画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SFEM004GB2ED1TO-I-5E-11-STD | 11.7200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | swissbit | EM-30 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | EMMC | - | |||||||
![]() | S25FL132K0XMFIQ10 | - | ![]() | 4093 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 2156-S25FL132K0XMFIQ10 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | SST25VF080B-50-4I-S2AE-T | 1.4500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST25 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | SST25VF080 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,100 | 50 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 10µs | |||
![]() | 854913-001-C | 41.0000 | ![]() | 9303 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-854913-001-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S25FL128SAGMFI000 | - | ![]() | 5715 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S25FL128SAGMFI000 | 1 | |||||||||||||||||||||
MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 | 3.9700 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Kaga Fei America | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MB85RS256 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 33 MHz | 不揮発性 | 256kbit | フラム | 32k x 8 | spi | - | |||||
![]() | W25M02GVSFJG | - | ![]() | 9662 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25M02 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M02GVSFJG | 廃止 | 44 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 7 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
MT40A2G8FSE-083E:a | - | ![]() | 7644 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (9.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 1.2 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 2g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | S29GL256N11FAA023 | 4.9900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | スパンション | Automotive | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 256mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 110ns | |||
![]() | IDT71T75802S100PFG8 | - | ![]() | 7854 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71T75 | sram- sdr(zbt) | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71T75802S100PFG8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 100 MHz | 揮発性 | 18mbit | 5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | MX25L6455EXCI-10G | 1.6445 | ![]() | 2612 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | MX25L6455 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-cspbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi | 300μs5ms | |||
![]() | MT53E768M64D4SQ-046 AIT:a | - | ![]() | 5518 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | MT53E768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | MT53E768M64D4SQ-046AIT:a | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - | ||||||
![]() | MX25UW6345GXDI00 | 2.2836 | ![]() | 2782 | 0.00000000 | マクロニックス | - | トレイ | アクティブ | - | 3 (168 時間) | 1092-MX25UW6345GXDI00 | 480 | ||||||||||||||||||||
![]() | IS25wp016-jble | - | ![]() | 8702 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | IS25WP016 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 800µs | |||
![]() | IS42S16160B-6BL-TR | - | ![]() | 3912 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-LFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-LFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
IS43DR16160B-3DBLI-TR | 3.8973 | ![]() | 9016 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16160 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 333 MHz | 揮発性 | 256mbit | 450 PS | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | GD5F2GQ4UF9IGR | - | ![]() | 4326 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vlga露出パッド | GD5F2GQ4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-lga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |||
![]() | S29GL256S10FHB020 | 8.5225 | ![]() | 4361 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 64-lbga | S29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 60ns | |||
![]() | cy62147cv18ll-70bai | 2.1200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL2™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | Cy62147 | sram-非同期 | 1.65V〜1.95V | 48-FBGA (7x8.5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 70 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | 7143SA25J8 | - | ![]() | 2659 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | 7143SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 68-PLCC(24.21x24.21 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 250 | 揮発性 | 32kbit | 25 ns | sram | 2k x 16 | 平行 | 25ns | |||
![]() | MT62F2G64D8CL-023 WT:B TR | 74.4900 | ![]() | 6617 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | - | - | SDRAM -DDR5 | 1.05V | - | - | 557-MT62F2G64D8CL-023WT:BTR | 2,500 | 4.266 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 2g x 64 | LVSTL | - | ||||||||
![]() | FM25640B-GATR | - | ![]() | 4697 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive、AEC-Q100 f-Ram™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM25640 | フラム(強誘電性ラム) | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 4 MHz | 不揮発性 | 64kbit | フラム | 8k x 8 | spi | - | |||
![]() | IS43R86400F-5TLI-TR | 5.3589 | ![]() | 2523 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS43R86400 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
IS25CD025-JDLE-TR | - | ![]() | 8665 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | IS25CD025 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,500 | 100 MHz | 不揮発性 | 256kbit | フラッシュ | 32k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | w25q512jvfim | 6.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
IS64WV12816DBLL-12CTLA3-TR | 5.9830 | ![]() | 4646 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS64WV12816 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 2mbit | 12 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | S25FL116K0XMFI011 | 0.3600 | ![]() | 7868 | 0.00000000 | スパンション | fl1-k | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | S25FL116 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 108 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
![]() | 40060327-003 | - | ![]() | 6627 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 前回購入します | - | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | w25q128jwsaq | - | ![]() | 8972 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q128 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JWSAQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | STK11C88-NF45TR | - | ![]() | 2467 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | STK11C88 | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 28-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 不揮発性 | 256kbit | 45 ns | nvsram | 32k x 8 | 平行 | 45ns |
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