画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S34MS04G100BHI003 | - | ![]() | 2462 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MS-1 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | S34MS04 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-BGA (11x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 不揮発性 | 4gbit | 45 ns | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | AT25160BN-SH-T | - | ![]() | 5097 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT25160 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 20 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | Cy7C1327G-133AXI | 8.3300 | ![]() | 8899 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1327 | sram- sdr | 3.15V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 4 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | |||
IS61LV6416-8KL-TR | - | ![]() | 6926 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | IS61Lv6416 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 1mbit | 8 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 8ns | |||||
![]() | 25LC256T-E/MF | 2.1150 | ![]() | 6275 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | 25LC256 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-dfn-s(6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 10 MHz | 不揮発性 | 256kbit | Eeprom | 32k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | NAND02GW3B2DZA6E | - | ![]() | 2107 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-TFBGA | NAND02G | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9.5x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | -NAND02GW3B2DZA6E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 2Gbit | 25 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | MT49H16M36BM-25:b | - | ![]() | 1757 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H16M36 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga(18.5x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | Cy7C1339A-100AC | 3.1400 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1339 | sram- sdr | 3.15V〜3.6V | 100-TQFP | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 4mbit | 8 ns | sram | 128k x 32 | 平行 | - | |||
![]() | C-1600D3DR8RN/4G | 87.5000 | ![]() | 2136 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-C-1600D3DR8RN/4G | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | AT45DB011D-SSH-SL954 | - | ![]() | 4170 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT45DB011 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 98 | 66 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 256バイトx 512ページ | spi | 4ms | |||||
![]() | S34ML04G100BHA003 | - | ![]() | 8345 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | ML-1 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | S34ML04 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-BGA (11x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | 25ns | |||||
![]() | S29GL064S70TFI030 | - | ![]() | 6901 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S29GL064S70TFI030 | 1 | ||||||||||||||||||||||
24LC014HT-E/ST | 0.5100 | ![]() | 1923年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 24LC014H | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 1kbit | 400 ns | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | CG8261AA | - | ![]() | 5338 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | 影響を受けていない | 廃止 | 468 | |||||||||||||||||||||
![]() | S29JL032J70TFA423 | 3.8455 | ![]() | 2152 | 0.00000000 | Infineon Technologies | JL-J | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1,000 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | CFI | 70ns | |||||||||
![]() | NDS76PBA-16AT | 2.5039 | ![]() | 5919 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1982-NDS76PBA-16AT | 348 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT44K16M36RB-107E:TR | - | ![]() | 4212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K16M36 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-BGA(13.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 576mbit | 8 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS61WV25616BLL-10BLI-TR | 3.2736 | ![]() | 5707 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS61WV25616 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | S29GL01GT11DHIV20 | 13.5800 | ![]() | 9132 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL01 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 520 | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | S34MS01G104BHI910 | - | ![]() | 4672 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MS-1 | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | S34MS01 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-BGA (11x9) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 不揮発性 | 1gbit | 45 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | Cy7C1512KV18-200BZXC | - | ![]() | 2277 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1512 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | -cy7c1512kv18-200bzxc | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 200 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | Cy62167EV30LL-45BVXI | - | ![]() | 4840 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy62167 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | 29 | 揮発性 | 16mbit | 45 ns | sram | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 45ns | 確認されていません | ||||||||
![]() | 71V67603S133BQI8 | 28.5570 | ![]() | 8643 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | 71v67603 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 133 MHz | 揮発性 | 9mbit | 4.2 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | Cy7C1061G30-10BVJXI | 23.8000 | ![]() | 3914 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy7C1061 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2832-CY7C1061G30-10BVJXI | 480 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 10ns | 確認されていません | ||||||
R1EX25064ATA00A s0 | 2.1100 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | R1EX25064 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 5 MHz | 不揮発性 | 64kbit | Eeprom | 8k x 8 | spi | 5ms | |||||||
![]() | MT28EW512ABA1LJS-0AAT | - | ![]() | 2187 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT28EW512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 不揮発性 | 512mbit | 105 ns | フラッシュ | 64m x 8、32m x 16 | 平行 | 60ns | |||||
![]() | S29GL128P11DGI017 | - | ![]() | 8727 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 28 | 不揮発性 | 128mbit | 110 ns | フラッシュ | 16m x 8 | 平行 | 110ns | ||||
![]() | at25te001-sshn-t | 1.0600 | ![]() | 8744 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | at25te001 | 8-SOIC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991 | 8542.32.0071 | 4,000 | ||||||||||||||
![]() | AT49LV001NT-90PC | - | ![]() | 4306 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 穴を通して | 32-dip(0.600 "、15.24mm) | AT49LV001 | フラッシュ | 3V〜3.6V | 32-PDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT49LV001NT90PC | ear99 | 8542.32.0071 | 12 | 不揮発性 | 1mbit | 90 ns | フラッシュ | 128k x 8 | 平行 | 50µs | |||
![]() | Cy7C1360S-166AXC | 11.6500 | ![]() | 116 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1360 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | - | 26 | 166 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | 確認されていません |
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