画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | cy62128bnll-70zaxi | 1.1100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | Cy62128 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1mbit | 70 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 70ns | |||
![]() | S25FL256SDPNFV001 | 5.0050 | ![]() | 7500 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,230 | 66 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
![]() | S29GL064S90BHI030 | - | ![]() | 7252 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、GL-S | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | S29GL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA (8.15x6.15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 不揮発性 | 64mbit | 90 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 60ns | |||
![]() | Cy15B104QN-20LPXCT | 21.0175 | ![]() | 7819 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-UQFN | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8-gqfn (3.23x3.28) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1B2 | 8542.32.0071 | 2,500 | 20 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 20 ns | フラム | 512k x 8 | spi | - | ||||
![]() | S29GL032N90FFI042 | - | ![]() | 3670 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-n | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL032 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 400 | 不揮発性 | 32mbit | 90 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 90ns | |||
![]() | w25m121aveit | - | ![]() | 4527 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25M121 | フラッシュ -ナンド、フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M121AVEIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 128MBIT(フラッシュ - ナー1gbit(フラッシュナンド) | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | AK93C10AF | - | ![]() | 1605 | 0.00000000 | Asahi Kasei Microdevices/akm | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | - | AK93C10 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8ソップ | ダウンロード | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 64kbit | Eeprom | 4k x 16 | spi | - | ||||||
![]() | S99FL164K0XMFI011 | - | ![]() | 1321 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
W631GU6KB-12 | - | ![]() | 4767 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-WBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | w958d6nwsx4i tr | 2.3600 | ![]() | 2511 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 4,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | AT25XV041B-SSHV-T | 1.2900 | ![]() | 1304 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT25XV041 | フラッシュ | 1.65V〜4.4V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 85 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 8µs、2.75ms | |||
![]() | MX25V5126FZUI | 0.3300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | MX25V5126 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 12,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | spi-デュアルi/o | 50µs、10ms | |||
![]() | AS7C34096A-12JCN | 6.2900 | ![]() | 958 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 36-bsoj(0.400 "、10.16mm 幅) | AS7C34096 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 36-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1060 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 19 | 揮発性 | 4mbit | 12 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 12ns | ||
![]() | CG6527AT | - | ![]() | 5166 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | N25Q128A13E1440E | - | ![]() | 1037 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q128A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
![]() | S26361-F5312-E518-C | 87.5000 | ![]() | 4793 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-S26361-F5312-E518-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MT41K256M16HA-125 M:e | - | ![]() | 9957 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (9x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | w25q80dvssig tr | 0.4304 | ![]() | 3243 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
![]() | AT93C46-10SI-2.7-T | - | ![]() | 3910 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93C46 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 2 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8、64 x 16 | 3線シリアル | 10ms | |||
FM93C66LZEMT8 | 0.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 93C66 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 250 kHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 256 x 16 | マイクロワイヤ | 15ms | ||||
![]() | IS42VM16320D-75BLI | - | ![]() | 9406 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42VM16320 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 54-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 6 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | GD25Q256EYJGR | 2.7672 | ![]() | 6615 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x8) | ダウンロード | 1970-GD25Q256EYJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
![]() | LH28F640SPHT-PTL12 | - | ![]() | 4380 | 0.00000000 | シャープ/socleテクノロジー | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | LH28F640 | フラッシュ | - | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 425-1857 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 250 | 不揮発性 | 64mbit | 90 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 90ns | |||
![]() | SM662PEE-BDST | - | ![]() | 5647 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662PEE-BDST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | EMMC | - | ||||
![]() | Cy7C1362A-166AC | 6.3300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1362 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | ||
![]() | S99-50559 | - | ![]() | 4107 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 前回購入します | - | 1 | ||||||||||||||||||||||
MT29F4G08ABADAWP-AT:d | - | ![]() | 6051 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||||
MT41K128M16JT-125 XIT:K Tr | 7.8450 | ![]() | 9584 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | |||
AT25XE011-XMHN-T | 1.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT25XE011 | フラッシュ | 1.65v〜3.6V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi | 12µs、3ms | ||||
AT34C02-10TI-2.7 | 0.4900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Atmel | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT34C02 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS非準拠 | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 10ms |
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