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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
SFEM004GB2ED1TO-I-5E-111-STD Swissbit SFEM004GB2ED1TO-I-5E-11-STD 11.7200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 swissbit EM-30 トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA フラッシュ-Nand (TLC) 2.7V〜3.6V 153-BGA (11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 1 200 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 EMMC -
S25FL132K0XMFIQ10 Nexperia USA Inc. S25FL132K0XMFIQ10 -
RFQ
ECAD 4093 0.00000000 Nexperia USA Inc. - バルク 廃止 - 2156-S25FL132K0XMFIQ10 1
SST25VF080B-50-4I-S2AE-T Microchip Technology SST25VF080B-50-4I-S2AE-T 1.4500
RFQ
ECAD 13 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST25 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) SST25VF080 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,100 50 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 10µs
854913-001-C ProLabs 854913-001-C 41.0000
RFQ
ECAD 9303 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-854913-001-C ear99 8473.30.5100 1
S25FL128SAGMFI000 NXP Semiconductors S25FL128SAGMFI000 -
RFQ
ECAD 5715 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ - 2156-S25FL128SAGMFI000 1
MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 3.9700
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Kaga Fei America aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) MB85RS256 フラム(強誘電性ラム) 1.8V〜3.6V 8ソップ - ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0071 1,500 33 MHz 不揮発性 256kbit フラム 32k x 8 spi -
W25M02GVSFJG Winbond Electronics W25M02GVSFJG -
RFQ
ECAD 9662 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) W25M02 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25M02GVSFJG 廃止 44 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
MT40A2G8FSE-083E:A Micron Technology Inc. MT40A2G8FSE-083E:a -
RFQ
ECAD 7644 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA (9.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 1.2 GHz 揮発性 16gbit ドラム 2g x 8 平行 -
S29GL256N11FAA023 Spansion S29GL256N11FAA023 4.9900
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ECAD 1 0.00000000 スパンション Automotive バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA(13x11) ダウンロード 適用できない 3 (168 時間) 未定義のベンダー 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 256mbit 110 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 110ns
IDT71T75802S100PFG8 Renesas Electronics America Inc IDT71T75802S100PFG8 -
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ECAD 7854 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp IDT71T75 sram- sdr(zbt) 2.375V〜2.625V 100-TQFP(14x14 ダウンロード 3 (168 時間) 影響を受けていない 71T75802S100PFG8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 100 MHz 揮発性 18mbit 5 ns sram 1m x 18 平行 -
MX25L6455EXCI-10G Macronix MX25L6455EXCI-10G 1.6445
RFQ
ECAD 2612 0.00000000 マクロニックス MXSMIO™ トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga MX25L6455 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-cspbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi 300μs5ms
MT53E768M64D4SQ-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E768M64D4SQ-046 AIT:a -
RFQ
ECAD 5518 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) MT53E768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 (168 時間) MT53E768M64D4SQ-046AIT:a 廃止 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
MX25UW6345GXDI00 Macronix MX25UW6345GXDI00 2.2836
RFQ
ECAD 2782 0.00000000 マクロニックス - トレイ アクティブ - 3 (168 時間) 1092-MX25UW6345GXDI00 480
IS25WP016-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25wp016-jble -
RFQ
ECAD 8702 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) IS25WP016 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 800µs
IS42S16160B-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-6BL-TR -
RFQ
ECAD 3912 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-LFBGA IS42S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-LFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS43DR16160B-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBLI-TR 3.8973
RFQ
ECAD 9016 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 333 MHz 揮発性 256mbit 450 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
GD5F2GQ4UF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4UF9IGR -
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ECAD 4326 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-vlga露出パッド GD5F2GQ4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-lga (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
S29GL256S10FHB020 Infineon Technologies S29GL256S10FHB020 8.5225
RFQ
ECAD 4361 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA(13x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 16m x 16 平行 60ns
CY62147CV18LL-70BAI Cypress Semiconductor Corp cy62147cv18ll-70bai 2.1200
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MOBL2™ バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA Cy62147 sram-非同期 1.65V〜1.95V 48-FBGA (7x8.5) ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 70 ns sram 256k x 16 平行 70ns
7143SA25J8 Renesas Electronics America Inc 7143SA25J8 -
RFQ
ECAD 2659 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 68-lcc 7143SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 68-PLCC(24.21x24.21 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 250 揮発性 32kbit 25 ns sram 2k x 16 平行 25ns
MT62F2G64D8CL-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8CL-023 WT:B TR 74.4900
RFQ
ECAD 6617 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -25°C〜85°C(TC) - - SDRAM -DDR5 1.05V - - 557-MT62F2G64D8CL-023WT:BTR 2,500 4.266 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 2g x 64 LVSTL -
FM25640B-GATR Infineon Technologies FM25640B-GATR -
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ECAD 4697 0.00000000 Infineon Technologies Automotive、AEC-Q100 f-Ram™ テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) FM25640 フラム(強誘電性ラム) 4.5v〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 4 MHz 不揮発性 64kbit フラム 8k x 8 spi -
IS43R86400F-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-5TLI-TR 5.3589
RFQ
ECAD 2523 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS43R86400 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,500 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
IS25CD025-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD025-JDLE-TR -
RFQ
ECAD 8665 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) IS25CD025 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,500 100 MHz 不揮発性 256kbit フラッシュ 32k x 8 spi 5ms
W25Q512JVFIM Winbond Electronics w25q512jvfim 6.4800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) W25Q512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
IS64WV12816DBLL-12CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV12816DBLL-12CTLA3-TR 5.9830
RFQ
ECAD 4646 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS64WV12816 sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 2mbit 12 ns sram 128k x 16 平行 12ns
S25FL116K0XMFI011 Spansion S25FL116K0XMFI011 0.3600
RFQ
ECAD 7868 0.00000000 スパンション fl1-k バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) S25FL116 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 1 108 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
40060327-003 Infineon Technologies 40060327-003 -
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ECAD 6627 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 前回購入します - 1
W25Q128JWSAQ Winbond Electronics w25q128jwsaq -
RFQ
ECAD 8972 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) W25Q128 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-SOIC - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q128JWSAQ 1 133 MHz 不揮発性 128mbit 6 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
STK11C88-NF45TR Infineon Technologies STK11C88-NF45TR -
RFQ
ECAD 2467 0.00000000 Infineon Technologies - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 28-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) STK11C88 nvsram (不揮発性 sram) 4.5v〜5.5V 28-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 不揮発性 256kbit 45 ns nvsram 32k x 8 平行 45ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫