SIC
close

メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
S29GL512T10TFI010 Cypress Semiconductor Corp S29GL512T10TFI010 18.6700
RFQ
 ECAD 241 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp gl-t トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 2832-S29GL512T10TFI010 27 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 64m x 8 平行 60ns 確認されていません
S29PL032J70BFID20E Infineon Technologies S29PL032J70BFID20E -
RFQ
 ECAD 2595 0.00000000 Infineon Technologies * トレイ 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 338
MT41K256M4JP-125:G Micron Technology Inc. MT41K256M4JP-125：g -
RFQ
 ECAD 8838 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K256M4 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 800 MHz 揮発性 1gbit 13.75 ns ドラム 256m x 4 平行 -
GD5F1GQ4UFYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4UFYIGY -
RFQ
 ECAD 2993 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD5F1GQ4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 700µs
S29JL064J55TFA000 Infineon Technologies S29JL064J55TFA000 6.9236
RFQ
 ECAD 7581 0.00000000 Infineon Technologies JL-J トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 影響を受けていない 96 不揮発性 64mbit 55 ns フラッシュ CFI
AT24C01A-10TU-2.7 Microchip Technology AT24C01A-10TU-2.7 -
RFQ
 ECAD 1624 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） AT24C01 Eeprom 2.7V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 400 kHz 不揮発性 1kbit 900 ns Eeprom 128 x 8 i²c 5ms
Z9H55AA-C ProLabs Z9H55AA-C 24.2500
RFQ
 ECAD 3086 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-Z9H55AA-C ear99 8473.30.5100 1
MT47H32M16HR-3:F Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-3：F -
RFQ
 ECAD 1167 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-1466 ear99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
7133LA25GB Renesas Electronics America Inc 7133LA25GB -
RFQ
 ECAD 3591 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - バルク 廃止 - 影響を受けていない 800-7133LA25GB 廃止 1
IDT7164S20YI8 Renesas Electronics America Inc IDT7164S20YI8 -
RFQ
 ECAD 7701 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） IDT7164 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 7164S20YI8 ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 64kbit 20 ns sram 8k x 8 平行 20ns
NM24C16M onsemi NM24C16M -
RFQ
 ECAD 4729 0.00000000 onsemi - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 14-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） NM24C16 Eeprom 4.5v〜5.5V 14-SOIC - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 50 100 kHz 不揮発性 16kbit 3.5 µs Eeprom 2k x 8 i²c 10ms
SMJ61CD16SA-70JDM Texas Instruments SMJ61CD16SA-70JDM 15.3400
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 テキサスの楽器 * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A001A2C 8542.32.0041 1
M93C76-WMN6P STMicroelectronics M93C76-WMN6P -
RFQ
 ECAD 8950 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M93C76 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 2 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8、512 x 16 マイクロワイヤ 5ms
IS42S32200C1-55TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-55TL-TR -
RFQ
 ECAD 8928 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32200 SDRAM 3.15V〜3.45V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 183 MHz 揮発性 64mbit 5 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS46R16320E-5TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-5TLA1-TR 7.1705
RFQ
 ECAD 9412 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS46R16320 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,500 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
FT24C04A-USG-T Fremont Micro Devices Ltd FT24C04A-USG-T 0.1300
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 Fremont Micro Devices Ltd - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FT24C04 Eeprom 1.8V〜5.5V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 不揮発性 4kbit 550 ns Eeprom 512 x 8 i²c 5ms
S29GL01GS11WEI019 Infineon Technologies S29GL01GS11WEI019 9.8580
RFQ
 ECAD 3500 0.00000000 Infineon Technologies gl-s バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 死ぬ S29GL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V ウェーハ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 25 不揮発性 1gbit 110 ns フラッシュ 64m x 16 平行 60ns
MT29F1G08ABADAH4:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAH4：D TR -
RFQ
 ECAD 4140 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAH4-ITX：E TR -
RFQ
 ECAD 4943 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
S70FS01GSDSBHM210 Infineon Technologies S70FS01GSDSBHM210 24.8300
RFQ
 ECAD 7393 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、FS-S トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga S70FS01 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-bga （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 338 80 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o -
5962-8700215ZA Renesas Electronics America Inc 5962-8700215ZA -
RFQ
 ECAD 9886 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -55°C〜125°C 穴を通して 48-dip（0.600 "、15.24mm） 5962-8700215 sram- デュアルポート、同期 4.5v〜5.5V 48サイドろう付け ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 800-5962-8700215ZA 廃止 8 揮発性 16kbit 70 ns sram 2k x 8 平行 70ns
IS43LR32640A-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32640A-5BL-TR 11.7150
RFQ
 ECAD 6848 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-lfbga IS43LR32640 SDRAM -DDR 1.7V〜1.95V 90-WBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,500 200 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 15ns
MT53D768M64D4SQ-053 WT ES:A Micron Technology Inc. MT53D768M64D4SQ-053 WT ES：a -
RFQ
 ECAD 8675 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
25LC080AT-I/MS Microchip Technology 25LC080AT-I/MS 0.7500
RFQ
 ECAD 4093 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅） 25LC080 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 25LC080AT-I/MS-NDR ear99 8542.32.0051 2,500 10 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 spi 5ms
DS24B33S+T&R Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS24B33S+T＆R 3.4800
RFQ
 ECAD 6047 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） DS24B33 Eeprom 2.8V〜5.25V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,000 不揮発性 4kbit 2 µs Eeprom 256 x 16 1-Wire® -
FCELS26361-F3389-L425-C ProLabs FCELS26361-F3389-L425-C 102.5000
RFQ
 ECAD 4496 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-FCELS26361-F3389-L425-C ear99 8473.30.5100 1
M93C56-MN6TP STMicroelectronics M93C56-MN6TP -
RFQ
 ECAD 3849 0.00000000 stmicroelectronics - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M93C56 Eeprom 4.5v〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 2 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8、128 x 16 マイクロワイヤ 5ms
IS42S16160B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7TL -
RFQ
 ECAD 5263 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
71V3577S80BGG8 Renesas Electronics America Inc 71V3577S80BGG8 8.5003
RFQ
 ECAD 4443 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA 71V3577 sram- sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 100 MHz 揮発性 4.5mbit 8 ns sram 128k x 36 平行 -
MT53E128M32D2FW-046 AUT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 AUT：a 8.7450
RFQ
 ECAD 9329 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 200-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E128M32D2FW-046AUT：a 1 2.133 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 平行 18ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます