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メモリ（69470）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	sicプログラム可能
IDT71T75902S85PF8	-	RFQ	1883	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	IDT71T75	sram- sdr（zbt）	2.375V〜2.625V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	71T75902S85PF8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000		揮発性	18mbit	8.5 ns	sram	1m x 18	平行	-
70V658S10BFG	188.0752	RFQ	3284	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	208-LFBGA	70V658	sram- デュアルポート、非同期	3.15V〜3.45V	208-CABGA （15x15	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	7		揮発性	2mbit	10 ns	sram	64k x 36	平行	10ns
IDT71V424S12PH8	-	RFQ	4767	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IDT71v424	sram-非同期	3V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	71v424S12ph8	3A991B2A	8542.32.0041	1,500		揮発性	4mbit	12 ns	sram	512k x 8	平行	12ns
Cy7C1668KV18-550BZXC	488.2850	RFQ	9760	Infineon Technologies	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C1668	sram- ddr II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA （15x17	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	525	550 MHz	揮発性	144mbit		sram	8m x 18	平行	-
Cy7C271A-30JC	-	RFQ	1829年	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）			Cy7C271	eprom -otp	4.5v〜5.5V		-	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けた		ear99	8542.32.0071	1		不揮発性	256kbit	30 ns	eprom	32k x 8	平行	-
IS61QDPB42M36A2-550M3L	-	RFQ	2551	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61QDPB42	sram- クアッドポート、同期	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	550 MHz	揮発性	72mbit		sram	2m x 36	平行	-
at45db081e-sshn-t	1.8400	RFQ	3426	Adesto Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	AT45DB081	フラッシュ	1.7V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	4,000	85 MHz	不揮発性	8mbit		フラッシュ	264バイトx 4096ページ	spi	8µs 、4ms
MT53D1024M32D4NQ-046AAT：D TR	-	RFQ	3683	Micron Technology Inc.	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	200-VFBGA	MT53D1024	SDRAM-モバイルLPDDR4	1.1V	200-VFBGA （10x14.5	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）			廃止	0000.00.0000	2,000	2.133 GHz	揮発性	32gbit		ドラム	1g x 32	-	-
W19B320ATT7H	-	RFQ	9646	ウィンボンドエレクトロニクス	-	トレイ	廃止	-20°C〜85°C（Ta）	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	W19B320	フラッシュ	2.7V〜3.6V	48-tsop	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	96		不揮発性	32mbit	70 ns	フラッシュ	4m x 8、2m x 16	平行	70ns
w632gu8mb15i tr	-	RFQ	9175	ウィンボンドエレクトロニクス	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-VFBGA	W632GU8	SDRAM -DDR3	1.283V〜1.45V	78-VFBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	2,000	667 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	-
IS61QDPB42M36A1-500B4L	111.7063	RFQ	5269	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61QDPB42	sram- quadp	1.71V〜1.89V	165-lfbga（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	500 MHz	揮発性	72mbit	8.4 ns	sram	2m x 36	平行	-
MEM-DR380L-SL02-ER16-C	47.5000	RFQ	7468	プロラブ	*	小売パッケージ	アクティブ								-	ROHS準拠			4932-MEM-DR380L-SL02-ER16-C	ear99	8473.30.5100	1
IS25WP016D-JBLA3-TR	0.9827	RFQ	7618	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）		フラッシュ - （slc）	1.65V〜1.95V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS25WP016D-JBLA3-TR			2,000	133 MHz	不揮発性	16mbit	7 ns	フラッシュ	2m x 8	spi -quad i/o	40µs 、800µs
SMJ64C16L-25JDM	55.3300	RFQ	647	テキサスの楽器	*	バルク	アクティブ								-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー			0000.00.0000	1
STK12C68-C35I	-	RFQ	1440	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	穴を通して	28-CDIP （0.300 "、7.62mm）	STK12C68	nvsram （不揮発性 sram）	4.5v〜5.5V	28-CDIP	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	2015-STK12C68-C35I	ear99	8542.32.0041	26		不揮発性	64kbit	35 ns	nvsram	8k x 8	平行	35ns
93LC66AT-I/MC	0.4950	RFQ	6667	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-VFDFN露出パッド	93LC66	Eeprom	2.5V〜5.5V	8-dfn （2x3）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0051	3,300	2 MHz	不揮発性	4kbit		Eeprom	512 x 8	マイクロワイヤ	6ms
MT28FW02GBBA1LPC-0AAT	33.7050	RFQ	4991	Micron Technology Inc.	aec-q100	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	64-lbga	MT28FW02	フラッシュ -	1.7V〜3.6V	64-lbga（11x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0051	1,104		不揮発性	2Gbit	105 ns	フラッシュ	128m x 16	平行	60ns
M5M5V108DKV-70HIBJ	6.3000	RFQ	97	Renesas Electronics America Inc	*	バルク	アクティブ								-	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		ear99	8542.32.0041	1
A6994476-C	187.5000	RFQ	9009	プロラブ	*	小売パッケージ	アクティブ								-	ROHS準拠			4932-A6994476-C	ear99	8473.30.5100	1
25LC160B-I/WF15K	-	RFQ	8510	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	死ぬ	25LC160	Eeprom	2.5V〜5.5V	死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0051	5,000	10 MHz	不揮発性	16kbit		Eeprom	2k x 8	spi	5ms
IS61QDPB42M36A-400M3LI	105.1858	RFQ	8394	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-lbga	IS61QDPB42	sram- quadp	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	400 MHz	揮発性	72mbit	8.4 ns	sram	2m x 36	平行	-
IS42S83200D-6TL-TR	-	RFQ	3848	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S83200	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	32m x 8	平行	-
GD25Q256EFJRR	2.9266	RFQ	1659	Gigadevice Semiconductor	GD25Q	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）		フラッシュ - （slc）	2.7V〜3.6V	16ソップ	ダウンロード				1970-GD25Q256EFJRRTR			1,000	133 MHz	不揮発性	256mbit		フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o	-
cy14b101ka-sp25xi	-	RFQ	1246	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-BSSOP （0.295 "、幅7.50mm）	Cy14B101	nvsram （不揮発性 sram）	2.7V〜3.6V	48スソップ	ダウンロード							1		不揮発性	1mbit	25 ns	nvsram	128k x 8	平行	25ns	確認されていません
S29GL064N90TFA023	7.0700	RFQ	171	スパンション	Automotive	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	S29GL064	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	56-tsop	ダウンロード					3A991B1A	8542.32.0071	1		不揮発性	64mbit	90 ns	フラッシュ	8m x 8、4m x 16	平行	90ns
71V3558S166PFG8	7.7822	RFQ	6262	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	71V3558	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	166 MHz	揮発性	4.5mbit	3.5 ns	sram	256k x 18	平行	-
70261S25PFI	-	RFQ	5457	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	70261S25	sram- デュアルポート、非同期	4.5v〜5.5V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	45		揮発性	256kbit	25 ns	sram	16k x 16	平行	25ns
P1N51AA-C	25.0000	RFQ	1138	プロラブ	*	小売パッケージ	アクティブ								-	ROHS準拠			4932-P1N51AA-C	ear99	8473.30.5100	1
IS42S32800J-7TL-TR	5.2224	RFQ	2670	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32800	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,500	143 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 32	平行	-
70V9359S7PF	-	RFQ	7588	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	70V9359	sram- デュアルポート、同期	3V〜3.6V	100-TQFP（14x14	-	ROHS非準拠	3 （168 時間）			ear99	8542.32.0041	90		揮発性	144kbit	7.5 ns	sram	8k x 18	平行	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²