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メモリ（69470）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	sicプログラム可能
MT53E4G32D8CY-046 WT：c	90.4650	RFQ	9649	Micron Technology Inc.	-	箱	アクティブ	-25°C〜85°C	-	-		SDRAM-モバイルLPDDR4	-	-	-				557-MT53E4G32D8CY-046WT：c			1	2.133 GHz	揮発性	128GBIT		ドラム	4g x 32	平行	-
Cy7C1373BV25-100AC	14.5700	RFQ	89	Cypress Semiconductor Corp	NOBL™	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	Cy7C1373	sram- sdr	2.375V〜2.625V	100-TQFP	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	揮発性	18mbit	8.5 ns	sram	1m x 18	平行	-
RM24C512C-LSNI-T	-	RFQ	2542	Adesto Technologies	Mavriq™	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	RM24C512	CBRAM	1.65v〜3.6V	8-SOIC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	1 MHz	不揮発性	512kbit		CBRAM®	128バイトページサイズ	i²c	100μs5ms
S29GL064S90FHIV20	-	RFQ	7378	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q100、GL-S	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	64-lbga	S29GL064	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,600		不揮発性	64mbit	90 ns	フラッシュ	8m x 8、4m x 16	平行	60ns
70T659S12BC	232.8146	RFQ	8859	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	256-lbga	70T659	sram- デュアルポート、非同期	2.4V〜2.6V	256-CABGA （17x17）	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	6		揮発性	4.5mbit	12 ns	sram	128k x 36	平行	12ns
71V3556SA100BGI8	10.5878	RFQ	7484	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	119-BGA	71V3556	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	119-PBGA	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	100 MHz	揮発性	4.5mbit	5 ns	sram	128k x 36	平行	-
CAT24C04C5ATR	-	RFQ	8126	onsemi	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	5-XFBGA 、WLCSP	CAT24C04	Eeprom	1.7V〜5.5V	5-wlcsp（ 0.86x0.84）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0051	5,000	400 kHz	不揮発性	4kbit	900 ns	Eeprom	512 x 8	i²c	5ms
Cy14E256LA-SZ25XI	27.7400	RFQ	9381	Cypress Semiconductor Corp	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	32-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	Cy14E256	nvsram （不揮発性 sram）	4.5v〜5.5V	32-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠			2832-CY14E256LA-SZ25XI			22		不揮発性	256kbit	25 ns	nvsram	32k x 8	平行	25ns	確認されていません
w25q128fvfig	-	RFQ	2167	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	W25Q128	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	44	104 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o、qpi	50µs、3ms
MX68GL1G0FHT2J-12G	15.9125	RFQ	4545	マクロニックス	mx68gl	トレイ	新しいデザインではありません	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）		フラッシュ - （slc）	2.7V〜3.6V	56-tsop	-		3 （168 時間）		1092-MX68GL1G0FHT2J-12G			96		不揮発性	1gbit	120 ns	フラッシュ	128m x 8	CFI	120ns 、10µs
N25Q256A11E1240E	-	RFQ	4923	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-tbga	N25Q256A11	フラッシュ -	1.7V〜2V	24-T-PBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	187	108 MHz	不揮発性	256mbit		フラッシュ	64m x 4	spi	8ms、5ms
AS7C1024B-15JCN	3.1724	RFQ	9879	Alliance Memory	-	チューブ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	32-BSOJ （0.400 "、10.16mm 幅）	AS7C1024	sram-非同期	4.5v〜5.5V	32-SOJ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	21		揮発性	1mbit	15 ns	sram	128k x 8	平行	15ns
NLQ26PFS-6NET	7.1215	RFQ	8184	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NLQ26PFS-6NET			136	1.6 GHz	揮発性	2Gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 16	LVSTL	18ns
S29GL01GT11FHIV40	14.6300	RFQ	4518	Infineon Technologies	gl-t	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	64-lbga	S29GL01	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	180		不揮発性	1gbit	110 ns	フラッシュ	128m x 8	平行	60ns
IDT71024MS15Y8	-	RFQ	6131	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	32-BSOJ （0.400 "、10.16mm 幅）	IDT71024	sram-非同期	4.5v〜5.5V	32-SOJ	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	71024MS15Y8	3A991B2B	8542.32.0041	1,000		揮発性	1mbit	15 ns	sram	128k x 8	平行	15ns
Cy27H256-35ZC	3.1300	RFQ	379	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅）	Cy27H256	EPROM -UV	4.5v〜5.5V	28-tsop i	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		ear99	8542.32.0071	1		不揮発性	256kbit	35 ns	eprom	32k x 8	平行	-
Cy7C1062DV33-10BGXI	-	RFQ	1084	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	119-BGA	Cy7C1062	sram-非同期	3V〜3.6V	119-PBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	84		揮発性	16mbit	10 ns	sram	512K x 32	平行	10ns
CYD18S72V18-200BGI	466.6700	RFQ	176	Cypress Semiconductor Corp	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	484-FBGA	CYD18S72	sram- デュアルポート、同期	1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V	484-PBGA （27x27	ダウンロード	ROHS非準拠				3A991B2A	8542.32.0041	60	200 MHz	揮発性	18mbit	3.3 ns	sram	256k x 72	平行	-
48L640T-I/MNY	-	RFQ	7992	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wfdfn露出パッド	48L640	eeprom、sram	2.7V〜3.6V	8-tdfn （2x3）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8542.32.0051	3,300	66 MHz	不揮発性	64kbit		イーラム	8k x 8	spi	-
EDF8132A3PF-GD-FD	-	RFQ	4893	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	-30°C〜85°C （TC）	-	-	EDF8132	SDRAM- lpddr3	1.14V〜1.95V	-	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）			廃止	0000.00.0000	1,680	800 MHz	揮発性	8gbit		ドラム	256m x 32	平行	-
R1LV0216BSB-5SI＃S1	3.0700	RFQ	4782	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	R1LV0216	sram	2.7V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		揮発性	2mbit	55 ns	sram	128k x 16	平行	55ns
MT46H256M32L4JV-5 WT：b	-	RFQ	5551	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	-25°C〜85°C（タタ	表面マウント	168-VFBGA	MT46H256M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	168-VFBGA（12x12）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	揮発性	8gbit	5 ns	ドラム	256m x 32	平行	15ns
5962-9089909mya	133.9800	RFQ	10	インテル	M28F010	バルク	アクティブ	-55°C〜125°C	表面マウント	32-CLCC		フラッシュ	4.5v〜5.5V	32-CLCC	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A001A2C	8542.32.0071	1		不揮発性	1mbit	90 ns	フラッシュ	128k x 8	平行	-
852545-001-C	87.5000	RFQ	9286	プロラブ	*	小売パッケージ	アクティブ								-	ROHS準拠			4932-852545-001-C	ear99	8473.30.5100	1
70T3399S166BC	173.0621	RFQ	1674	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	256-lbga	70T3399	sram- デュアルポート、同期	2.4V〜2.6V	256-CABGA （17x17）	ダウンロード	ROHS非準拠	4 （72 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	6	166 MHz	揮発性	2mbit	3.6 ns	sram	128k x 18	平行	-
AT45DB021D-SSH-B	-	RFQ	9669	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	AT45DB021	フラッシュ	2.7V〜3.6V	8-SOIC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	100	66 MHz	不揮発性	2mbit		フラッシュ	264バイトx 1024ページ	spi	4ms
w631gu6nb12i	4.8100	RFQ	281	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-VFBGA	W631GU6	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V	96-VFBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	256-W631GU6NB12I	ear99	8542.32.0032	198	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
71V67602S150PFG	24.4321	RFQ	9950	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	71v67602	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72	150 MHz	揮発性	9mbit	3.8 ns	sram	256k x 36	平行	-
SFEM080GB2ED1TB-A-VG-11P-STD	77.8300	RFQ	10	swissbit	EM-36	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C	表面マウント	153-TFBGA		フラッシュ-Nand （TLC）	2.7V〜3.6V	153-BGA （11.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）					1	200 MHz	不揮発性	640GBIT		フラッシュ	80g x 8	EMMC	-
R1RW0416DSB-2PI＃S1	4.4187	RFQ	8100	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		sram-非同期	3V〜3.6V	44-TSOP II	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		559-R1RW0416DSB-2PI＃S1TR			1		揮発性	4mbit	12 ns	sram	256k x 16	平行	12ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²