画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S34MS08G201BHI003 | - | ![]() | 2954 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | S34MS08 | - | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 2120-S34MS08G201BHI003 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 確認されていません | ||||||||||||||||
![]() | FM25L04B-GATR | - | ![]() | 4773 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive、AEC-Q100 f-Ram™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM25L04 | フラム(強誘電性ラム) | 3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 10 MHz | 不揮発性 | 4kbit | フラム | 512 x 8 | spi | - | ||||
![]() | S26361-F4083-E464-C | 835.0000 | ![]() | 4206 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-S26361-F4083-E464-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S25FL256SAGBHMC10 | - | ![]() | 7887 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S25FL256SAGBHMC10 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT54V512H18EF-10 | 19.2500 | ![]() | 147 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | QDR™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | MT54V512 | sram- クアッドポート、同期 | 2.4V〜2.6V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 9mbit | sram | 512K x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | 11AA080-I/SN | 0.3600 | ![]() | 7260 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 11AA080 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 100 kHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | 単一ワイヤ | 5ms | ||||
![]() | M5M51008DKV-70HIST | 6.3000 | ![]() | 960 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | ||||||||||||||||||
![]() | AT27C1024-15JI | - | ![]() | 4216 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 44-lcc | AT27C1024 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 44-PLCC(16.6x16.6 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | AT27C102415JI | ear99 | 8542.32.0061 | 27 | 不揮発性 | 1mbit | 150 ns | eprom | 64k x 16 | 平行 | - | |||
![]() | cy15b104q-sxi | 21.0300 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | f-ram™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | Cy15B104 | フラム(強誘電性ラム) | 2V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 | 40 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラム | 512k x 8 | spi | - | 確認されていません | |||||||
![]() | S25FL128LAGMFI010 | 4.4100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-l | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | S25FL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 280 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||
11lc080-e/p | 0.5400 | ![]() | 7024 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | 11LC080 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 60 | 100 kHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | 単一ワイヤ | 5ms | |||||
![]() | MT47H256M8THN-3:H TR | - | ![]() | 2900 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 63-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 63-fbga (8x10) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 450 PS | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | M29W640GL7AZF6E | - | ![]() | 2263 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | |||||
![]() | cy62256vnll-70zxa | - | ![]() | 2771 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | Cy62256 | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 234 | 揮発性 | 256kbit | 70 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | A3520621-C | 30.0000 | ![]() | 8404 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A3520621-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 5962-9150806MXA | - | ![]() | 2186 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜125°C | 穴を通して | 68-BPGA | 5962-9150806 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 68-PGA (29.46x29.46 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 800-5962-9150806MXA | 廃止 | 3 | 揮発性 | 128kbit | 45 ns | sram | 16k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | Cy7C1413AV18-200BZC | - | ![]() | 5862 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1413 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 2m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | w25q16jwssim | 0.4933 | ![]() | 3936 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JWSSIM | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
![]() | S29GL512T11DHV020 | 22.0000 | ![]() | 244 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | gl-t | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 64-lbga | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 適用できない | 未定義のベンダー | 2832-S29GL512T11DHV020 | 3A991B1A | 8542.32.0050 | 23 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 60ns | 確認されていません | ||
![]() | Cy7C024E-55AXC | - | ![]() | 3824 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C024 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 揮発性 | 64kbit | 55 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | 5962-3829409MXA | 30.5777 | ![]() | 2857 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | -55°C〜125°C | 穴を通して | 28-CDIP (0.600 "、15.24mm) | 5962-3829409 | sram-同期 | 4.5v〜5.5V | 28-CDIP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 800-5962-3829409MXA | 13 | 揮発性 | 64kbit | 55 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 55ns | |||||
MX77L12850FZNI40 | 2.0068 | ![]() | 2689 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 1092-MX77L12850FZNI40 | 570 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 4、64m x 2、128m x 1 | spi -quad i/o | 50μs1.2ms | ||||||||
![]() | 70V9279L6PRFG8 | - | ![]() | 5757 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 128-LQFP | 70V9279 | sram- デュアルポート、標準 | 3V〜3.6V | 128-TQFP | - | 800-70V9279L6PRFG8TR | 廃止 | 750 | 100 MHz | 揮発性 | 512kbit | 15 ns | sram | 32k x 16 | lvttl | - | ||||||
![]() | Cy7C1355C-133AXI | 7.2700 | ![]() | 143 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NOBL™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1355 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 9mbit | 6.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | 71V67803S133BQ | 26.1188 | ![]() | 8072 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | 71v67803 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 133 MHz | 揮発性 | 9mbit | 4.2 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | |||
![]() | 25CSM04-I/SN | 4.2000 | ![]() | 316 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 25cs | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 25CSM04 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 150-25CSM04-I/SN | 3A991B1B1 | 8542.32.0051 | 100 | 8 MHz | 不揮発性 | 4mbit | Eeprom | 512k x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | AK6480AF | - | ![]() | 6701 | 0.00000000 | Asahi Kasei Microdevices/akm | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AK6480 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8ソップ | - | 1 (無制限) | ear99 | 8542.32.0051 | 1,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 512 x 16 | spi | - | ||||||
![]() | MT47H32M16BN-37E:D Tr | - | ![]() | 3668 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA (10x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 267 MHz | 揮発性 | 512mbit | 500 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | AT29C512-15JC | - | ![]() | 1712 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 32-lcc | AT29C512 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | AT29C51215JC | ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 不揮発性 | 512kbit | 150 ns | フラッシュ | 64k x 8 | 平行 | 10ms | |||
![]() | 7028S20PF | - | ![]() | 8766 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | - | 800-7028S20PF | 1 |
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