQ
 ECAD 1769 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 119-BGA Cy7C1062 sram-非同期 3V〜3.6V 119-PBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 84 揮発性 16mbit 10 ns sram 512K x 32 平行 10ns
CY7C1480BV33-250BZI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1480BV33-250BZI 193.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1480 sram- sdr 3.135V〜3.6V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS3準拠 6 250 MHz 揮発性 72mbit 3 ns sram 2m x 36 平行 - 確認されていません
MX30UF4G28AB-TI Macronix MX30UF4G28AB-TI 6.6900
RFQ
 ECAD 4001 0.00000000 マクロニックス mx30uf トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MX30UF4 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1092-1160 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 4gbit 25 ns フラッシュ 512m x 8 平行 25ns
AT25010-10PC-2.7 Microchip Technology AT25010-10PC-2.7 -
RFQ
 ECAD 5791 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） AT25010 Eeprom 2.7V〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 50 3 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8 spi 5ms
M29W128GSH70N6E Micron Technology Inc. M29W128GSH70N6E -
RFQ
 ECAD 8387 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
M27V160-100K1 STMicroelectronics M27V160-100K1 -
RFQ
 ECAD 6193 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-lcc M27V160 eprom -otp 3V〜3.6V 44-PLCC（16.51x16.51 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 8542.32.0061 580 不揮発性 16mbit 100 ns eprom 2m x 8、1m x 16 平行 -
IDT71V67703S80PF8 Renesas Electronics America Inc IDT71V67703S80PF8 -
RFQ
 ECAD 5079 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp IDT71v67703 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V67703S80PF8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 100 MHz 揮発性 9mbit 8 ns sram 256k x 36 平行 -
W972GG8JB-3I Winbond Electronics w972gg8jb-3i -
RFQ
 ECAD 6923 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA W972GG8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-WBGA （11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 189 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
93AA46A-I/P Microchip Technology 93aa46a-i/p 0.3700
RFQ
 ECAD 7032 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） 93AA46 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 93AA46A-I/P-NDR ear99 8542.32.0051 60 2 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8 マイクロワイヤ 6ms
CY7C1245KV18-450BZC Infineon Technologies Cy7C1245Kv18-450bzc -
RFQ
 ECAD 2632 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1245 sram- qdr ii+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 450 MHz 揮発性 36mbit sram 1m x 36 平行 -
SM671PEB-AD Silicon Motion, Inc. SM671PEB-AD -
RFQ
 ECAD 9516 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - トレイ アクティブ SM671 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8523.51.0000 1
7015L12PF Renesas Electronics America Inc 7015L12PF -
RFQ
 ECAD 6972 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 80-lqfp 7015L12 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 80-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 45 揮発性 72kbit 12 ns sram 8k x 9 平行 12ns
BR24T64FVJ-WE2 Rohm Semiconductor BR24T64FVJ-WE2 0.6300
RFQ
 ECAD 402 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅） BR24T64 Eeprom 1.6V〜5.5V 8-TSSOP-BJ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 不揮発性 64kbit Eeprom 8k x 8 i²c 5ms
CY62177EV30LL-55ZXI Infineon Technologies Cy62177EV30LL-55ZXI 63.4800
RFQ
 ECAD 6836 0.00000000 Infineon Technologies mobl® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） Cy62177 sram-非同期 2.2V〜3.7V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -cy62177ev30ll-55zxi 3A991B2A 8542.32.0041 96 揮発性 32mbit 55 ns sram 4m x 8、2m x 16 平行 55ns
25LC080B-I/S15K Microchip Technology 25LC080B-I/S15K -
RFQ
 ECAD 7646 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 死ぬ 25LC080 Eeprom 2.5V〜5.5V 死ぬ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 10 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 spi 5ms
W25M02GWTCIT Winbond Electronics W25M02GWTCIT -
RFQ
 ECAD 8599 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25M02 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GWTCIT 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit 8 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
SM662GEE BFST Silicon Motion, Inc. SM662GEE BFST 90.3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） - 100-BGA（14x18） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1984-SM662GEEBFST 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 EMMC -
71321LA20TF8 Renesas Electronics America Inc 71321LA20TF8 -
RFQ
 ECAD 4684 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 64-LQFP 71321LA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 64-TQFP （10x10） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 500 揮発性 16kbit 20 ns sram 2k x 8 平行 20ns
CY7C1163KV18-550BZC Infineon Technologies Cy7c1163kv18-550bzc 68.9325
RFQ
 ECAD 6711 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1163 sram- qdr ii+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 550 MHz 揮発性 18mbit sram 1m x 18 平行 -
24AA08-I/WF16K Microchip Technology 24AA08-I/WF16K -
RFQ
 ECAD 6151 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 死ぬ 24AA08 Eeprom 1.7V〜5.5V 死ぬ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 400 kHz 不揮発性 8kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 x 4 i²c 5ms
IS42S32160B-75EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75EBLI -
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 90-WBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 144 133 MHz 揮発性 512mbit 5.5 ns ドラム 16m x 32 平行 -
70V7319S166BF Renesas Electronics America Inc 70V7319S166BF 188.0752
RFQ
 ECAD 1908年 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 208-LFBGA 70V7319 sram- デュアルポート、同期 3.15V〜3.45V 208-CABGA （15x15 ダウンロード ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 7 166 MHz 揮発性 4.5mbit 3.6 ns sram 256k x 18 平行 -
CY7C1355C-133BGC Infineon Technologies CY7C1355C-133BGC -
RFQ
 ECAD 3483 0.00000000 Infineon Technologies NOBL™ トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA Cy7C1355 sram- sdr 3.135V〜3.6V 119-PBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 84 133 MHz 揮発性 9mbit 6.5 ns sram 256k x 36 平行 -
MT29F64G08CECCBH1-12Z:C Micron Technology Inc. MT29F64G08CECCBH1-12Z：c -
RFQ
 ECAD 5171 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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