画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RM25C64C-LSNI-T | - | ![]() | 2260 | 0.00000000 | Adesto Technologies | Mavriq™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RM25C64 | CBRAM | 1.65v〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 10 MHz | 不揮発性 | 64kbit | CBRAM® | 32バイトページサイズ | spi | 100μs5ms | ||||
![]() | IS25LQ025B-JBLE-TR | - | ![]() | 9013 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | IS25LQ025 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 256kbit | フラッシュ | 32k x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||||
![]() | 70V05L25PF | - | ![]() | 1961年年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 64-LQFP | 70V05L | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 64-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 揮発性 | 64kbit | 25 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
24LC32AT-E/OT16KVAO | - | ![]() | 4858 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | SC-74A 、SOT-753 | 24LC32A | Eeprom | 2.5V〜5.5V | SOT-23-5 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 32kbit | 900 ns | Eeprom | 4k x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | S70FL01GSAGMFI013 | - | ![]() | 5775 | 0.00000000 | スパンション | fl-s | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S70FL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||
![]() | MD28F020-90/r | 193.1200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ロチェスターエレクトロニクス、LLC | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 7164L20TP | - | ![]() | 3960 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 28-dip (0.300 "、7.62mm) | 7164L | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 64kbit | 20 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 20ns | ||||
7026S25J | - | ![]() | 4630 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 84-LCC | 7026S25 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 15 | 揮発性 | 256kbit | 25 ns | sram | 16k x 16 | 平行 | 25ns | |||||
![]() | GS8662QT19BGD-333I | 122.9187 | ![]() | 1247 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜100°C (TJ | 表面マウント | 165-lbga | GS8662Q | sram- クアッドポート、同期 | 1.7V〜1.9V | 165-fpbga (15x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS8662QT19BGD-333I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 333 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | W19B320ABB7H | - | ![]() | 2790 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | sicで中止されました | -20°C〜85°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFBGA | W19B320 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
MT61M256M32JE-10 AAT:A TR | - | ![]() | 4270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 180-tfbga | MT61M256 | sgram -gddr6 | 1.21V〜1.29V | 180-FBGA(12x14) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.25 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||||
![]() | Cy62148bnll-70Sxi | 4.7300 | ![]() | 1107 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.445 "、幅11.30mm) | Cy62148 | sram | 4.5v〜5.5V | 32-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 25 | 揮発性 | 4mbit | 70 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | 70P244L55BYGI8 | - | ![]() | 7824 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 81-TFBGA | 70P244L | sram- デュアルポート、非同期 | 1.7V〜1.9V | 81-CABGA | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 64kbit | 55 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 55ns | |||||
![]() | MT53E2G64D8TN-046 AAT:A TR | 122.8500 | ![]() | 1909 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 556-LFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 556-LFBGA(12.4x12.4 | - | 557-MT53E2G64D8TN-046AAT:ATR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 128GBIT | 3.5 ns | ドラム | 2g x 64 | 平行 | 18ns | ||||||||
![]() | M45PE16-VMW6G | - | ![]() | 3795 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | M45PE16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO w | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,800 | 75 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 3ms | ||||
![]() | S29AL008J70BFM023 | - | ![]() | 7751 | 0.00000000 | スパンション | al-j | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | S29AL008 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA (8.15x6.15) | ダウンロード | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | |||||||
![]() | S34MS04G100BHI000Z | 7.5300 | ![]() | 37 | 0.00000000 | スパンション | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | AT28HC64B-90JU | 6.8000 | ![]() | 9578 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-lcc | AT28HC64 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | AT28HC64B90JU | ear99 | 8542.32.0051 | 32 | 不揮発性 | 64kbit | 90 ns | Eeprom | 8k x 8 | 平行 | 10ms | |||
![]() | 70V9269S15PRF8 | - | ![]() | 1811 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 128-LQFP | 70V9269 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 128-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 256kbit | 15 ns | sram | 16k x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | MT29F1G08ABBEAHC-IT:e | - | ![]() | 5555 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA(10.5x13) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,140 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | RM3004-XSNI-T | - | ![]() | 6058 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RM3004 | Eeprom | 1.65V〜2.75V | 8-SOIC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1265-RM3004-XSNI-TTR | 廃止 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 64kbit | Eeprom | 8k x 8 | spi | - | |||||
![]() | w25q80bvuxbg | - | ![]() | 1440 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | W25Q80 | フラッシュ - | 2.5V〜3.6V | 8-USON | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80BVUXBG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | ||||
![]() | 8403609la | - | ![]() | 3787 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜125°C | 穴を通して | 24-CDIP (0.300 "、7.62mm) | 840360 | sram-同期 | 4.5v〜5.5V | 24-CDIP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 800-8403609la | 廃止 | 15 | 揮発性 | 16kbit | 45 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | Cy7C1366B-166BGC | - | ![]() | 8509 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | Cy7C1366 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | STK15C88-SF25 | - | ![]() | 4787 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-SOIC (0.342 "、幅8.69mm) | STK15C88 | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 28-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 50 | 不揮発性 | 256kbit | 25 ns | nvsram | 32k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | Cy7C1345S-100AXC | 6.3300 | ![]() | 183 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1345 | sram- sdr | 3.15V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | - | 48 | 100 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 8 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | 確認されていません | |||||||
![]() | Cy7C1041G30-10ZSXE | - | ![]() | 3867 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1041 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2832-CY7C1041G30-10ZSXE | 135 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | 確認されていません | ||||||
![]() | FM25V10-DG | 10.8767 | ![]() | 2191 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラム(強誘電性ラム) | 2V〜3.6V | 8-dfn (4x4.5) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 74 | 40 MHz | 不揮発性 | 1mbit | 9 ns | フラム | 128k x 8 | spi | - | |||||||
![]() | S28HS02GTFPBHV053 | 39.8650 | ![]() | 7743 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-VBGA | フラッシュ - (slc) | 1.7V〜2V | 24-FBGA (8x8) | ダウンロード | 2,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | ||||||||||
![]() | IS61LF102418B-7.5TQ | - | ![]() | 6357 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LF102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - |
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